EDA365电子论坛网

标题: DDR读写测试 [打印本页]
作者: dhr8369    时间: 2020-11-19 14:44
标题: DDR读写测试
工具：
TFTP
memtester文件
指令：
./memtester 1G > /root/mem1.txt 2>>/root/memerr1.txt &
10台设备中有3台测试高八位读写出错，是DDR芯片问题还是PCB走线问题？还是其他？
, g7 _' W& ~: b0 V; L
作者: Blah    时间: 2020-11-19 15:32
帮你顶上去                             
作者: dhr8369    时间: 2020-11-19 16:38
新鲜出炉的数据; l, Q9 O& \6 }1 v
FAILURE: 0xd5ff1a006b77999e != 0xd5ff1a886b77999e at offset 0x08c8bde8.+ W$ E/ P: P" N+ z, ~
FAILURE: 0xfdff2a101ff54cdf != 0xfdff2aff1ff54cdf at offset 0x124a1318.
% t. e+ ?4 u) U' _6 z- m9 ?$ BFAILURE: 0xf7ff200497bf2caf != 0xf7ff208697bf2caf at offset 0x084ac168.. O' W+ C7 U8 n! D
FAILURE: 0xedff08009e7ff79e != 0xedff08ff9e7ff79e at offset 0x06770048.
- C8 c4 W" `$ \; q9 g+ @* `FAILURE: 0xffff1804dfffe706 != 0xffff188cdfffe706 at offset 0x128b5de8.
) l4 L" b# f. X! ~3 cFAILURE: 0xfdfb2a10ff7fa5e7 != 0xfdff2affff7fa5e7 at offset 0x0cf0ca88.
  r; i# T6 Q* z0 o+ l7 {7 kFAILURE: 0xddff4800fff8941d != 0xddff48cffff8941d at offset 0x194f11d8.
# P' \- `, \6 X- OFAILURE: 0xbfff0000f7bcb1bf != 0xbfff00c9f7bcb1bf at offset 0x094f4048.- O0 G3 A  E$ N3 N
FAILURE: 0xec808cc28744c2b3 != 0xec848c2d8744c2b3 at offset 0x0bb6b858.
7 I( O6 r8 Q/ B# r4 k0 `FAILURE: 0x738b143887a7cce3 != 0x738f13a387a7cce3 at offset 0x0bb6b858.+ j5 o4 e; G7 N3 t) z
FAILURE: 0x182ccfea0319c413 != 0x94b987050319c413 at offset 0x0bb6b858.0 n7 A5 F1 S9 X( }3 |3 {
FAILURE: 0x00000000 != 0x00000001 at offset 0x0bb6b858.5 G# \- ~- x: s
FAILURE: 0xdfff0c00efdff7bb != 0xdfff0cc0efdff7bb at offset 0x1e48f578.6 z( P" }; h5 Z! v
FAILURE: 0xffff86006bc3dbff != 0xffff86806bc3dbff at offset 0x13e02888.
作者: lhliu6    时间: 2020-11-19 16:53
高8位是随机出错，还是那一位一直有错？降速试一试？影响DDR的因素有很多
作者: dhr8369    时间: 2020-11-19 17:01
lhliu6 发表于 2020-11-19 16:53$ y& N1 W& c# H! }" d2 U
高8位是随机出错，还是那一位一直有错？降速试一试？影响DDR的因素有很多

4 J: u8 K# u5 u( F随机的，上面刚发了数据，CPU core operating speed of up to 1.2 GHz8 t& L4 G3 @* |
High-speed 8/16-bit DDR3/3L/DDR4 DRAM memory controller
( C  W3 n) h  h6 D: T5 G5 a" C0 TThe SDRAM interface clock—up to 800 MHz for DDR3/DDR4 respectively1 s: n7 K' h! K; ]" Y
DDR选用的是三星的DDR4-2666，1333MHz fCK for 2666Mb/sec/pin  U/ P3 R: r8 K8 H6 T- e
作者: dhr8369    时间: 2020-11-20 11:15
lhliu6 发表于 2020-11-19 16:53
0 V  W% W! N2 j# B3 A: E高8位是随机出错，还是那一位一直有错？降速试一试？影响DDR的因素有很多

8 b/ k8 h) N( |降速已经降到最低了
0 D  d6 c) n5 U' g
作者: dhr8369    时间: 2020-11-20 11:24
lhliu6 发表于 2020-11-19 16:53( I+ m$ E' I( c: S1 h+ E# x
高8位是随机出错，还是那一位一直有错？降速试一试？影响DDR的因素有很多

2 n% C6 |3 J' z. K降速已经降到最低了1 L2 b7 D. Q3 N( _- f# f7 k4 v! Z
作者: momokoko    时间: 2020-11-23 16:38
原理图，走线拓扑发出来
作者: bsy1418    时间: 2020-11-24 14:15
ODT使能没有，还有测量一下DDR3电源，适当加大一点电压值
作者: dhr8369    时间: 2020-11-24 14:53
bsy1418 发表于 2020-11-24 14:15
* M! F( e. Q7 gODT使能没有，还有测量一下DDR3电源，适当加大一点电压值

' I8 d. F- o0 D  A8 P4 P5 s( j& n用的是DDR4,不过还真有可能是电源，昨天背了几个钽电容，有明显改善，挂24小时才出一个错误，今天还在试验
6 F& e0 G& X$ V: ?" P3 o



欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2