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标题: FPGA导出的IBIS模型如何编辑修改差分的模型？ [打印本页]
作者: mengzhuhao    时间: 2020-3-20 10:48
标题: FPGA导出的IBIS模型如何编辑修改差分的模型？
FPGA导出的IBIS模型如何编辑修改差分的模型？( s# |( H* d' k" p: C# R1 K
! b8 A! ^! @1 [5 ^# |6 @
发现导出来的默认没有差分定义的模型（虽然IO分配上定义差分对）% g& A" ]7 P" x" T
如果只是在IBIS文件上手动添加 差分对管脚是否够用？1 f: z* d9 o* p7 r# L4 z; C7 o
[Model]        DQ_FULL_800& \- t2 P  Q, q; A. q: k
Model_type     I/O5 Y6 ^, R) L# p, }3 ]2 b2 Q3 n- c0 X9 U
|6 _8 ^1 F  A, Q% A; y" D% q7 |* z  M
Vinl = 700.000mV
, N' |$ g$ c  @- lVinh = 1.100V# Q" K5 A3 }6 Z. a9 I5 f, @8 n
Vmeas = 900.000mV
; K! y+ ]% v/ z' v( I2 k' {Vref = 900.000mV
8 e5 _! |7 u% w1 m2 x) ^Cref = 0.000pF
( K. C# l' @  YRref = 25.000Ohm
9 ^! M( X  ?6 n+ U0 l8 F1 N|
; ?5 D# @) e. O3 e) O" t|                            typ                 min                 max( I5 B7 M. ^$ |, _- K( P4 C
|& P: R7 C) L  ]1 Q# t+ u
C_comp                      2.466pF             2.316pF             2.616pF
) ]/ {, R* n0 S3 ?# M; ^1 b# x|
7 i1 H- y$ |( Y' R( Z+ S[Model Spec]( Z! g% ], N1 {9 O0 x" d
| Input threshold voltage corners
1 a& j7 S" W6 t, WVinl                        0.700V              0.650V              0.750V
0 v. ]- L; d6 R( g, D# VVinh                        1.100V              1.050V              1.150V% \' g4 n) ~" z. G* Y5 y0 r
|
2 T8 o4 Y1 f. S7 k, I8 J; l| Measurement voltage corners
! x9 ~! G/ ~+ M2 C' ^4 l( l. WVmeas                       0.900V              0.850V              0.950V- [0 H) ~& j- h' K' O
|
9 C( I5 H  f7 {9 k| Timing spec test load voltage corners
6 o( ^4 f- j2 x1 rVref                        0.900V              0.850V              0.950V: e5 z2 \" `7 p6 Y5 C& c8 s1 B/ O
|
# G, y0 X+ `4 d# ]  b7 F  g4 e[Receiver Thresholds]  6 W7 A8 a" n! ~- ^, P$ s( Q0 w4 {
Vth      =  0.900V% G% y/ v; b5 {. n7 }
Vth_min  =  0.882V
1 }* s6 Q6 M8 H5 CVth_max  =  0.918V, ?' }, Q3 j. e- h% I1 f5 X
Vinh_ac  =  0.200V
) t2 }- z3 z9 R( _Vinh_dc  =  0.125V  t& r& R7 |7 K# }  l3 |; ^$ d4 g
Vinl_ac  = -0.200V% ~5 h& L, ]* u$ R3 I; I( l( U- R4 E0 Y
Vinl_dc  = -0.125V
9 C( r7 X4 V+ i! V3 fTslew_ac =  5.000ns |Not specified, so set to high value: G4 U4 l. A( p7 K( Q, Z
Threshold_sensitivity = 0.509 [: f+ i  [9 P! Y! {/ J" C
Reference_supply Pullup_ref
: k- T- F* Z  P7 D& ~7 k" r|& c) D) Y: [7 |! v0 E
[Voltage Range]             1.800V              1.700V              1.900V
* @8 M/ _" R# R6 C[Pullup Reference]          1.800V              1.700V              1.900V; l) J% G8 Y9 e6 n
| Junction Temperature (Ambient temp is 35C typ, 105C min, -40C max)
& s$ g" @- c0 Q. k& I[Temperature Range]        50.0               120.0               -40.03 V7 M7 \' ~$ P  P( S# @) G
|& b6 ?4 j: c+ B7 V; K
|***************************************************************************
. g- T# k) J/ N" a4 k5 W+ m8 J# i! F0 f; L% S( e
[Model]        DQS_FULL_800' u8 g6 w) v$ ]5 v5 o" [" |
Model_type     I/O
) T6 z, w" w& c: y* W1 k|
( ?5 O+ [0 _; j7 }0 Y7 YVinl = 700.000mV
- |! S' R: `2 V, I0 S( BVinh = 1.100V
4 ?1 f- I5 L- a! B8 PVmeas = 900.000mV( b5 b, H& g. y7 g
Vref = 900.000mV2 P$ \( r1 m6 M8 Z
Cref = 0.000pF
& ~' W* _6 {* p* h' R9 C# xRref = 25.000Ohm
5 @. t, W2 _; L* z|! s, O3 k6 t. V% ]
|                            typ                 min                 max* [9 D5 t0 L# x  ^. x8 h, z0 a
|* V$ ^' ~0 x* _+ f/ i9 ?
