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标题: 射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异 [打印本页]

作者: cscscwww 时间: 2020-5-15 10:38
标题: 射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异
试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。
晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。

作者: sisisisisisiwww 时间: 2020-5-15 11:28
场效应管是单极性器件，只有一种载流子对通道电流做出贡献，属于压控器件，通过栅极-源极的电压控制源极_漏极电流变化;使用GaAS半导体材料MISFET的截止频率可以达到60- -70GHz,，HEMT可以超过 100GHz，因此在射频电路设计中经常选用它们作为有源器件使用;双极型晶体管分为PNP和NPN两种类型，其主要区别在于各级的参杂类型不一致，属于电流控制器件，正常工作时，基极-发射极处于正偏，基极- 发射极处于反偏;通过提高掺杂浓度和使用交指结构，可以提高其截止频率，使其可以在整个射频频段都能正常工作. 大信号模型是一个非线性模型，晶体管内部的等效的结电容和结电阻会发生变化，小信号模型是一个线性模型，可认为晶体管的个参数保持不变。能使用晶体管的大信号模型分析射频小信号。

作者: keep 时间: 2020-5-15 19:49
能使用晶体管的大信号模型分析射频小信号。

作者: grand 时间: 2020-5-15 19:53
双极型晶体管分为PNP和NPN两种类型，其主要区别在于各级的参杂类型不一致，属于电流控制器件，正常工作时，基极-发射极处于正偏，基极- 发射极处于反偏;通过提高掺杂浓度和使用交指结构

作者: updown 时间: 2020-5-15 20:09
使用GaAS半导体材料MISFET的截止频率可以达到60- -70GHz,，HEMT可以超过 100GHz，因此在射频电路设计中经常选用它们作为有源器件使用;双极型晶体管分为PNP和NPN两种类型，其主要区别在于各级的参杂类型不一致，属于电流控制器件，正常工作时，基极-发射极处于正偏，基极- 发射极处于反偏;通过提高掺杂浓度和使用交指结构

作者: fever123 时间: 2020-5-15 20:35
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