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标题: 菜鸟提问，电路中EEPROM和FALSH的作用 [打印本页]
作者: 阿科GL    时间: 2010-7-11 00:34
标题: 菜鸟提问，电路中EEPROM和FALSH的作用
很多电路中EEPROM和FALSH都会配合MCU使用，但一直不明白其作用，请大家帮忙解释下，谢谢
作者: 00750    时间: 2010-7-11 10:54
一些MCU片上不带程序存储器，可执行代码只能放在外面的EEPROM、FLASH中，另外，有时也可以用来存储一些参数，保存一些掉电后需要保存的数据等。
作者: zangyongchang    时间: 2010-8-9 17:18
EEPROM可读可写，一般保存当前工作状态。例：电视机中用户改了音量值之后，这个值就是保存在这里的，当再次开机时，系统就会先把这个值读到然后音量设置到关机前的状态，当用户再次更改音量时，这个值会被重新改写。! {: Y  n. U9 p0 J5 I" ~
如果没有EEPROM，就不能保存用户更改的值了，那每次开机都是最原始的数据，。3 A/ ~" _9 L% T8 G; A1 F) |5 |
FLASH是只读，程序都是存在这里面。
作者: lixc2008    时间: 2010-8-10 14:40
EEPROM可读可写，一般保存当前工作状态。例：电视机中用户改了音量值之后，这个值就是保存在这里的，当再次 ...4 ^! O7 L- o  Q+ M) ?
zangyongchang 发表于 2010-8-9 17:18

. x: L$ ~* o3 w% k
0 |0 \  w; }$ w( t* O
5 u: [, L* G3 P- ?/ o# c    小心遭误导，EEPROM容量小，一般存储程序段，使用I2C通信协议，ROM都是指只读存储器，EEPROM是电可擦除可编程只读存储器，所以无法存储临时数据
9 U8 |( S9 M& }  Q' y( jFlash分NOR Flash和NAND Flash，都可以用于SPI，容量较大，NOR Flash一般用来存储程序，速度不及NAND Flash，可以进行读写操作
作者: liqiangln    时间: 2010-8-10 15:30
容量大小，数据读写速率是主要的区别。
: ^& V4 r$ C4 V1 }( a( |. K" i: t3 M. i! N
举几个例子： 都可以做CPU/ASIC芯片的启动程序，比如PHY ,SW 常用EEPROM，因为代码小吗，256K之内就够了；但是CPU的起动代码通常EEPROM搞不定，而且CPU通常还有操作系统，可以存在EEPROM（BOOT）+FPASH（system）的模式，但是一眼看去，不如把FLASH分区，把2部分东西都装下。
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EEPROM通常还有就是存单板信息，厂家信息，PCB信息，MAC地址这些，配置信息这些基本的东西，通常是在工厂烧入，然后焊接在单板上，就跟你在单板打丝印一样，就是个标识。
作者: zangyongchang    时间: 2010-8-10 18:25
回复 4# lixc2008
5 x. V% i1 A8 P; }5 H0 V1 }
6 ~+ O- n+ J" _, p" }$ N& e1 P; M. V0 W
    你才该去补习一下，容量大小跟能不能存临时数据有啥关系？保存一些状态只是一些16进制的数字，占用容量非常小。
2 Z% o. N9 v' I6 q: R) tEERPOM绝大部分都是用来保存状态的。用的是IIC通信是对的。8 Y% r1 |1 C! A% w
我做电视开发有5年了，电视机都是么用的，还有就是单片机也都是用EERPOM保存临时数据。
. u2 |9 x1 X2 _你一定没做过单片机吧。
作者: zangyongchang    时间: 2010-8-10 18:36
小心遭误导，EEPROM容量小，一般存储程序段，使用I2C通信协议，ROM都是指只读存储器，EEPROM是电 ...; ~, l" G  E" P( w& `, e
lixc2008 发表于 2010-8-10 14:40

9 {: r  Q' M$ C0 C- ?# Z/ H( [6 b9 a2 K/ ^' Z

0 O* F9 @, u/ _6 b# j; H4 d  W* @    NAND FLASH分SLC和MLC现在很多程序也在用SLC的NAND FLASH。
# B1 P' g4 H' x什么是SLC和MLC
/ }' Q6 K- U# |) W    要认清问题，首先要搞明白什么是SLC和MLC，它们属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MCL的数据密度要比SLC大一倍。
8 s8 e" J0 [+ i. `# L! N: m* m" g% F    从名次解释上来看，当然MLC密度要大，自然有其优势，成本上来说，MLC也具有很大的优势。据了解，不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程，今年8月，三星正式从SLC转向MLC，今年10月份，三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。目前三星采用的芯片编号为K9G******   K9L*****的芯片为MLC芯片，而现代采用编号为：HYUU****   HYUV***芯片也是MLC芯片。
; K4 Q+ `* \+ E; s. Q2 T    不过尽管MLC有其自身的优势，但是也掩饰不了其缺点。; t+ E& `" f7 j
1、读写效能较差
/ ?* P- l% V. B4 U  O, ]相比SLC闪存，MLC的读写效能要差，SLC闪存约可以反复读写10万次左右，而MLC则大约只能读写1万次左右，甚至有部分产品只能达到5000次左右。/ J' N/ V2 b7 X( u$ R2 ~
2、读写速度较慢. R/ d" q& i6 q' C9 a5 \2 p6 y* V
在相同条件下，MLC的读写速度要比SLC芯片慢，目前MLC芯片速度大约只有2M左右。
1 o) M, }1 o' E3、能耗较高/ P, `. |( y1 `6 O7 c6 Z
在相同使用条件下，MLC能耗比SLC高，要多15％左右的电流消耗。
" G- \/ e4 X( y) k& |8 g, c0 ~2 l0 L    这些原因，很大程度上是取决于MLC制式改变，需要新的控制芯片支持，而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计，MLC就会带来各种问题，包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。今年大批量SD卡被招回的风波，就是因为转用MLC芯片，没有新的主控芯片支持惹的祸，造成了很大的影响。1 w  _! [4 Q* m# Y* \4 n
    随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产，MLC芯片应用也越来约广泛，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备控制芯片和ECC校验机制，目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bit ECC校验和软件校验相结合，从而减轻了主控负担，但是这只是在一定程度上减少出错的几率，MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。% w+ N  V, C: U
    MLC在架构上取胜SLC，很多厂商目前都MLC做了很多的优化和开发，未来可能将是一个主流方向，但目前来说技术还不是很成熟。而成本上来说，MLC要便宜SLC芯片，所以不少厂商在原有架构上选用了MLC芯片，但却没有增加控制芯片或者ECC校验，使得不少问题则由此而生，使得不少行业人士也惊呼MLC为“黑芯”。所以目前大家在选购MP3、闪存盘等数码产品的时候，不能一味的只看价格，而需要更多层面的去考虑。到底选择SLC还是MLC芯片好？我们欢迎大家在下面发表自己的评论。
作者: wuyuelanse    时间: 2010-8-20 15:34
支持3楼说法  正解！！！！！
作者: zslic78    时间: 2010-10-25 11:05
支持楼上正解



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