C_comp                      2.466pF             2.316pF             2.616pF7 f6 q) @' ~: H' p1 z
|
% k2 r# n+ S, I! L0 C9 ]# X[Model Spec]
, V4 r: X; y9 Z1 U6 V8 p3 j3 U$ H# K| Input threshold voltage corners1 m0 R6 O$ Q8 P2 |8 G+ F# a
Vinl                        0.700V              0.650V              0.750V5 {) s1 u; w- k. T8 @) p# A* Y0 R
Vinh                        1.100V              1.050V              1.150V) V4 d- a" ]5 l$ T7 @( j7 S
|5 }1 n* u4 u$ s' Q, E" h& r
| Measurement voltage corners' i0 Y4 w# g$ v
Vmeas                       0.900V              0.850V              0.950V% |5 P# N/ L/ P% ]3 |7 ~
|
% S. i  n+ ^$ T: ]# G| Timing spec test load voltage corners
7 L1 k% m3 p# b6 F6 d# j1 C' ^Vref                        0.900V              0.850V              0.950V# o1 ~$ I$ O& ^9 |: X
|4 r3 b* K7 @5 Q) `& |
[Receiver Thresholds]  
$ L4 Z3 ^: E, e# i. u) s3 G. z|Vth      =  0.900V
% A, y4 u! k; s& @1 q|Vth_min  =  0.882V
3 F4 o0 {, U" g  C1 g" C|Vth_max  =  0.918V4 l4 h$ @; T4 d1 F* e  u& N
|Vinh_ac  =  0.200V. h$ Z/ I1 _9 L3 _& T' J$ J& R) G* K
|Vinh_dc  =  0.125V, ~- p2 [, Z+ J9 x5 H/ X
|Vinl_ac  = -0.200V
* I% u6 y  r3 Q& Y/ K- @|Vinl_dc  = -0.125V
+ [& M4 v- i! }1 B5 ], h& X|Tslew_ac =  5.000ns |Not specified, so set to high value
4 f# i' i- }1 \|Threshold_sensitivity = 0.50
0 ~/ L' F- C( A4 g|Reference_supply Pullup_ref7 u8 A4 M8 B* g
|
3 g; b3 z5 S7 H0 n  k  t& v9 T|NOTE: If using the IBISCHK 4.2.1 or older parser, Differential receiver
* n4 U2 y" `1 q  v! C# ^6 F|threshold parameters must be commented out because the parser generates
6 f6 ^* z% ^0 {( {|errors for multiple differential models.
/ y* X- e; |/ C8 n( l2 B|( M6 t2 f; _4 }  L; }* \
Vcross_low   = 0.675V; O. K# h8 a( T! L+ i  w
Vcross_high  = 1.125V
: T3 \' j9 z- b$ XVdiff_ac     = 500mV) C# e- E: E6 }
Vdiff_dc     = 250mV
$ M# c* C  G! y' ~3 M" OTdiffslew_ac = 5.000ns |Not specified, so set to high value
0 j+ N9 u' d9 q- B. F7 `|
- r2 c; w3 E8 {0 X: d! X. V[Voltage Range]             1.800V              1.700V              1.900V
9 ]/ Z( I- Z3 [$ t; k1 E[Pullup Reference]          1.800V              1.700V              1.900V
# E" Z- H4 r' `/ g0 X| Junction Temperature (Ambient temp is 35C typ, 105C min, -40C max)
0 ]5 m! @/ G3 X9 x: W' ^; I+ {7 L8 k[Temperature Range]        50.0               120.0               -40.0  f6 j" A+ W4 `5 |6 Z# J& O9 E( @8 g
|' k8 e, A7 V2 }) p- l7 w
|***************************************************************************
3 g1 N9 l5 n: K- I1 \|
- t' X' s5 D# O& Y1 Q# x3 y* R; P! u7 M% g' n; D" f
这是从 美光DDR2的IBIS模型里面截取出来的，对着DQ与DQS在模型上的定义
4 c" ^2 e2 c2 c/ N! d0 V$ _* A
1 T: \7 ]$ X, G5 [# f' M' @
6 u& H* h6 c2 x$ p$ x* Z! x====================================================================================
. Q7 c/ R; L! N6 l5 K! X; `/ s. v1 X6 j: G. J7 T/ O, P
8 J& b! a" F; u* V' v
手动修改编辑成下面的这样的时候发现编辑器会提示错误3 n' s4 o. E9 J5 ~+ \
|: j" u+ y+ Z+ F  X
[Model Selector] DQ% j) e4 E/ i4 k5 ]6 ?
|
" B  p4 }  ^9 q8 K4 r) ADQ_SSTL18_II_F_HR! s' r# |7 f9 {  w
DQ_SSTL18_II_S_HR
5 M( W4 B5 _" W5 N" `8 e* gDQ_SSTL18_II_F_HR_IN50. h/ c# ^6 z* W, z1 U
DQ_LVCMOS18_F_4_HR/ ]$ |8 ]; b( ]3 e: {) y
DQ_LVCMOS18_F_8_HR
6 S# ?/ w  z' `. I  J' b7 Q|
) P0 B$ w; w5 G9 I[Model Selector] DQS5 {% O, a; C/ d/ J# D: [
|2 ^- Y$ l; }  b9 o2 {
DQS_SSTL18_II_F_HR5 I4 ~: e8 p$ U9 F7 Z/ K8 k) K( z$ u
DQS_SSTL18_II_F_HR_IN50  Q8 o) c+ ?: d2 q8 U' F8 @+ O. G
* z) u: j, }$ h; w2 S
ibis编辑器检查的时候发现提示的错误是：incorrect number of line items for keyword model selector expecting 2" }& x: F8 A$ L7 H1 _2 O
作者: dzkcool    时间: 2020-3-21 09:47
光这么看看不出什么问题，要对照ibis规范好好检查一下



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