标题: 目前公司有源标签使用的2.4G射频芯片内置NVM功能SI24R2E，不需要外挂MCU，分享给大家 [打印本页] 作者: qq2355573217 时间: 2019-12-26 10:21 标题: 目前公司有源标签使用的2.4G射频芯片内置NVM功能SI24R2E，不需要外挂MCU，分享给大家 Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片 ( N( v. v/ U I% t2 u Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。 * ^# C: p5 i4 `6 [4 D
当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2E的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。9 y6 @" Y9 F' k* |0 D7 e+ G
) t) Q" m* W; {2 D# e! u j8 B Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。 ; T7 t( t/ s5 X6 R ; O1 g# I$ E) p1 {( r3 D Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。 ( G! h2 ]# K( h7 O $ r7 `" G, F: y& J# K Si24R2E具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。/ J2 e1 Q. y- o# p
主要特性 , i3 r9 ~" x! N . _. i9 o. T* M2 _: P9 E' U 内置128次可编程NVM存储器 * x0 w+ ?/ b( ~# w! r% m% { / t# ?1 U# l! i& z 3.3V编程电压) R, Z5 u9 c7 Q$ i9 _0 \
7 R4 w' S4 |* |8 \* g7 B2 }
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超低功耗自动发射功能4 t5 l( S9 w4 o; R& t
5 E3 d0 h/ b. S+ W. q, x
内置硬件Watchdog j1 o7 H$ ^, H# o5 ~
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内置3KHZ RCOSC" @2 y- Q* u8 [; H
6 A0 d7 ]) X% R0 R8 ^7 i$ C 内置低电压自动报警功能1 }6 Y m5 H( E! u7 S, E
% |8 x: T1 ~2 q F' d8 U( Y1 ^; N! Y+ t2 N * n3 i8 f+ I' j 超低关断功耗：0.7uA + l9 e/ Z6 V. u. }4 B- J7 S# l ; l9 I* q1 X8 {8 s8 O 宽电源电压范围：1.9-3.6V3 W$ n ^% K( y F, I _# \! J
( l F# T- X$ a 1 a+ j. i% f8 I+ Z3 S, N. @9 ^+ @
超低待机功耗：<15uA' G+ _1 u1 ~& v: \
6 v& P. r' I8 v
数字IO电压:3.3V/5V) m- A4 d& ?( q: w \* {
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2 X l5 ]3 E6 P' ^& C3 | 发射电流（2Mbps）:13.5mA（0dBm）8 J5 J6 N6 a- m0 s+ f
& R0 q6 q4 c7 ^6 C; j* s1 o U i V
内部集成高PSRR LDO ) |! n/ e# ]' O z 2 z$ N% ]% P. v ' Q* _' Y% y3 V" `" M 最高发射功率：7dBm （23mA）5 W4 z/ x# Z! I% e
& l8 _5 N0 s% P6 ] 10MHz四线SPI模块 5 u5 r( b- C; x4 h! S _5 C- h% d. N5 t9 u, I9 N
3 x/ f' F4 {: z$ e4 k% q: g0 [
调制方式：GFSK/FSK1 ]1 |& c9 O$ o( F( @
$ A8 ~& U8 a! S* T- U
收发数据硬件中断输出 8 v4 E2 F* D# J0 X3 o 4 e$ C9 f) W. M6 A# s# ?( }! B 8 v5 o6 U% a1 \ ]( b% ?) ? 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps & R& y3 C, w+ ~3 v9 T# t' N ! O2 I' I8 O5 d3 `% `
完全兼容Si24R2 9 p( n- Y5 s- e X" {2 ^1 O$ I0 ` / r7 N- T0 E9 M# F : z8 _+ f" w: S
快速启动时间：<130uS ) j D! B! X7 S" Z) C6 A ( Y/ Z/ u! A( }% X, i; g 完全兼容Si24R1发射功能7 i% {/ |# f0 U# T p* T
8 K) F3 s [2 M# U
- r# |9 m) z- M1 z; y0 A 低成本晶振：16MHz±60ppm5 `! I5 \6 d/ N
1 ~, J4 d3 s/ Y1 O& X. [$ n
QFN20封装或COB封装 目前这款对这款芯片有点小心得，项目也开始启动量产，我将这个芯片的数据手册以及案例发上来，给大家参考，同时欢迎各路大佬给建议或者交流。9 _( ?3 A; F0 d" [+ r7 E, i
