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标题: 3月12日【电巢直播间】《用数据说话—HFSS仿真实操案例讲解第二期》——答疑 [打印本页]

作者: EDADZE365    时间: 2020-3-17 09:46
标题: 3月12日【电巢直播间】《用数据说话—HFSS仿真实操案例讲解第二期》——答疑
本帖最后由 alexwang 于 2020-3-24 14:28 编辑 ' w5 j( Y  z, i; R" k
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何平华老师
EDA365射频、微波论坛特邀版主
原华为射频硬件首席设计专家

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30年行业产品研发经验,荣获多项PCT国际专利。曾创建华为射频PCB设计团队,在行业内率先将HFSS引入PCB设计领域;为射频与板级高速无源链路精准建模做出过突出贡献;为公司解决多项产品疑难及技术攻关问题。
曾荣获华为个人金牌奖一次、团队金牌奖两次。

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关于 3月12日何老师当天直播的问题,老师已经帮大家一一解答,现在整理如下,如果还有别的疑问,可以跟帖留言哈,关于何老师以及其他老师的课程回顾,可以下载电巢APP直接观看。
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问题一:这里Q值定义是?

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Q值就是传统的定义,处于最低自谐振频率的屏蔽腔,等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值,也等效于LC并联谐振电路的Q值,例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。

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我们看到本征仿真的自谐 振频率Q值也有100左右,看起来Q值也不低,但是屏蔽腔毕竟不是谐振腔,内部的PCB和元件不能正好形成合适的加载结构,所以Q100的本征模式是谐 振不起来的,所以不用关心。根据仿真经验,我们要关注那些Q值超过1000的自谐振频率。

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问题二:为什么缝隙越大,隔离度越大?

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因为屏蔽盖缝隙越大,屏蔽腔就会越开放些,开放的屏蔽腔会对外辐射能量,会降低自谐振的Q值,Q值会降到谐振不起来的适度。

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我们的前两步的仿真模型中,已经证明了屏蔽腔内部隔离度与自谐振密切相关:本征模式仿真的高Q值自谐振频点正好是隔离度劣化尖峰频点。

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所以缝隙越大,自谐振Q值越低,腔体越不容易谐振,那么隔离度就越高。

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问题三:请问Q值怎么定义呢?阻抗虚部除以整部?为什么Q 值高频率选择性高?
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谐振电路(或谐振结构)的Q值都是一样定义的。
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Q值就是传统的定义,处于最低自谐振频率的屏蔽腔,等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值,也等效于LC并联谐振电路的Q值,例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。

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这位网友问的都是基本理论,建议网友自己找相关资料学习,书上讲的肯定比何老师回答的更精确。

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问题四:结构越小自谐振频率越高吗?
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那当然是。

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无源射频微波电路有等比例缩放的特点。3D结构尺寸等比例变化,则特征曲线在频率轴上等比例平行移动。

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问题五:改如何增大近场磁场,而减小远场(四分之一波长以外)的辐射?

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没有描述清晰的场景,所以网友的这个问题无法回答。
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问题六:带孔缝的腔体能仿真自谐振频率吗? 用本征模求解?

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能仿真啊。
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对,是用本征模求解。
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但要设置好模型的边界条件,要与真实情况一致,否则仿真结果是不对的。

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如果能量会从孔缝辐射出去,那么就要在外面罩个较大的六面体空气盒,并将空气盒的六个面设置为辐射边界条件(吸收边界条件)。

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问题七:射频功放板也是有这种模型仿真吗?
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HFSS只能仿真无源电路,所以只能仿真没有电源的功放板。

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HFSS无法仿真有源电路,因此不能仿真功放板的有源参数,如功率、失真等。

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如有疑问可跟帖回复
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作者: 百里酚蓝    时间: 2020-3-18 18:05
本帖最后由 alexwang 于 2020-3-24 14:28 编辑
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: t+ u/ {; a6 B7 a7 e* `- ^" b* n9 N7 m老师您好,我想问一下在使用HFSS仿真平衡式SIW带通滤波器的时候,馈线的耦合长度应该怎么提取呢?
/ k* z+ z9 ^" e ! O2 H. s4 x# T: O& i9 \5 C
我看书中是这样的,但是我们仿真求得的是一个双谐振腔的滤波器,书中没有标明谐振腔的尺寸,是任意一个谐振腔都可以吗?
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于是我试着在本振模式下,对其中一个谐振腔的品质因素进行仿真,可是Q和耦合矩阵所求的的Q相距甚远,是因为模型不对吗?还是这种方法就有问题?
' ^7 S8 u: H+ C7 Y4 |  B因为我的模型图片上传不了,所以我把相关问题的链接放在下面,希望老师有空可以解答。
/ g) F/ V0 _* t1 |% I$ T: Nhttps://www.eda365.com/thread-327531-1-1.html
作者: saladrf    时间: 2020-3-31 16:27
怎么会有这么高的Q值?" O0 R  F7 a' G+ U
检查一下HFSS模型中的材料属性:Ro5880的介质损耗角?PCB铜箔的电导率?以及PCB铜箔的表面粗糙度。




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