EDA365电子论坛网

标题: 温控电路（求解） [打印本页]
作者: wanghairui168    时间: 2020-9-26 16:53
标题: 温控电路（求解）
( E; P0 `1 l- y+ T' G- @8 w! F
图为两个温控电路，现在要合在一起，请问怎么接？我实在没思路了。。。4 ]; U9 Y2 ~0 J$ M' u) U

电感计算.png (63.75 KB, 下载次数: 13)

电感计算.png

计算结果.png (13.35 KB, 下载次数: 11)

计算结果.png

0度关断.jpg (49.78 KB, 下载次数: 13)

0度关断.jpg

45度关断.png (129.16 KB, 下载次数: 14)

45度关断.png

0度关断.jpg (49.78 KB, 下载次数: 13)

0度关断.jpg

45度关断.png (129.16 KB, 下载次数: 13)

45度关断.png
作者: wanghairui168    时间: 2020-9-26 16:53
多了，其实只有0度和45度关断，这两个怎么在组成一个电路；
作者: wanghairui168    时间: 2020-9-26 17:26
图太多了，怎么删除？7 u, L$ ?2 W" C, N8 K
作者: canatto    时间: 2020-9-27 02:13
两个三极管叠放、共用一个MOSFET，就可实现双温限控制。见图。
2 d% T2 s  k/ ~3 K3 _, X  Y) i! R5 r, O+ i# \/ n2 j" p
不过，你这个温控判断电路不具有徊差特性，在临界温度附近动作会很不稳定， MOSFET会进入高功耗线性工作状态，可能烧毁。建议增加两个正反馈电阻， R0，R45，建立徊差翻转特性。具体阻值自己计算或仿真，大概100K以上，几百K以内。
& U/ l0 `) E: ?# K
. C8 S7 u: @8 Q- W4 H3 _+ X

dual_temp.png (132.56 KB, 下载次数: 15)

dual_temp.png

dual_temp_hys.png (134.04 KB, 下载次数: 15)

dual_temp_hys.png
作者: 布衣    时间: 2020-9-27 08:36
都是些高手，学习了。
作者: wanghairui168    时间: 2020-9-28 00:52
canatto 发表于 2020-9-27 02:13+ R! S7 s" L1 j
两个三极管叠放、共用一个MOSFET，就可实现双温限控制。见图。4 S- x% F2 d1 N0 Z
+ t) U' S. D0 M% h7 u3 y" A& R( l
不过，你这个温控判断电路不具有徊差特性 ...
! x( _. f) c( F9 F5 p+ X5 Y$ N

$ z4 u$ z+ m. |非常感谢版主，EDA有你更美好！3 o: l& E) T' |9 D; P4 M8 N$ Q/ j- O

& y' Z* V2 k, S) A' w请问您一下，正反馈的目的是取值给后极做为参考，这个计算的方式是？或者逻辑是？小弟不是电子专业的，正在努力学习中。
7 C. e8 o; p6 V; K* H- ^9 ^! i
作者: canatto    时间: 2020-9-28 03:15
wanghairui168 发表于 2020-9-28 00:52
8 _9 w/ V2 @% ?6 b非常感谢版主，EDA有你更美好！
* g9 z# ]$ l( j3 f
: e5 b5 i: W" [" J+ ~请问您一下，正反馈的目的是取值给后极做为参考，这个计算的方式是 ...

6 I$ i4 i1 E( I5 m# C正反馈的作用是为了得到如图红线所示的输入输出特性。设计针对模拟量的通-断控制时，通常希望有一个反向死区，叫做徊差，图中46-44=2度就是徊差。这里44、46 只是个比方，可以自己根据需要另行设计。通常不希望电路工作在橙色阴影区域、半通不断的会有许多麻烦。图中这个特性的意思是，当温度达到46度时MOSFET切断，一旦切断，只有当温度降低到44度才会再导通，一旦导通.....你就知道了吧？) {0 R: y" d3 j  ~
如果没有R45，输入-输出特性会是一条通过坐标原点的斜直线，斜贯橙色阴影区。有了R45，输出电压Vout以正反馈方式参与决定三极管Q5的基极偏置电流，输入-输出特性就不再是一条线，而会变得趋近附图的特性。当然不会真的那么理想化。
% p7 E! K3 F& M9 B! Y对于非电子专业，可能最可行的办法是利用仿真软件设计，用试错法发现规律，在最短的时间内彻底理解电路工作原理。
! G9 ]* ~0 s% r  \! X7 b+ _

hesteresis_IO.png (20.03 KB, 下载次数: 15)

hesteresis_IO.png
作者: baihua2010    时间: 2020-9-28 09:02
这头像，看着有点吓人
作者: wanghairui168    时间: 2020-9-28 13:42
。。版主，没有逻辑。。查了很多都是运放的，vout=vcc*(1+R1/R45)。。。
, h3 y' t2 p* q# d试错的机率都没有
作者: wanghairui168    时间: 2020-9-28 17:17
正反馈主要调哪些参数？Ib电流？还是？
作者: liszt94    时间: 2020-9-29 11:02
大家怎么看待这种WiFi信号增强器?哪位大神讲解一下这个电路原理图求解装了16.6再装17.2卡在configuring system请问，晶振下方走自身的信号线，会有问题吗？ADI出版的新概念晶体管大家可以学习一下，挺好的两本书电子工程师面试题，看看自己能打多少分？硬件设计必备——华为模拟电路设计（全）数字示波器使用FFT进行频谱分析的教学​Everspin MRAM MR25H40VDF替换富士通FRAM MB85RS4MT芯片型号求助！温控电路（求解）
作者: canatto    时间: 2020-9-30 08:14
wanghairui168 发表于 2020-9-28 17:173 Q/ G' @& `* Q5 \
正反馈主要调哪些参数？Ib电流？还是？

% I1 d( c3 P, M6 D# |  y用45度那个电路做个例子仿真，加与不加正反馈，控制特性有明显区别。仿真电路中，热敏电阻用一个时变电阻取代，专门考查它在2550欧至2850欧之间变化时电路输出电压随阻值的变化。可以看出，加了正反馈电阻，控制特性明显陡峭很多，控制徊差在170欧左右，相当于大约1.7度的温度差，不加正反馈电阻，控制徊差只有不到25欧，相当于大约0.25度的温度差。
% z0 M# Y% b8 Y9 c/ M
  @) ^8 K6 L, a7 Z; }2 A) Q7 d# Z* l3 r7 C2 {6 c
9 t" S# h+ n- [. n. K
8 R* l' X" M; x! k& Y  ?7 C% l8 O, U; b

2 x5 Q. C& V/ j' D9 S3 c



欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2