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标题: 请大神帮忙分析下两个控制电路的区别，感谢！ [打印本页]
作者: liyongji2019    时间: 2019-12-26 19:13
标题: 请大神帮忙分析下两个控制电路的区别，感谢！
请了解的大神帮解读下线路，谢谢！
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控制电路2

控制电路2

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2.PNG
作者: lxk    时间: 2019-12-26 20:36
上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开
作者: liyongji2019    时间: 2019-12-26 21:05
lxk 发表于 2019-12-26 20:36:52. D4 }4 C0 Y( o5 u
上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开

3 p. x- W) p- M
/ W4 e  C6 h. l) t( w+ a/ v- m5 d3 Q都是逻辑高电平打开,用的是PMOS
+ m% \, L1 m8 M8 W# [
作者: saladrf    时间: 2019-12-26 21:23
本帖最后由 saladrf 于 2019-12-27 13:57 编辑
& G/ I) D" F) @5 o" K- P- I+ a( n) W* P, w7 y: S
两个电路，都具有PMOS管缓慢导通、快速关断的功能。' O6 ?/ q+ w6 A) x4 N$ H- ]% F
上一个电路，增加了Q17、Q18，具有更快速度关断PMOS管、更慢导通PMOS管的功能。G极所接电容C164=10uf的充电速度和放电速度相差很大。  n0 l( x* H8 W0 g* [
% N+ N/ s' e( i) Z7 H
MOS管的Cgs通常很大,低导通电阻的MOS管Cgs通常都有1000pf的数量级，电路中G极接了10uF的电容，这个电容在导通与关断期间与Cgs共同起作用。如果关断信号到来，而这些电容放电较慢，那么MOS管仍然是导通的。; P, {; n4 N3 I9 L. H
原理流程如下：关断信号到达Q19----Q19截止----Q18导通----Q17导通，则Cgs通过Q17快速放电。。。。。。5 c. m+ i8 O5 y/ I8 u) F
  d" X8 J4 d1 a5 N7 s) M, M5 X

2 J4 S2 d4 N4 U/ C' D( S3 k
作者: qinguojun    时间: 2019-12-26 22:08
第二个电路实用性更强。
作者: markamp    时间: 2019-12-26 22:20
Q17,Q18作用和MOS的G极对地电容是起反作用的
作者: liyongji2019    时间: 2019-12-26 23:59
markamp 发表于 2019-12-26 22:20:19$ v; F& Q4 R  @0 o$ ]
Q17,Q18作用和MOS的G极对地电容是起反作用的
1 D- _% f4 Y9 L( I- @. Z  U
3 [- a& u' A% O
何意？0 l8 j1 n, }2 ^) `- s/ m6 r
作者: markamp    时间: 2019-12-27 09:13
q17 q18应该加快MOS关闭，但G极又加那么大的电容，这是想干啥？
作者: zyl0504    时间: 2019-12-27 09:15
两个电路的原理就是一个负载开关，作用都是缓起缓停，降低mosfet开关时刻的冲击。控制电路1通过Q17给C164和C165充电，通过R188和Q19放电；控制电路2通过R801给电容C812充电，通过R802和Q802放电，置于那个速度更快，实际计算一下就知道了。为什么都是为了达到缓起缓停的目的呢？栅极和gnd之间串了那么大的电容，目的就是延长充放电时间，达到缓起缓停的目的。至于控制电路1中加Q17给电容快速充电，是不希望mosfet打开时间太慢。
作者: Ankky    时间: 2019-12-27 09:19
都不错，应该都可以使用。
作者: 风雨长戈    时间: 2019-12-27 09:46
G极接个10K下拉电阻实现快速放电关断
作者: YOTC    时间: 2019-12-27 10:33
1. 作者原图中，图2比图1多了2个三极管（绿色圈起），请问图1和图2哪个电路更优？% Y1 Z0 p; a1 x  V8 }
2. R186和R188是不是分压电阻，在Q19导通时，G端分到的电压=VCC*22K/（220K+22K)=VCC/11，G端电压比S端电压低，PMOS就可以导通。+ y; G3 j& U' \
3. Cgs的放电回路是下图黄色部分还是橙色部分？能不能解释一下放电过程？
& G8 C) F. ?' n% O7 ~/ z4. C163和C165各起什么作用？
( T: m5 e1 n8 v& w/ O
, R) x- l) i* o1 b7 G9 z: S
! s1 x* y  ~5 Y4 M# |
# D) o+ B/ [  w4 z/ ~6 O) u
作者: YOTC    时间: 2019-12-27 11:12
zyl0504 发表于 2019-12-27 09:15. b0 A3 k- d4 v/ p5 R$ u
两个电路的原理就是一个负载开关，作用都是缓起缓停，降低mosfet开关时刻的冲击。控制电路1通过Q17给C164和 ...
' d' S9 o# v& E7 i, G$ b1 J! }/ `- o
1. 图1在Q19截止时，通过Q17给C164和C165充电。Q19导通时，通过R188和Q19放电，放的电C164和C165上的，是这样吗？
7 H& H/ k' E) O0 P5 I+ M2. 如果没有C164和C165，Q19导通时，G端电压就是R188分压得到的电压，就不会有缓启的作用，所以缓起和缓停都是C164和C165在起作用，是这样吗？
8 B5 p4 z2 w% j/ i: X3. C163起什么作用？可以NC吗？
8 y5 A) U( T$ ?8 L1 z4. 图1和图2哪个更优？为什么？
/ ]* U% L' H7 r4 e, C+ |0 m   谢谢( Z3 b+ v: S+ s! f2 s0 r

