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标题:
失效分析
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作者:
mytomorrow
时间:
2020-2-5 16:06
标题:
失效分析
. `1 O( ? a+ h" ~- y5 k. [- a
失效分析
! C8 Z' I3 t# E/ G2 W; I
失效分析的总章与目录。
) {3 B' z: f+ U$ a. ]. Q
5 e3 G M* B4 W. r4 f+ D
失效分析基础
+ n5 }: `/ e" q
l 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路
5 E7 f' h) m7 V
l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
4 A) C" `% Q: S$ H/ d8 u
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
4 ~# L9 G7 {0 A4 f
* |: U7 M) P: n
失效分析技术方法
3 |1 S' Z1 _) Z3 U
A、失效分析的原则
) F4 v' [# i8 M! i ~0 ?: A7 b$ T
* Z, @% n* _$ R
B、失效分析程序
* T9 \$ k8 a" B
l 完整的故障处理流程
l 整机和板级故障分析技术程序
l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
. R6 ~1 ~+ y/ e
* R3 f) ~# |2 r% z4 ^) t$ U$ d
C、失效信息收集的方法与具体工作内容
; {3 Y b! A& [7 t) A- }9 m# f# c
l 如何确定失效信息收集的关注点
l 样品信息需要包括的内容
l 失效现场外部信息的内容
l 信息收集表格示例
l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
+ k1 K1 x1 K- W: I: y: s
3 K8 q& I9 ]7 K" A& F
D、外观检查
* a+ Z1 | @6 B/ R. C2 s3 L; L
l 外观检查应该关注的哪些方面
l 外观检查发现问题示例
l 外观检查的仪器设备工具
: j1 N, O# x, s+ G1 }' D
3 r* Y" {9 c* p/ P2 p+ t. |1 X' j
E、电学测试
: }4 a7 S1 J* e8 b8 p
l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
l 电测的具体方法
l 几种典型电测结果的机理解析
l 电测时复现间歇性失效现象的示例
l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
l 电测的常用仪器设备
: j) [" a9 _) V
1 I; a# f" q0 p4 x# N0 o: K
F、X－RAY
2 |$ ]* k* M: A8 |1 c: r
l X-RAY的工作原理与设备技术指标
l 不同材料的不透明度比较
l X-RAY的用途
l X-RAY在失效分析中的示例
l X-RAY的优缺点
l X-RAY与C-SAM的比较
$ s( S/ `8 o1 Q4 F# {; @" _
) }6 a) C6 q. {' G. Z/ V7 l& V& I
G、C-SAM
, i7 h; ^; _4 T
l C-SAM的工作原理与设备技术指标
l C-SAM的特点与用途
l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
l C-SAM的优缺点
2 B; d- F8 p$ W1 M
! s( t2 \# R5 [' i
H、密封器件物理分析
- x' D" s% t& X$ X4 ?: q7 o+ u
l PIND介绍
l 气密性分析介绍
l 内部气氛分析介绍
I、开封制样
l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
l 化学开封发现器件内部失效点的示例
l 切片制样的具体方法与步骤
l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
4 B3 C1 Y3 E# s+ P& |
5 Q. i+ @- _9 f( R4 w8 o# d
J、芯片剥层
- C' J/ B$ Q2 G. p
l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
l 去除金属化层的具体方法与示例
% g1 R7 G8 J- c9 A- B X8 Z" @
5 b' j3 ]* R* E; g1 D
K、失效定位－SEM
9 G5 L! O6 f3 w
l SEM的工作原理与设备特点
l 光学显微镜与SEM的性能比较
l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
4 x0 g! ] D) R6 i9 H
/ h, c: \+ N5 V- L( [2 u6 q
L、失效定位－成份分析
' f4 q( n5 L: O* x* `& B
l 成份分析中的技术关注点经验
l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
. G& d4 }* C. P U
- m) E: ~; I; I! Q* C. v# v! {6 r
M、内部热分析－红外热相
* I8 H3 t4 M3 f% K
" V2 l5 z4 |# u6 V1 j8 Y& i) C
N、内部漏电分析－EMMI
3 R& m( u% l1 ~
% e4 U' c( A k' X2 p1 h6 Q
O、芯片内部线路验证－FIB
. i3 y+ T7 U9 n* C' @3 Z: I: t' ]% v
0 _9 m% c- V) _- i. n e2 Q
P、综合分析与结论
# P0 i# W: A7 l8 d
l 综合分析中的逻辑思维能力
