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标题:
关于DDR2终端电阻的添加?
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作者:
忘顰
时间:
2010-8-2 10:02
标题:
关于DDR2终端电阻的添加?
如题:
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DDR2到底需要添加终端电阻不?
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& v2 a. J5 c b2 M& m5 M' ^
* ~ V: @( e# I8 @1 G
DDR2中有个ODTPIN, 是内建核心的终结电阻器,资料上显示DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。作用:DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。
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2 q5 ?/ j5 p: ~; q
但是一些DDR2的实例显示要使能跑起来需要在外部添加终端电阻。
7 K. {+ v& n5 J% u; k+ e( b
4 l1 j- r: Z' P9 z! x; I+ v
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?或者是什么情况下需要?什么情况下不需要?
作者:
cwfang
时间:
2010-8-2 16:28
回复
1#
忘顰
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2 k5 c; {2 u" w$ X0 I: }
帮你顶起,这个问题我也想知道,如果使用了odt,那读ddr2的数据,要不要匹配电阻,怎么匹配?
作者:
liqiangln
时间:
2010-8-5 09:28
首先明确ODT是针对数据线的,还要明确数据线是大多数1对1的(不过也有通过/CS来区分1:2的情况)。
. s3 J* C; X3 y( Z- M! O6 B3 _- Y/ ?
DDRII数据线可以不用外部上拉电阻。但是地址/控制线在颗粒多于2的情况下,需要增加上拉电阻,因为地址/控制线没有ODT功能。
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“DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。”
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Qiang:个人解释一下,就是说明数据线是处于1:2的情况下,这个时候不工作的DRAM相当于工作DRAM的远端节点,而打开远端结点的ODT功能,工作的确没打开,这个是菊花链匹配的效果(可以研究一下菊花链匹配的反射计算)。如果打开工作的ODT,而未工作的ODT没打开,就是一段线的反射(影响的效果跟速率与线长有关,此时是线太长了)。如果同时打开,相当于端接电阻变小49.9/2 = 25 Ohm,端接不匹配。
作者:
cwfang
时间:
2010-8-5 11:32
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3#
liqiangln
5 M1 G; |$ n: g: O3 r/ p7 ^
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* V/ C( A! }( n$ @, {, c) x8 C+ l1 w
版主,ODT就相当于是内部并行端接吧。那是不是应该就是相对于ddr2那一端的,也就是谢数据的时候进行的匹配。但如果读数据的时候,就是ddr2作为驱动端呢?odt还有用吗?
作者:
liqiangln
时间:
2010-8-5 12:34
读数据的时候ODT是关闭的。
6 m5 \/ ?1 p3 ]' {, s
是在写数据的时候,才会开启的,看看手册的时序图。
作者:
huhuhuhu
时间:
2010-8-5 12:54
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?
9 U$ s9 J8 @5 x6 F0 u
---肯定要加,防止信号反射,详细查阅有关资料。
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或者是什么情况下需要?
# q; U5 A) @9 i- a
---工作就需要
% y7 f( F, j% N2 w6 j. T
" A; o3 J4 L3 n9 f( }" F. n
什么情况下不需要?
$ A5 F7 M, J( m
---为什希望不要加上了?
作者:
cwfang
时间:
2010-8-5 14:11
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5#
liqiangln
: T& A, W% p/ j
7 |4 L: s; O9 |7 B! i
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这个我知道,那读数据的时候,岂不是要外部匹配?
作者:
czypf
时间:
2011-9-9 13:34
很想知道这个问题的答案,因为公司做了一款,软件上可以把ODT关掉,降低功耗,求详解。
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