, q3 G7 I7 V. C$ Y, R7 {8 w- }
作者: zyl0504    时间: 2019-12-27 13:39
YOTC 发表于 2019-12-27 11:12! q( m) l! r% ~) ~
1. 图1在Q19截止时，通过Q17给C164和C165充电。Q19导通时，通过R188和Q19放电，放的电C164和C165上的，是 ...
+ b) b& l' e3 ?# Y. G6 `
你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是自带结电容的（Cgs），MOSFET开通和关断时间这个结电容起到很大的作用，外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间。两个电路我不好说那个更好，图1充电时间更快，图2放电时间更快，如果非要选择，个人倾向于图2，电路少两个三极管，更简单。我是这样理解的，仅供参考。
作者: hsmine    时间: 2019-12-27 13:47
YOTC 发表于 2019-12-27 10:332 H# I6 B7 p+ u8 Y
1. 作者原图中，图2比图1多了2个三极管（绿色圈起），请问图1和图2哪个电路更优？' D, G7 O* Q( [5 A) O! @2 a  q
2. R186和R188是不是分 ...
' J( T3 n/ x6 k  U
Cgs 放电 是 黄色部分，相当于用导线把电容两端短接放电。/ s2 q0 U& ~$ t9 E
作者: YOTC    时间: 2019-12-27 17:10
风雨长戈 发表于 2019-12-27 09:46
6 w( U# k* \8 y1 F7 hG极接个10K下拉电阻实现快速放电关断

' G0 {+ g! t7 E是在下图位置加一个10K下拉电阻吗？Q19导通时，R188不就是下拉电阻吗？
- {" M# L* R# H) ~$ m9 b
# I: z9 w$ h& S  b
作者: YOTC    时间: 2019-12-27 17:50
本帖最后由 YOTC 于 2019-12-27 18:04 编辑
, _- R" k5 s7 n3 ^
zyl0504 发表于 2019-12-27 13:39
( X" U& H' L# q! j& {6 a你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是 ...

* r2 U. y/ A6 S" f! U7 T( C% r感谢你的回复。
8 L# M7 M' K' W- b" b" ~6 T1 P1. 你提到“外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间”，我的理解是：MOS管要么开通，要么关断；增大开通时间就会响应的减小关断时间，同样增大关断时间也会减小开通时间，两者是相反的。不知你说的”增大开通和关断时间“怎么理解？另外G端的充放电过程，C163好像也没有参与。% L3 T" D: S/ i
2. 你提到”图1充电时间更快，图2放电时间更快“，“图1充电时间更快”我的理解：图1中，三极管Q17导通后，三极管阻抗很小，其阻抗远远小于并联在一起的R186，所以充电时间RC比没有三极管的电路要快。“图2放电时间更快”我不是很理解：作者上传的2张图，第一张图计算出的放电时间=C165*R188=0.22*22ms=4.84ms（C164没有上件），第二张图计算出的放电时间=C812*R802=4.7*1.5ms=7.05ms，所以放电也是第一张图快。% h" @* l1 Q1 F* j
3. 如果这两张图充电电路和放电电路的电阻和电容取值一样，那么放电时间应该是一样的，充电时间应该是有三极管的快。不知我的理解是否正确？4 K& B8 ?- _- c3 m/ a9 `0 R

% p7 ^$ V9 c- ~) B9 @" y
作者: YOTC    时间: 2019-12-27 18:07
markamp 发表于 2019-12-27 09:13
; C; d4 H' M& [+ Dq17 q18应该加快MOS关闭，但G极又加那么大的电容，这是想干啥？

% w, \$ _9 s  D  i- w1 [所以如果要起到缓起动的作用，有三极管的电路是冗余设计，要采用没有三极管的电路（第二张图），是吗？9 b! T2 t0 P& w7 l$ [
作者: markamp    时间: 2019-12-27 20:20
可以这么说，加三极管主要是关闭快
作者: markamp    时间: 2019-12-27 20:24
本帖最后由 markamp 于 2019-12-27 20:28 编辑 ( `1 w& J& I% X8 q& l/ m. _* ]

% N( Y* W  C- R7 S6 k- P第一张图Q17工作在放大到饱和状态，时间快不少
作者: anguchou    时间: 2020-1-21 20:16
:):)
作者: paul_ding    时间: 2020-1-22 14:14
lxk 发表于 2019-12-26 20:36
% G6 |4 \0 H. d' c! c上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开
( x6 s+ K6 v* Q  Z+ e1 D3 Q5 T# {3 Q
如果是低电平有效NPN的三极管怎么导通。
, @) V$ m! }& n$ x$ ?1 y
作者: paul_ding    时间: 2020-1-22 14:37
我觉得电路越简单越好，不太明天mos管G极接的电容是什么意思。# a$ f! t0 Q* U0 ^( j
建议C812去掉，R801=10K,R802=100K,C810=0.47uF,C801那里并联一个电阻用于三级管导通时间的调试。* C/ O* @% Q0 H8 m* p3 p




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