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标题: 失效分析的一般程序 [打印本页]
作者: uperrua    时间: 2020-3-4 13:54
标题: 失效分析的一般程序
1、收集现场场数据5 I5 C' f1 v0 I& \, A" B

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2、电测并确定失效模式
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2 x7 M  P7 w7 O; a1 n$ J9 f电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
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, x7 l: B6 `& G: a; E6 N连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。
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电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。 $ r% q  b" v. i
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确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效,功能测试主要用于集成电路。 : W, Q: l  a* y+ m$ v1 l5 X

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三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下，有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测，结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。 7 n9 B% v9 W* m4 h
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3、非破坏检查
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X-Ray检测，即为在不破坏芯片情况下，利用X射线透视元器件(多方向及角度可选)，检测元器件的封装情况，如气泡、邦定线异常，晶粒尺寸，支架方向等。
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( t% E. W5 X8 P适用情境：检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout # I5 L4 Z9 [; Z: C9 ?. n
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8 a9 Q( L1 d/ Q9 l* b, d5 _' V优势：工期短，直观易分析劣势：获得信息有限
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7 T9 c; ?6 D9 u( ~+ B4 G局限性：0 I0 [& b  m4 ?
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1、相同批次的器件，不同封装生产线的器件内部形状略微不同；
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2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来，必须通过功能测试及其他试验获得。
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作者: ExxNEN    时间: 2020-3-4 17:10
失效分析的一般程序



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