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标题: M24LR EEPROM写周期耐久性不可靠 [打印本页]

作者: 刘工在呢 时间: 2020-4-28 10:27
标题: M24LR EEPROM写周期耐久性不可靠
我正在研究一个项目是使用M24LR NFC设备作为目标温度传感MCU和CR95HF阅读器之间的中间通信设备。我们不需要“高带宽”吞吐量，只是偶尔需要通过M24LR“RF可见”eeprom存储器传输数据。我们想知道是否需要对数据包采用前向纠错，因为我们不确定EEPROM的可靠性。该数据表引用了1,000,000个周期的“最大写入耐久性循环耐久性”。这个数字是否意味着在预期发生单个故障之前，可以对eeprom块（4个字节）执行1,000,000个擦除/写入周期？我们需要一个FEC系统吗？我们应该采用“磨损均衡”技术来循环记忆而不是连续写入同一区域吗？任何关于此事的澄清将不胜感激。

作者: wohenk 时间: 2020-4-28 11:18
如数据表中所述，1,000,000个周期的“最大写周期耐久性”表示一个存储单元的最大写周期值（写入不保证高于此阈值）。
1个写周期意味着同时写入1个字节，2个字节，3个字节或4个字节（1页）。
如果单元的写周期总数低于最大写循环值，则可以在没有任何约束的情况下写入数据。否则，应使用特定的写入程序（数据重新分配策略）。
请注意，对于25摄氏度的工作温度，给出1,000,000个循环值。温度上升时，循环耐久性会下降。例如，最大循环耐久性在85℃时减少到150k写入。

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