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标题: SIC功率器件设计 [打印本页]
作者: xhz21906    时间: 2020-1-10 13:29
标题: SIC功率器件设计

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作者: colin_fa    时间: 2020-2-14 18:18
关于SiC功率器件，共涉及到SiC SBD、SiC Mos两类；7 H/ I! n" C7 J1 b% O2 }2 B
1、SiC SBD，当前已经在一次电源（例如：650V /10A）、UPS（例如：1200V/40A）等有比较成熟的应用，业界成熟厂家有 Cree、IFX、ST，国产有 WeEn；
# \) M3 r/ _: N. v2、SiC Mos，在展会上有看到过RoHM、Panasonic、Renesas关于车载OBC、MCU基于SiC Mos的Demo模块，主要是900V的规格，但截至目前没有看到较为大批量的使用，除过价格的因素之外，SiC Mos的外延EPI的可获得性、生产制程良率、应用可靠性等都存在一定的挑战，继续关注或实验摸底。



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