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标题: 请教大神一个铺铜皮的问题。 [打印本页]
作者: odayle 时间: 2019-8-16 13:28
标题: 请教大神一个铺铜皮的问题。
请教大神一个铺铜皮的问题，非常感谢！6 S8 f; W9 }0 l! Z- \' w' L1 ?9 L
之前看过一个帖子，RX线下方挖一层是为了降低寄生电容，可以在同等阻抗的情况下拓展线宽，降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN，走线却不挖，走线也就是到BGA的线为什么不挖呢？
7 h; V0 Z- ] @( s8 @/ R/ s: T5 s( T8 T( W+ {" C/ C
! P4 d# ~ @) @4 z$ H7 n" D3 K; X* m2 G4 B; i1 Y, `
作者: Colbie 时间: 2019-8-16 15:55
因为器件在高频电路中还有一个等效电路，而且这器件的面积相对PCB的走线要大。
: J' i+ U2 H: ~, m- r5 H寄生电容就是两个极板的面积成成比，两个极板的间距成反比，7 w0 U; i' {4 R1 B" u7 ^
这样在增加了面积后，而为了保证寄生电容不怎么变化，只有增大两个极板间的间距。
作者: Allevi 时间: 2019-8-16 15:56
我觉得是0402焊盘宽度比较宽，如果要做阻抗，就必须挖层才能满足阻抗。
作者: Taio 时间: 2019-8-16 15:57
线宽小的走线不要挖，这需要根据计算的，是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。
作者: sunygd 时间: 2019-8-16 15:58
到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗，你去BGA下面走那么宽试试？
作者: odayle 时间: 2019-8-16 16:04
谢谢大神。. O. h" t& ]& }: U5 a0 b
作者: criterion 时间: 2019-9-2 17:50
本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑
+ E7 V8 Y z1 B, x
0 u. u0 d5 l7 Y* DRX线下方挖一层是为了降低寄生电容
8 d0 u1 z: X0 i- B( W% E: w. X=> 未必!!
' Y! B9 B5 F" f4 E! m$ q9 m/ |& C2 B3 X
: d6 t$ `8 U( ]* G8 e) }8 g8 M& \/ J/ R) C+ `
/ `% L+ S7 ?: M. ^) f) @3 y
8 k3 b$ a6 V( p. A; o9 _/ |, B- u" u4 C" h
在同样50奥姆阻抗下
走线挖空 反而有可能 让寄生电容变大
# d) H9 g- C P3 x+ b9 }6 l$ p' X1 F, q+ f0 y) ^- D4 s
我们拿实际迭构来做计算
. o O/ p) p$ ]
3 z7 G$ m( G) h& B1 w2 s0 l
2 F+ h+ H# k4 B6 z
4 v& x/ m9 D2 p9 c
因为原本单位是um 转换成mil (1um = 0.03937mil)
所以才小数点后面一堆数字
' @) e# g7 Q6 t( N4 {% D
4 T* f' B& u8 m1 f! f9 v
- k$ E1 ]! ]% U a
/ y+ I7 [6 }3 }* v i
8 F% L/ ^: W8 ~! G) }% N5 Q O* E) k: k3 V. X
+ B$ _, P2 j3 R
0 c1 O+ B* X W- g8 C8 g5 q! q0 h/ H, F( w) e' H; j, ?; M, M
4 M, j4 x1 U1 D7 c: w: v
如果以L2为参考地 不挖空 50奥姆的线宽是3mil
3 ~: {3 c2 i/ X$ W! p
+ @$ k6 T: c) a+ M
4 C. Y6 @5 Z2 S y6 F* a+ B9 H) V
t, H8 E7 X- U
5 y! G& I P! [0 n3 k
8 M3 ]) N8 r7 W) a; w. M- f" R2 q1 ?- y9 J3 ]( a- r
. O( H3 e( G- D5 g! R0 r6 A4 d% B
5 x, N4 L7 {/ l3 O, `; T }7 a$ I- {
8 M% U1 ^- g. |4 X
0 x! `) l+ }6 r0 P8 ~! s# p4 A
# V" R+ c! a, {2 }0 w( E, y( a# m. G5 d
! O9 H% Z9 \! o1 \! T4 a, a- S5 p" A
如果以L3为参考地 挖空 50奥姆的线宽是9mil
& f7 Z% |% h' Y% \5 q
& z) D. _ Z; }! j* r% M
i; k" d" J. z5 h9 K! n' _5 ~8 g7 d
$ U9 E( S7 _" |% Q
" z3 u. i, Q# {) l! C a6 i u
8 v7 Z3 k: j( @' o$ I- L6 a9 a
6 E% x3 U* w3 |* t6 f& j
- b7 N* ?7 e% w3 a8 A0 k
9 q* Y$ P* w; D3 T) T4 {
* H' g+ u, \. v, w1 R# z) t根据电容公式:
4 N0 y$ @& _5 [3 \& h$ h
* R9 I' e) v1 ~) k
$ i. F6 y6 p: J" e) E3 ?$ o4 v
% q& Z# l' |; y2 y$ x) v! t+ x8 @% M$ H9 P
- Z- a- R" M2 g# O5 Z5 {
如果要比谁的寄生电容大 介电常数就不用算了 因为两者的介电常数都一样
那就看谁的A/d比较大 对吧?
: C) u7 S; Y5 i" Q# K! A0 Z G3 h
2 J2 W2 }; }& D) P N
2 r' R* W5 B! M& b6 b4 O3 X4 d& c5 l
, h! c% f4 D( G3 o# g
9 A& U6 y4 x0 T1 f* r$ ], G
) y; {' E" S q& p: K/ \
1 S; e3 b" O. L$ ^* u
/ H1 o7 U( q! P" i/ I
7 ^* N3 w* D* `! G/ m
' l* N, t4 a+ ~* K1 ], O
; E. K0 n: Q- n* U5 M
0 B# u% L! Q- `! x8 [, A* G! b, D
( Y+ ?# }% x$ ~5 L% }+ U
3 U0 z( d! s' C3 K; M! F+ U1 x5 z- t1 M2 K$ Y
0 R/ n# \+ S* @- }% d- d( d% o
A是面积 等于W x L
两者的线长都一样 所以若要比谁的寄生电容大
那就看谁的W/d比较大 对吧?
# T' E! q0 J3 G( f; V& o% T+ {# H. _( s3 c9 l. E
4 S5 ^, Z& T! D, t; d/ w/ O% ]; Q, F3 _5 ^# k
; [8 ^9 Z, a. }4 q
6 r2 E7 e% i; U# I/ s+ L# [不挖空: w/d = 3/1.83 = 1.64
挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
1.875 > 1.64
所以 挖空的寄生效应 反而比较大 故得证
7 M7 t8 ?% O/ r5 c5 y# n
1 G5 Y1 n+ q& K( F/ }, i7 B% f$ _* {- m0 ~; I6 J# @
' i8 o% e4 z# }) @" @- S
挖空是走线跟GND距离拉大没错 但你线宽也会拓宽啊
所以寄生效应 是变大还变小 要透过计算才知道
( ^8 R3 `# v5 M* T7 @7 t* e
: P7 S! @! U. k+ ^& k1 q6 C
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