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标题: 在利用SIwave做频率扫描的问题 [打印本页]

作者: jomvee    时间: 2011-3-22 15:41
标题: 在利用SIwave做频率扫描的问题
在利用SIwave做频率扫描的时候,据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端,Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置,理由是:芯片才是电源平面噪声的主要来源,有没人同意我的说法?
8 m+ V# [1 z7 u
作者: shark4685    时间: 2011-3-22 16:15
从你的问题看你是用siwave做PI!- x1 G% e4 e5 L1 s! R6 s: P# Z

0 J5 [) g3 v2 ?3 u+ K, B  C如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做# E0 V' K; |6 A
1.是谐振分析
( U8 Z! a# e* V3 n$ E5 p2.是阻抗分析.
8 k4 D# _/ {6 K) c
: l. S& p5 o9 E( L; R还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.. h; X# k6 I9 U1 D
但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等." J, v% t+ p3 [8 L) X
这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的.
8 D; n& n. M( H7 K: q! F9 y
4 f+ m: O2 `  a4 v4 p2 y$ M
作者: icy88    时间: 2011-3-23 09:59
频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合,所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方,Vprobe要放置在你想要观察的地方,也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源,也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作,作为一个激励源。




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