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标题:
请各位帮忙分析一个DC-DC电源芯片的失效现象,多谢了!
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作者:
YNhhU
时间:
2020-3-19 13:43
标题:
请各位帮忙分析一个DC-DC电源芯片的失效现象,多谢了!
芯片简介:VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片,高边管有boot
电源
,采用国内0.5um BCD工艺,使用5V低压mos/12V dmos器件
& k( n0 d% V+ \& O5 O, @! l
失效条件:VIN=4V时,一切正常;VIN=5V时,反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。
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8 K+ Q0 i4 G! C: d; G. q7 l
8 _) J3 X/ }9 n% D
失效芯片的表现:1)功能正常但空载电流变大到几十上百mA;2)功能正常但关断电流变大到几十mA;3)功能不正常,无输出;4)VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样,是前面1~4项的一条或两条。
' K6 p6 M: V7 v
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% p o3 z* p4 H; Y! ~; u6 l! _
其它,部分损坏芯片VIN ESD烧毁,但是ESD实验可以过4kV,Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电,其它部位不明显。
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SW开关信号上冲下冲比较大,是功率管驱动能力太强了吗?
* e+ m: ]8 n1 S8 ]& [! F8 L) r
请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方,或者测试分析手段。
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" C* ` @1 d; F, W8 R+ C4 X0 W
! U, t; x! J) i3 R, q
在此谢过了!
7 @( ~1 |' A+ S% Z z+ _- I, K
作者:
一盆绿箩
时间:
2020-3-19 14:03
! \0 u1 s/ G3 A" l# w/ c; j3 f
可以FIB将驱动管砍掉一半看看
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