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标题: 分享一款超低功耗CMOS 16Mbit SRAM [打印本页]
作者: 英尚微电子    时间: 2020-5-26 14:43
标题: 分享一款超低功耗CMOS 16Mbit SRAM
美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。
: T, c3 O9 P  s  o; E8 {
$ j% f2 \0 m; D; K# u' j功能说明. v# t/ v' K2 `0 E- h
SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。( `) d3 x) b! e# j$ Y
. F9 F& a1 T4 l- p8 k; [9 r1 U& w
待机模式. E0 ~* Z1 a# U4 |
取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
7 A3 x% ^( R0 c1 H4 {   b8 S- P7 f# x6 k
写模式3 D9 ]9 X8 W/ C
选择芯片时（LOW和CS2 HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据被写入该位置。+ l) C% B+ P# \7 [
" O! ~& L' T% M* B
在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。& c& l( k, v! t. @
3 |: T" e# l1 S  `$ S. u9 {
读取模式% r! ]5 R" j2 ?. u: l9 K
选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I / O8-15上。& t5 C7 V* ?) Z# G/ O' Q4 G8 ?

7 e2 [) p5 @. K5 q. K  i在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。. c. J# A- h- u9 W( ]. S
% c' I/ u: b, H+ Q7 f( @* u6 y. d
工作温度范围* |; ^7 C' d4 d
商用工作温度为0°C至+ 70°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V$ j$ {; [$ N  Z
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V) P' L: L/ F5 L' d% H* D/ l; [6 W
汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C，电压为2.2V 3.3V 3.6V
0 j0 I, ~9 z; J3 [6 L3 R7 g$ Z& M# N% x+ q$ z: N4 Q
ISSI 低功耗SRAM7 G8 p; q( b; k  n# o5 \+ [
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62-65WV102416DALL-DBLL.pdf (1.13 MB, 下载次数: 0)
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作者: ExxNEN    时间: 2020-5-26 16:15
一款超低功耗CMOS



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