EDA365电子论坛网

标题: 关于射频芯片输出阻抗到天线的阻抗匹配问题 [打印本页]

作者: freedom1    时间: 2020-12-17 13:48
标题: 关于射频芯片输出阻抗到天线的阻抗匹配问题
一般匹配都是会知道源端阻抗和负载端阻抗。假如不知道射频芯片的输出阻抗,也就是源端阻抗,知道负载阻抗,这样要怎么调匹配呢。射频芯片数据手册给出芯片射频输出端加一个电容和两个电感网络,在电感网络输出端是50欧姆(问题是必须要按照数据手册里面的PCB来布局,而且器件型号也要完全一致,所以这很难达到)。9 W9 \7 I1 O% x& Q/ ?

作者: hope123    时间: 2020-12-17 14:18
不知道源阻抗是无法自行设计匹配电路的,除非是根据已有电路进行逆推,通常没有这个必要,按照厂家给出的参数设计就是。关键要在实际设计中控制好分布参数,这个需要较强的理论基础和较多的实践经验,不存在什么小段文字就能描述出来的“秘笈”,要在长期的学习和实践中自己领悟。
作者: rural    时间: 2020-12-17 14:32
从效率的角度考虑,给定了供电电压和输出功率,RF放大管具有一个具体的最佳值。比如6只镍氢电池供电的对讲机,7.2V,3W,射频功率器件的输出阻抗仅为6欧,再经阻抗变换到50欧送至天线。  目前的应用中,估计是WIFI比较多吧。一般是5V供电,不同国家的标准为10mW, 50mW, 100mW, 为了一劳永逸,一般按100mW设计,考虑1V的管压降,那么放大器的输出阻抗设计在80欧最好。  放大器是电流源,并不具有特定的阻抗,外面挂多就是多大
作者: bow    时间: 2020-12-17 14:40
楼主并没有说明是那一类射频芯片,那就只能讲通用的了。而且就算是单片无线数传,也并非都是50的整数倍,比如cc1000, 433M是140ohm, 可以当3倍考虑,但868M便要求80欧,这就不能当2倍看了
作者: cariban    时间: 2020-12-17 18:08
本帖最后由 cariban 于 2020-12-17 18:24 编辑 9 f- K* X0 E! ~1 e6 ~# c

# C2 @; O% F2 `1 t. q0 b& l这个问题的标准答案难道不是用VNA自己测输出阻抗?即使有参考板参考设计,也很难完全复制。觉得正规VNA太贵的,也可以考虑国产货,
3 {5 n3 p' o$ ?最便宜的VNA 300RMB。可能精度和稳定性都差,但是比盲目拷贝,甚至瞎猜强多了。7 L. S; \; F5 v4 k& Q
* R5 ]. d1 N+ T! Q, C
https://nanovna.com/( d; w; g; D* l% E2 H

6 C/ `7 j5 Q4 \: t& ]) u

nanovna.jpg (6.67 KB, 下载次数: 1)

nanovna.jpg

作者: 伶俜    时间: 2021-9-28 11:27
:(
作者: 学无止景    时间: 2022-4-2 17:20
学习学习




欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2