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标题: 为何外部PA 可增加线性度 [打印本页]

作者: criterion 时间: 2019-7-8 14:40
标题: 为何外部PA 可增加线性度

假设目标功率皆为15 dBm, 请问上图哪一种方案, 会有较佳的发射性能?

7 V B1 n& [ C1 I3 {

4 A' R: Z9 f% J, {

为何外部PA 可增加线性度.pdf (729.11 KB, 下载次数: 42)

作者: xiangtianxiao 时间: 2019-7-8 14:43
谢谢分享

作者: wj123 时间: 2019-7-8 15:38
什么是威望啊我这些资料都下载不来

作者: wu6886 时间: 2019-7-8 15:39
下圖

作者: Jamie_he2015 时间: 2019-7-8 15:50
谢谢分享。

作者: a360393065 时间: 2019-7-8 20:14

wj123 发表于 2019-7-8 15:38" T4 O' t, v7 w: c! k. W
什么是威望啊我这些资料都下载不来

就是一种需要刷的东西、、、

作者: roykinglove 时间: 2019-7-8 20:20
学习一下

作者: hyz12888 时间: 2019-7-9 08:25

作者: 汪洋大海 时间: 2019-7-9 09:06
这个分享只是对现有器件和现有器件工艺的评价。

作者: 汪洋大海 时间: 2019-7-9 09:07
从未来趋势看，PA 集成到收发芯片中更有优势。

作者: freebigfish 时间: 2019-7-9 09:21
不解

作者: gdj0726 时间: 2019-7-9 13:44
好好学习

作者: lotus_ 时间: 2019-7-9 16:10
天天向上

作者: DUP1988 时间: 2019-7-10 09:30
只能说，外部PA比内部PA的性能更好。通常来说内部PA的性能会比外部PA弱，CMOS目前还是干不过砷化镓的，仅此而已

作者: 我能行 时间: 2019-7-10 10:21
多谢分享

作者: puhu 时间: 2019-7-30 00:08
谢谢分享

作者: frvwh 时间: 2019-8-1 00:49
多谢分享

作者: redwing875 时间: 2019-8-16 23:46

谢谢分享。

作者: 冰茶168IC 时间: 2019-8-17 22:32

DUP1988 发表于 2019-7-10 09:30
) L8 S3 m+ ^, w只能说，外部PA比内部PA的性能更好。通常来说内部PA的性能会比外部PA弱，CMOS目前还是干不过砷化镓的，仅此 ...

赞！！！！

作者: lotus_ 时间: 2019-9-2 13:38
感谢大神分享，顺带刷一波￥

作者: averson 时间: 2019-11-14 06:56
谢谢

作者: ikki 时间: 2020-6-24 09:42
学习学习谢谢

作者: ikki 时间: 2020-6-24 09:59
对于TX要求不高的项目可以直接用iPA

作者: 上山砍柴 时间: 2020-7-9 21:04
版主分享的都是精品啊！感谢！

作者: fly1199 时间: 2020-9-27 17:36
资料非常赞！！射频大神！！

作者: fyu007 时间: 2021-7-23 20:59
赞！！！！9

作者: fyu007 时间: 2021-7-23 21:20
谢谢分享

作者: redwing875 时间: 2022-1-5 22:14
111111111111111111111111111111111111

作者: 射频笔记 时间: 2022-10-11 22:20
看看大师的作品

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