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标题: 32Mb高速低功耗异步SRAM [打印本页]
作者: 英尚微电子    时间: 2020-5-27 14:28
标题: 32Mb高速低功耗异步SRAM
ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的访问时间。
; m8 j2 W; g' J: r 8 x  Q, m/ P  J, N  g7 S
ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。+ x% _4 P% _" N3 @- M3 C( l; K
6 `4 |# p7 L" L" p5 j
这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
. L3 P# d/ y6 H  P+ V0 }
5 [, X4 ?7 K5 S! R4 P/ M9 ]( a当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。3 s$ @# @1 D) L6 S0 G4 P
. W' a; p/ M8 |2 b' t# S8 p4 h. m# C
该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPE I）和48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装，应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。
4 x# f% o' w& y3 v$ O/ ~5 i  s1 @* E, k" Y, A/ i. [% g0 h+ y
% B+ G% p7 O2 w1 @/ H
IS61WV204816BLL (I)
IS64WV204816BLL (A3)
注释
温度支持
工业# X1 R& h1 x% C# o) `% d
(-40°C to +85°C)
汽车, Z2 w5 X& g1 _
(-40°C to +125°C)

2 T8 }! d0 D; G, z+ `
技术
40nm
40nm

3 P+ y1 r' |6 Y6 ~5 t
电源电压
2.4V ~ 3.6V
2.4V ~ 3.6V
4 h! z3 D  X% u' j& s0 [- Y% c( ~, B4 E" k
工作电流（最大）
100mA
135mA
4 u5 e" ?' c2 n2 O
待机电流（Typ）
10mA
10mA
& o8 V6 O9 t3 T$ O9 b) Q0 z/ \
包装
TSOP-I（48针）
3 T9 t/ J" f* W( r0 m# }BGA（48球）
TSOP-I（48针）
) L; N( W% T7 |' xBGA（48球）
引脚兼容
6 o5 P4 d% N: W1 k, v0 Y% g' B16Mb异步SRAM
速度
10ns
12ns

. T5 e( N, K! S& u6 S3 h) i
铜引线框
是
是
% r+ a* K, z* [" i
无铅PKG
是
是
符合RoHS

0 l9 _+ w: u4 `% }* H  M2 Z7 |! E
. n! \' C  H3 u, KSRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
2 ]3 P2 D3 ]2 Y* E7 I- e' ~ $ t1 |7 f' m, U
待机模式
' y; N4 k# t  e9 z6 b9 t取消选择时，设备进入待机模式（CS＃高）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。, E9 R* i. V0 Q7 c) S9 }' L; m. C

& ?9 X" ^3 I' t5 c& I写模式! S6 v6 t& e  \: s. }
选择芯片（CS＃）且写使能（WE＃）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过将LB＃设为低电平，将来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。0 L0 i' L) _& |8 B6 O$ C# _
+ G! U  d( o: Y5 E! {9 x, w
读取模式. \; z9 L! Y0 c5 b) C; }
选择芯片时（CS＃为低电平），写使能（WE＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE＃为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB＃和LB＃启用字节读取功能。通过启用LB＃LOW，来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB＃为低电平时，来自内存的数据出现在I / O8-15上。
- O7 W: T- i) }( L
3 w+ G1 u2 J9 r在读取模式下，可以通过将OE＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。3 W. q5 r, |2 g5 Y0 H# E3 n
, t! Z$ o( n' ], s
上电初始化1 N. t0 ^1 w5 a
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。
/ K. K8 j) ]# u! [$ U" M  F当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。& V* d7 v) |9 n) Y5 ]
初始化完成后，设备即可正常运行。
& N( B: G  _: T& y
7 N5 b- w. W/ g: [, u$ m" j
& y  c3 P; n6 c  t% I1 R规格书下载1 v5 a1 X1 I4 s/ v7 b4 G) w
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf (868.1 KB, 下载次数: 0)
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作者: 英尚微电子    时间: 2020-5-27 14:29
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ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的访问时间。
作者: 英尚微电子    时间: 2020-5-27 14:34
SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。



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