现在集成电路的线宽只有几十个纳米(甚至十几个纳米)。3 s1 _, t+ B' Q" [4 i; ?" A4 k7 u( W. e( ~& O* D
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掺杂的目的,是在这几十个纳米的范围内、该磷是磷该硼是硼、准确的把它注入纯净的硅晶格之间,从而在局部生成P型和N型半导体,使得它们恰好组成电气性能合格的场效应管(构成的门电路)。% f/ H7 P2 b7 j6 T* ]
说场效应管有点粗糙了。实质上,因为半导体原理以及电路原理,芯片上几十个纳米宽度的P区和N区交错纵横,它们彼此之间还能形成许多寄生电路——而CMOS工艺甚至能利用这些寄生电路为我们服务。
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把如此精确的、定点生成P/N型半导体的工艺叫“掺杂”,是因为半导体材料方面的研究以硅锗为主——或者说,半导体就是往硅/锗里掺入不同物质、然后研究它们的导电性的一门学科。7 q) A3 @7 ]7 `: ]. E; t
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为了便于讨论,当我们谈起半导体时,如果总是说“往硅中掺入五价元素A”“掺入三价元素B”实在太麻烦了。尤其是不关心或者不知道究竟掺了什么时,这样就更啰嗦了。4 Q! l+ o, k& w7 b
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半导体主要就是利用它的电气特性,因此绝大多数场合都不关心掺了什么只关心电气特性。
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因此,在不需要讨论具体工艺参数时,业内就笼统的说“掺入杂质”或者“掺杂”。" O* ~& O2 g! S; n$ j2 ^
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习惯这么说之后,集成电路工艺里,准确的在硅片某个区域的晶格间注入某种五价元素/三价元素这一步,就也被简称为“掺杂”。
因此,再强调一遍:千万不要望文生义,以为纯净的硅不好用,做集成电路前还得添点杂质进去。7 Y. }2 y- r9 j; t- l! Y
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事实上,这一步工艺虽然叫“掺杂”,但实际上是在硅片上就地制作晶体管!$ k, A' ?5 `8 H! T/ h
注意PN结两侧掺的东西可是不一样的,容不得半点混淆!每种元素的掺入位置也必须绝对精确,不然将来只有几十甚至十几个纳米的线路搭不上,这芯片可就做废了。& D0 G& a8 n" s, i. p4 O4 n
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敢把这个真当成“随随便便撒点杂质”那种“掺杂”,那可丢人丢大发了。
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