EDA365电子论坛网

标题: 制造IC的基础原料：晶圆切割液配方整理 [打印本页]

---

作者: fordies1    时间: 2021-3-1 13:07
标题: 制造IC的基础原料：晶圆切割液配方整理
晶圆是制造IC的基础原料。硅晶圆的加式过程往往需要基于纯度达到99．999％的纯硅材料，这些纯硅需要被制成硅晶棒，经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片的、薄薄的硅晶圆。

基于硅晶圆可以加工制作成各种电路元件，生产有特定电性功能的集成电路产品。
. ~  ]4 @; f! e. G1 i4 X2 A
! j/ V7 h$ p3 r& m  z% a  I9 R晶圆划片是整个芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序。

晶圆划片过程中，由于强机械力的作用，晶圆边沿容易出现微裂、崩边和应力集中点，晶圆表面也容易存在应力分布不均和损伤的情况，这些缺陷是造成晶圆制造中产生大量滑移线、外延层错、滑移位错、微缺陷等二次缺陷以及晶圆、芯片易破裂的重要因素。

: g9 S0 C9 c+ O& ]1 Z线切割工艺中，克服线锯的晃动、提高其稳定性，对降低硅片表面损伤（尤其是是表面较粗糙的缺陷）具有重要作用，选择性能优良的线切割液是减小或避免这些问题的重要途径。

切割液具有一些特点：

& k4 T' g/ J5 U5 M" n$ R( o它会对加工工艺指标影响比较大，主要是加工精度、效率和表面的粗糙程度。

它可减少硅晶圆切割设备发生锈蚀的问题。
; W( S" N6 ?0 W& M' a4 m
" u% a; o' z; V+ Z, x8 h; Z它有良好的低泡沫性能。
' N  f. M) D! s- t  L
- X% {% B) o  {9 y6 G由于切割液能降低晶圆表面操作和机械应力，它有利于晶圆加工后续工序的进行。

切割液有优异的润滑性能和导热性能，可以降低脆性崩裂和划伤，提高硅晶圆的成品率。
6 d; ~& c. W: T" m/ g7 _
. O$ e' }- \" t% U0 W. O6 o1 [它能减少表面碎屑和表面金属层残留。
1 a2 @) `4 Z" S* T+ X& m1 e( W
某公司开发的一款晶圆切割液，它的润滑性和切割效率高，减少了脆性崩裂、划痕、隐裂等问题，能提高硅晶圆的切割效率和成品率。
" N4 c) o: \+ s  s- z/ P: \
5 F& M- |) V, `7 u工艺细节要求：

使用软水配制工作液；

5 W9 j0 h; n& i# L! _8 F+ z( K1 O2 S水稀释15～25倍使用；
" `, a4 u, j* k/ d6 J* R, D
长时间使用的话，切割液的耗损量达到切割液总量的1／3~1／2时，要及时补加原液或适当浓度的新工作液；
# B  l0 r0 z: ?9 d" T1 B
参考配方：

: k1 v3 W2 ~  b$ @  [! G70公斤去离子水+20公斤聚醚（表面活性剂）+5公斤聚乙二醇（表面活性剂）+3公斤炔醇（润湿渗透剂）+0.2公斤封端聚醚（消泡剂）
6 \! T6 ]& X4 f* K7 ~4 d! z7 i
75公斤去离子水+15公斤脂肪醇聚氧乙烯醚（表面活性剂）+5公斤聚丙二醇（表面活性剂）+5公斤炔醇聚氧乙烯醚（润湿渗透剂）+0.2公斤封端聚醚（消泡剂）

# E2 ]# n' ]6 e! N% G" `: }4 f$ D! m% y

---

作者: reasonant-j    时间: 2021-3-1 13:54
可减少硅晶圆切割设备发生锈蚀的问题

---

欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/)

Powered by Discuz! X3.2