l 结论的特点与正确使用
^& m; ^0 q$ b; g# `9 _1 x
+ D* K8 h$ L) K z4 u* `/ ` b7 o% Z
Q、验证与改进建议
3 V6 Y' R- v0 F! Q; u
l 根本原因排查与验证
l 改进建议及效果跟踪
: B' h- E/ V* o
, S' f" r3 M, E- n
" d* L6 p9 G2 Y/ E
各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
) [* J6 y: F4 N1 y& {# _# l
2 V5 Q- W" n: d( c: h, _5 J
1、失效分析全过程案例
; E$ E+ ]" m; X2 P
A、失效信息收集与分析
B、思路分析
C、过程方法
D、逻辑推导
E、试验手段
F、综合分析
G、结论与建议
, c( [1 A, K2 B \8 T. v- m" r
+ ~9 n( Z1 G8 w$ Y; p
2、静电放电失效机理讲解与案例分析
9 |' ]) ^; O3 h, |0 }" z: U6 j7 I
A、静电损伤的原理
B、静电损伤的三种模型讲解
C、静电损伤的途径
D、静电放电的失效模式
E、静电放电的失效机理
F、静电损害的特点
G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）
/ i7 ]' p" b, e" S4 u. x
; v$ m+ j! ~4 T5 }
3、闩锁失效机理讲解与案例分析
" K( m6 X5 h# t6 U. K, d. U& ^
A、闩锁损坏器件的原理
B、闩锁损坏器件的特征
C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
D、闩锁与端口短路的比较
E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
F、静电与闩锁的保护设计
5 z* w5 |' P+ Y- Y
' a, r4 m ?; h9 `6 o: H' d1 m: _, a
4、过电失效类失效机理讲解与案例分析
- q1 r$ i- { [' h6 |. e
A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
B、对应不同类型的过电的失效案例
$ u6 v. C! f0 }
3 E2 y# s$ z3 L6 a+ |7 n* s
5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
( i/ ^9 q8 v, }! S
A、机械应力常见的损伤类型
M9 v# w' O+ p( E3 O
1 e2 f- @6 U% {% w8 {# p
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析
7 ?. q, p+ b p9 @$ `
A、热变应力损伤的类型和特征
/ [% g0 M: e! G: O5 [. d, Y) c
- U& V. W( t) t+ y3 E
7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
, p4 h* g6 h d" v9 `
A、热结构缺陷的类型和特征
B、发现缺陷的技术手段
6 z9 K. ] W/ N/ ^
! c0 W5 |' \0 ], e6 `1 Y5 w# v/ I
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析
. |- ~6 C# `8 ^ ~+ ?" M
A、绕线材料缺陷
B、钝化材料缺陷
C、引线材料缺陷
D、簧片材料缺陷
3 \) w3 ^) u, ]( _. L
! q% l- E% V: {
9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
% S) ?- R7 K% @
A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段
! O. p. d: g0 e* q5 o. V: F
! H1 ^0 m, y6 r8 M9 H* c2 f9 s
10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
! U5 X0 U+ |3 [
( [6 [; L+ j! b& ^8 ?# F$ A
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
& r/ Z: R/ A, W* Q
A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
; n, P% K" I5 f. z% q9 ^$ q' G
0 M2 }5 i8 i8 N# D7 p8 _
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
S( n5 J) ?% l" P
A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
% y# s: P2 ]( H0 x: r- g) H( z
, ^7 F+ f0 |6 @3 u. ?
13、面目全非的样品的分析
, F9 T! K- _6 j& |4 L& n1 |
8 L V+ {9 _8 \. ?8 E6 u3 i: w
来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院
) @. b/ Z/ G* C" O& ~" z0 P' n
) t6 q0 Q* o. a) i0 W" A% T% J9 Y
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
! b0 X/ R' e2 m+ t
+ N" _1 j1 ]4 H! @2 o
作者:
yin123
时间:
2020-2-5 18:54
从来没接触过这个
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