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标题: 关于mmic的偏置电路 [打印本页]
作者: prain    时间: 2019-12-17 14:47
标题: 关于mmic的偏置电路
如图，这是AMMP-6408的偏置电路，画圈这里的线是连接到芯片下面的ExposedPad吗，那EP还要接地吗
作者: prain    时间: 2019-12-17 16:56
还有引脚1和引脚7闯过RFin那根线怎么做，一般是背线还是跳线呢
作者: cariban    时间: 2019-12-17 18:27
这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?
作者: prain    时间: 2019-12-17 22:28
cariban 发表于 2019-12-17 18:27:316 T8 s9 _& u- M0 h" m$ _7 T
这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?
$ I3 p4 d" B/ g- G0 m# {
7 K. x/ y& A/ {
刚好合适。。能说说它怎么连吗，拜托了
' P; ?( A2 G) E4 o
作者: THL    时间: 2019-12-18 14:42
画错了嘛，是人就会出错的) S) z6 T& b% U- m7 k3 V9 n
看起来你框住的那根线应该是多余的
作者: prain    时间: 2019-12-18 15:38
THL 发表于 2019-12-18 14:42:106 E  [5 ?, p" x( j. N
画错了嘛，是人就会出错的0 p0 u% O0 J& C3 J
看起来你框住的那根线应该是多余的

2 d" U6 _/ u& i2 v5 ~" z
  I% n$ }  ^3 d' F这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压，只是这上面没画出来。
( ^" \0 o9 }1 ~$ F) u; C" ~. A0 W
作者: THL    时间: 2019-12-18 16:25
prain 发表于 2019-12-18 15:380 L1 v! H' ?) C3 s+ ?/ G
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

  R. s! I* @! H0 h) E0 x# ^/ i, F看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
% i/ i/ d$ G1 s% T9 i' f* i这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
! i( m# Q) O8 c# Z$ Y6 x
作者: prain    时间: 2019-12-18 17:27
cariban 发表于 2019-12-18 16:15:13! r+ F* [' A% x9 y6 x
本帖最后由 cariban 于 2019-12-18 16:20 编辑 7 S# w6 T3 {9 a/ W, s, r8 T4 P
/ R4 V9 B. i& e( G/ f
[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
+ ?- w  O& g/ Q4 |6 C. g. o这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

& G" f/ c1 E5 H9 lhttps://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN
% k6 \* H2 X1 |& r- }/ Y) K1 E) I. ^; C9 b
datasheet里说得很清楚了，底部的pad就是GND，大功率芯片基本都是这种设计，方便散热。0 L7 C, c" a: y1 T+ j# s7 V

! F" @0 J$ u+ X& R参考电路注释说了，Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的，外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。
+ p& p* {7 H. H! f# j' L3 X
# D6 k: L( D5 G+ n% J0 F9 A& C9 f6 z. l
建议楼主把这个链接里的文档都过一遍，你需要的答案都在这里面
- b# t5 H1 e' A9 c% `! x+ G% Z8 d. p
* F4 w  r, k! E+ z* Chttps://www.broadcom.com/site-search?q=ammp-6408
/ V; I2 y3 s; g/ {
5 V# ~; K& i7 U8 x+ T3 X6 y$ l1 S5 p6 ]3 @2 ^: V

; C* C: C4 E; ]1 y[/quote]8 r! h% p8 H2 C' b. {$ U
: _# u' ~4 \) g* _% {; V! q
好的 万分感谢
! }9 c9 S6 H1 C' k2 Z
作者: prain    时间: 2019-12-18 17:27
THL 发表于 2019-12-18 16:25:033 T3 w0 m6 L! ?
[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38- O. s  L3 S8 j, l3 }
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...
" T5 E: ~8 m, M  I+ w7 S, _
看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。1 N. T& m2 ~0 n) J
这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
$ D0 E3 F1 a4 a, L/ Z! U$ H[/quote]8 B1 z- _) I& Z, O0 K
8 T$ E& d+ o: X% c3 ^* E
那要做6-18g配置多大电容比较好呢
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作者: THL    时间: 2019-12-18 19:07
本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑 : c; w7 _* g. L  W, T( a6 b9 L9 K
prain 发表于 2019-12-18 17:27
( y* R# \' r, m" w4 i' S) D3 H看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

* n4 u1 ?% R* k$ R: {; Z6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。& w/ }; N7 e" N, d
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
' K# ]% |' y; r* D1 T( ]" l不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。/ V# y1 p- }6 U9 k# V! K2 a
作者: prain    时间: 2019-12-19 09:12
THL 发表于 2019-12-18 19:07:42
- }2 Q7 O- G; M/ }2 f, b* y 本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑
* c4 P* t" ?6 C) _: Q
) @+ R% I" r, `: O[quote]prain 发表于 2019-12-18 17:27
8 J# c0 U$ z+ F看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...
! P& V2 X( r- N! {  v- F$ y
6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。' {5 d4 c' n" p0 O! G. J
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。% K, s/ |) c+ i& `* \) o# f% ?, Z
不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。1 Q1 ]; {8 \; V/ _5 `; p8 d) w
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* j0 ~, I! F) N  F* N2 c# d- ^6 C& c/ q0 L
好的 谢谢& D0 c# T% W' K& }




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