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标题: SIwave仿真有没有将过孔的影响考虑进去？ [打印本页]

作者: niuwa 时间: 2011-1-14 14:14
标题: SIwave仿真有没有将过孔的影响考虑进去？
电容模型或者是仿真的过程中是否考虑了过孔的影响，Eric.Bogatin大师曾经曰过，过孔对引进的寄生电感在零点几nH的数量级，那这个不容忽视的偏差在电容厂商建立S参数模型或者SIwave软件是否将其考虑进去了呢？

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