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标题: 工程师必知的那些元器件失效机理 [打印本页]
作者: QqWw11    时间: 2021-2-1 10:38
标题: 工程师必知的那些元器件失效机理
本帖最后由 QqWw11 于 2021-2-1 10:40 编辑
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元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。* K' o; _: K. X% b$ J& }
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温度导致失效) Z. X% d$ Z+ u8 O' Q
环境温度是导致元件失效的重要因素。0 p# F7 q& l7 U4 |6 c9 N0 J! \6 i
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温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感，当P-N结反向偏置时，由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响，其关系为：& o% _' f  x5 _7 n1 B0 {
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式中：ICQ―――温度T0C时的反向漏电流6 ]2 F2 }/ A9 G! @4 D- J% D# D
        ICQR――温度TR℃时的反向漏电流
# j; ?( C6 j' M9 c) D' T' a        T－TR――温度变化的绝对值+ n# p- C9 X) \6 e" }6 a1 J
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由上式可以看出，温度每升高10℃，ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化，动态范围变小。2 p1 e, H' D& G7 l
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温度与允许功耗的关系如下：' I; @% O' j. b

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式中：PCM―――最大允许功耗* O; v, d2 w" K. w
           TjM―――最高允许结温
% L' i: t% e4 ?           T――――使用环境温度
/ f4 K2 R5 q0 J$ h% B           RT―――热阻8 {4 P8 ^* ?; |( ?7 o
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由上式可以看出，温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。$ l7 Y+ _: o8 g  I2 Z! H) B; O
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由于P-N结的正向压降受温度的影响较大，所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件（TTL、HTL等集成电路）的电压传输特性和抗干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时，P-N结的正向压降减小，其开门和关门电平都将减小，这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变小；高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大，造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调，甚至热击穿。
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温度变化对电阻的影响0 B2 y( g& y: O# P7 W
温度变化对电阻的影响主要是温度升高时，电阻的热噪声增加，阻值偏离标称值，允许耗散概率下降等。比如，RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时，允许的耗散概率仅为标称值的20％。
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, Y4 I. A0 W+ p1 i$ c. N, F但我们也可以利用电阻的这一特性，比如，有经过特殊设计的一类电阻：PTC（正温度系数热敏电阻）和NTC（负温度系数热敏电阻），它们的阻值受温度的影响很大。# h8 l' j' A: j* u4 O( f

5 F6 y: o" P7 T/ k) |对于PTC，当其温度升高到某一阈值时，其电阻值会急剧增大。利用这一特性，可将其用在电路板的过流保护电路中，当由于某种故障造成通过它的电流增加到其阈值电流后，PTC的温度急剧升高，同时，其电阻值变大，限制通过它的电流，达到对电路的保护。而故障排除后，通过它的电流减小，PTC的温度恢复正常，同时，其电阻值也恢复到其正常值。
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对于NTC，它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。) P! ^# Z5 i2 S0 ]. j
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温度变化对电容的影响
7 R- @2 _, \' Z+ _( K$ V温度变化将引起电容的到介质损耗变化，从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时，电容器的寿命就降低50％，同时还引起阻容时间常数变化，甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。, D  F/ d, ^3 v. M; \
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此外，温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。. f6 n: _2 l+ \

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湿度导致失效1 @3 Z/ u/ ?7 b  ^7 w: c
湿度过高，当含有酸碱性的灰尘落到电路板上时，将腐蚀元器件的焊点与接线处，造成焊点脱落，接头断裂。6 L7 p' w5 c4 t/ L  B" H
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湿度过高也是引起漏电耦合的主要原因。
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而湿度过低又容易产生静电，所以环境的湿度应控制在合理的水平。! j" g9 ^0 {0 C5 q: A" D

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' j$ k2 }. u' f( w# _# k3 I/ n9 ]过高电压导致器件失效$ U/ S8 d% ?2 x9 y, q% v- u/ g
施加在元器件上的电压稳定性是保证元器件正常工作的重要条件。过高的电压会增加元器件的热损耗，甚至造成电击穿。对于电容器而言，其失效率正比于电容电压的5次幂。对于集成电路而言，超过其最大允许电压值的电压将造成器件的直接损坏。
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; U" f! W- n# Z9 r9 \电压击穿是指电子器件都有能承受的最高耐压值，超过该允许值，器件存在失效风险。主动元件和被动元件失效的表现形式稍有差别，但也都有电压允许上限。晶体管元件都有耐压值，超过耐压值会对元件有损伤，比如超过二极管、电容等，电压超过元件的耐压值会导致它们击穿，如果能量很大会导致热击穿，元件会报废。
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  P$ i' c: Y! s; w, u4 v" N振动、冲击影响- h  x2 n+ O1 f  k
机械振动与冲击会使一些内部有缺陷的元件加速失效，造成灾难性故障，机械振动还会使焊点、压线点发生松动，导致接触不良；若振动导致导线不应有的碰连，会产生一些意象不到的后果。
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可能引起的故障模式，及失效分析。
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% G  _; x* n8 q' b电气过应力（Electrical Over Stress，EOS）是一种常见的损害电子器件的方式，是元器件常见的损坏原因，其表现方式是过压或者过流产生大量的热能，使元器件内部温度过高从而损坏元器件（大家常说的烧坏），是由电气系统中的脉冲导致的一种常见的损害电子器件的方式。! J% W. i0 U8 G/ S. J
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作者: srilri2    时间: 2021-2-1 11:16
件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。



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