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多层片状陶介电容器具体不良可分为:
1、热击失效
2、扭曲破裂失效4 f6 {" K" g6 O- s! j
3、原材失效三个大类
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（１）热击失效模式：, ]! m. Z$ h7 k( @& x `
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热击失效的原理是：在制造多层陶瓷电容时，使用各种兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象，这种破裂往往从结构最弱及机械结构最集中时发生，一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面处、产生最大机械张力的地方（一般在晶体最坚硬的四角），而热击则可能造成多种现象：
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第一种是显而易见的形如指甲狀或U-形的裂縫
第二种是隐藏在内的微小裂缝7 ~1 F6 u$ {! U7 K- B& q& A6 L
第二种裂缝也会由裸露在外的中央部份，或陶瓷/端接界面的下部开始，并随温度的转变，或于组装进行时，顺着扭曲而蔓延开来（见图4）。
第一种形如指甲狀或U-形的裂縫和第二种隐藏在内的微小裂缝，两者的区别只是后者所受的张力较小，而引致的裂缝也较轻微。第一种引起的破裂明显，一般可以在金相中测出，第二种只有在发展到一定程度后金相才可测。
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（２）扭曲破裂失效" v# i) \4 H f3 z# ~
此种不良的可能性很多：按大类及表现可以分为两种：
第一种情况、SMT阶段导致的破裂失效
当进行零件的取放尤其是SMT阶段零件取放时，取放的定中爪因为磨损、对位不准确，倾斜等造成的。由定中爪集中起来的压力，会造成很大的压力或切断率，继而形成破裂点。5 \" f5 f M+ e9 }8 r
这些破裂现象一般为可见的表面裂缝，或2至3个电极间的内部破裂；表面破裂一般会沿着最强的压力线及陶瓷位移的方向。& c8 e: w2 W2 V/ e# Y2 \* G+ |
真空检拾头导致的损坏或破裂﹐一般会在芯片的表面形成一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。
另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件中央的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容器的底部破损。
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第二种、SMT之后生产阶段导致的破裂失效
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电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及最后组装时，若焊锡组件受到扭曲或在焊锡过程后把电路板拉直，都有可能造成‘扭曲破裂’这类的损坏。
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在机械力作用下板材弯曲变形时，陶瓷的活动范围受端位及焊点限制，破裂就会在陶瓷的端接界面处形成，这种破裂会从形成的位置开始，从45°角向端接蔓延开来。3 i. u& Z k7 K# n: W5 R
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（３）原材失效
多层陶瓷电容器通常具有2大类类足以损害产品可靠性的基本可见内部缺陷：* y4 e- ^" D s7 c* U
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电极间失效及结合线破裂燃烧破裂。! B0 F" g9 ~; |
这些缺陷都会造成电流过量，因而损害到组件的可靠性，详细说明如下：1 D; ~/ H2 m# K1 U0 u- X* o" ?
1、电极间失效及结合线破裂主要由陶瓷的高空隙，或电介质层与相对电极间存在的空隙引起，使电极间是电介质层裂开，成为潜伏性的漏电危机；' j' x* n$ z6 g
2、燃烧破裂的特性与电极垂直，且一般源自电极边缘或终端。假如显示出破裂是垂直的话，则它们应是由燃烧所引起；# [$ r+ d5 n1 O2 [
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