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标题: SIWAVE仿真讨论:PI仿真流程问题与疑惑! [打印本页]

作者: mengzhuhao    时间: 2009-6-4 20:06
标题: SIWAVE仿真讨论:PI仿真流程问题与疑惑!
本帖最后由 mengzhuhao 于 2009-6-4 20:54 编辑 0 o* C# q# s) p5 X  ^) V7 G

; t$ T- x5 k' _+ O在进行PI仿真的时候,首先导入PCB文件, A, y0 f3 K3 L7 v
这个时候是不是先所有的退耦电容先无效或者去掉
- T% h/ C0 l  W: L- F: ]( Z
  J1 c$ x9 V1 V! A7 g) y在电源网络的各个端口设置S参数探针' ?1 P2 i! o. ^! u& W
直接进行S参数仿真,查看Z曲线,看改电源网络在交流阻抗上的变化趋势
# }% X- c9 m6 V4 ~' u& u5 k. g, B- I0 P0 _1 V3 g$ {  T( _3 S
找出阻抗峰值点的频率
, `( O; Z) j" w. I& O( a
5 n! T7 S$ C% Z7 i这个时候再进行裸板谐振仿真
- x6 w* w/ h4 D/ q, i: B1 L找出谐振幅度最大最小的地方3 z' S. j; R1 k" v- e1 j

) q. @( p0 O' A) Y8 ^这个时候的一个疑惑是:在S参数里面出现较大阻抗的地方未必在谐振频率点上!那加电容的对策应该如何考虑?, D8 [5 w2 o3 y$ K- r) u
! h# ?4 }/ i5 _' b
加入像我下图中,在412mhz的地方出现一个较大阻抗,差不多20欧姆,但是谐振仿真出来是3个频段,没有包含那个
" l+ }2 h# h" P1 y" p7 y# D. j# b; ^1 O! |
他们之间有什么关系吗?还是一点关系都没有?
- K0 h2 A$ r) K. b$ R) D! J" L0 o2 n# Y0 e& z
裸板的那个谐振仿真是所有vcc与gnd间的谐振,是带默认激励源吗?这个激励源应该如何理解?7 m5 I# g" I3 e3 {

2 t8 v9 L# f" x  g见一些资料说,这个仿真意义不大,需要加激励源仿真,那么这个激励远加在什么样的网络上?在进行AC扫描的时候需要选择的是同层与参考层?还是继续使用vcc层与gnd层?

加的时候在5V那点一下,然后在旁边点一下,选择对应的层!!.jpg (62.23 KB, 下载次数: 25)

加的时候在5V那点一下,然后在旁边点一下,选择对应的层!!.jpg

我在5V网络上加几个S参数端口!.jpg (60.28 KB, 下载次数: 15)

我在5V网络上加几个S参数端口!.jpg

3.然后点那个扫描选择项!.jpg (80.21 KB, 下载次数: 8)

3.然后点那个扫描选择项!.jpg

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4.点ok进行计算.jpg

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6.我点谐振模仿真进行计算!.jpg (242.46 KB, 下载次数: 11)

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7.设置参数.jpg

8.选择电源层与地层间的谐振仿真!.jpg (37.67 KB, 下载次数: 7)

8.选择电源层与地层间的谐振仿真!.jpg

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作者: mengzhuhao    时间: 2009-6-5 09:57
是不是可以这样理解:
# {+ W3 L5 d0 y& z例如我在5V网络的各个端口处加上S参数探针(在加的时候,提示有个参考阻抗,这个地方我/ ^/ m6 N8 p. I+ I$ d: |) T2 _, E
应该如何填?默认是50欧姆。但是我发现即使填个0.01的时候也跟50的一样)$ r4 t! c3 l% q1 r1 m
这个时候出来的曲线是不是一般只需要关注Z曲线就够了
7 A% x7 W( k8 N8 j ( d6 X" w3 x- z  p) Y. ]7 p0 C
从计算出来的Z曲线可以看出,在180mhz以下的时候阻抗一直都在1欧姆以上,在224mhz的地5 j9 p/ G$ c& m# p
方出现一个最低值,然后从268mhz--421mhz之间阻抗一直保持在1欧姆,并呈上升趋势,在4
0 f( _( [9 [1 U! x! b" b3 K) p21mhz的时候出现一个峰值47.5欧姆0 l8 w5 J5 ~7 o# V
- L# r6 D6 S0 F* E0 M1 N& E+ E
在裸板的谐振分析发现,不加探针的时候只有2个点,加上就出现3个点& h: X  Z3 K7 G$ l3 r: Y# l
分别在505mhz,788mhz与1.132ghz那
' q. r! @/ c1 N % s% z& O# C3 X. {3 T
那么实际的情况是:因为阻抗出现峰值的地方在谐振点之下,那么加对策的时候是不是这样& P9 ^* G7 R3 k9 w4 e0 C
的,看看505mhz的时候谐振区域在那,在看看加的那个S参数探针是不是在这个区域,如果
, R. ?( t) [) U) H7 }4 n3 J在就加上一组电容,既考虑505mhz之下的情况又考虑在505mhz时的情况* p. Z. {, O8 {# ^0 d7 [2 G

! p0 P- c3 l! L& a- z, k这样的理解对吗?
作者: forevercgh    时间: 2009-6-5 11:13
VNA测试S参数是的端接阻抗就是50ohm
, j( ?8 h) |, J& T; \2 US参数主要看下插损和回损,当然看Z曲线也行,S<==>Z 可以通过相互转换
作者: lpch8    时间: 2009-6-10 08:44
根据siwave的参考资料,至少需要给电容加载模型后才能进行谐振平面的仿真,因此,需要把你对应电源网络的电容的等效参数输入到器件中,这样你的谐振点才可能是准确的,否则滤波电容的谐振点以及对电源平面的去耦效应无从谈起了。个人意见!
作者: zhouweitf    时间: 2009-6-17 11:40
作谐振仿真应该加电容模型吧,要不所有的电容都是理想的,做出来的结果没有意义吧?
作者: taybi    时间: 2009-8-7 19:59
这个不懂,听大家继续讨论
作者: grant6168    时间: 2009-9-8 17:31
使用siwave出现下图所示问题,仿真菜单中只显示上面两项,其他都是灰色,哪位高手能帮忙解答一下,先谢谢了




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