1.1. More Moore VS More than Moore——SoC与SiP之比较 , j$ f9 @3 M+ D, c0 W, QSiP是超越摩尔定律下的重要实现路径。众所周知的摩尔定律发展到现阶段，何去何从？行业内有两条路径：一是继续按照摩尔定律往下发展，走这条路径的产品有CPU、内存、逻辑器件等，这些产品占整个市场的50%。另外就是超越摩尔定律的More than Moore路线，芯片发展从一味追求功耗下降及性能提升方面，转向更加务实的满足市场的需求。这方面的产品包括了模拟/RF器件，无源器件、电源管理器件等，大约占到了剩下的那50%市场。% W5 I; Q1 D, m
SoC与SIP是极为相似，两者均将一个包含逻辑组件、内存组件，甚至包含被动组件的系统，整合在一个单位中。SoC是从设计的角度出发，是将系统所需的组件高度集成到一块芯片上。SiP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件。 $ E$ p1 U2 u4 j- b) V2 `( g: n
从封装发展的角度来看，因电子产品在体积、处理速度或电性特性各方面的需求考量下，SoC曾经被确立为未来电子产品设计的关键与发展方向。但随着近年来SoC生产成本越来越高，频频遭遇技术障碍，造成SoC的发展面临瓶颈，进而使SiP的发展越来越被业界重视。6 C3 R. [: ~; V4 _4 V
1.2. SiP——超越摩尔定律的必然选择路径1 G& h- A" A @4 D5 c9 {* O
摩尔定律确保了芯片性能的不断提升。众所周知，摩尔定律是半导体行业发展的“圣经”。在硅基半导体上，每18个月实现晶体管的特征尺寸缩小一半，性能提升一倍。在性能提升的同时，带来成本的下降，这使得半导体厂商有足够的动力去实现半导体特征尺寸的缩小。这其中，处理器芯片和存储芯片是最遵从摩尔定律的两类芯片。以Intel为例，每一代的产品完美地遵循摩尔定律。在芯片层面上，摩尔定律促进了性能的不断往前推进。2 O$ M6 S/ O; r$ W! E/ T I
SIP是解决系统桎梏的胜负手。把多个半导体芯片和无源器件封装在同一个芯片内，组成一个系统级的芯片，而不再用PCB板来作为承载芯片连接之间的载体，可以解决因为PCB自身的先天不足带来系统性能遇到瓶颈的问题。以处理器和存储芯片举例，因为系统级封装内部走线的密度可以远高于PCB走线密度，从而解决PCB线宽带来的系统瓶颈。举例而言，因为存储器芯片和处理器芯片可以通过穿孔的方式连接在一起，不再受PCB线宽的限制，从而可以实现数据带宽在接口带宽上的提升。6 b2 T8 I0 x& T
SiP工艺分析SIP 封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。; M3 r& e; T3 h" @! e
2.1.引线键合封装工艺* N5 D! L' a1 m% Z
引线键合封装工艺主要流程如下:, ^* I+ I8 p+ a4 `7 a. z& C9 m
圆片→圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装。1 f& j7 H: [; p8 E' K3 {) {/ o* i
圆片减薄 . j8 d, U; f+ t& h( o7 a: a6 U8 }4 K5 o9 Q
圆片减薄是指从圆片背面采用机械或化学机械（CMP）方式进行研磨，将圆片减薄到适合封装的程度。由于圆片的尺寸越来越大，为了增加圆片的机械强度，防止在加工过程中发生变形、开裂，其厚度也一直在增加。但是随着系统朝轻薄短小的方向发展，芯片封装后模块的厚度变得越来越薄，因此在封装之前一定要将圆片的厚度减薄到可以接受的程度，以满足芯片装配的要求。0 M! W$ [, q ^% r
圆片切割8 b! A8 O& a; K. O& p8 _
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圆片减薄后，可以进行划片。较老式的划片机是手动操作的，现在一般的划片机都已实现全自动化。无论是部分划线还是完全分割硅片，目前均采用锯刀，因为它划出的边缘整齐，很少有碎屑和裂口产生。 $ B. N# {# H3 X) [
在塑料封装中使用的引线主要是金线，其直径一般为0.025mm~0.032mm。引线的长度常在1.5mm~3mm之间，而弧圈的高度可比芯片所在平面高 0.75mm。 . @9 w' a. K2 V! W9 z 键合技术有热压焊、热超声焊等。这些技术优点是容易形成球形（即焊球技术），并防止金线氧化。为了降低成本，也在研究用其他金属丝，如铝、铜、银、钯等来替代金丝键合。热压焊的条件是两种金属表面紧紧接触，控制时间、温度、压力，使得两种金属发生连接。表面粗糙（不平整）、有氧化层形成或是有化学沾污、吸潮等都会影响到键合效果，降低键合强度。热压焊的温度在 300℃~400℃，时间一般为 40ms（通常,加上寻找键合位置等程序，键合速度是每秒二线）。超声焊的优点是可避免高温，因为它用20kHz~60kHz的超声振动提供焊接所需的能量，所以焊接温度可以降低一些。将热和超声能量同时用于键合，就是所谓的热超声焊。与热压焊相比，热超声焊最大的优点是将键合温度从 350℃降到250℃左右（也有人认为可以用100℃~150℃的条件），这可以大大降低在铝焊盘上形成 Au-Al 金属间化合物的可能性，延长器件寿命，同时降低了电路参数的漂移。在引线键合方面的改进主要是因为需要越来越薄的封装，有些超薄封装的厚度仅有0.4mm 左右。所以引线环（loop）从一般的200 μ m~300 μ m减小到100μm~125μm，这样引线张力就很大，绷得很紧。另外，在基片上的引线焊盘外围通常有两条环状电源 / 地线，键合时要防止金线与其短路，其最小间隙必须>625 μ m，要求键合引线必须具有高的线性度和良好的弧形。2 J8 H: S( U j
等离子清洗" _* V$ x1 `4 E* K$ q, M% p. c
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清洗的重要作用之一是提高膜的附着力，如在Si 衬底上沉积 Au 膜，经 Ar 等离子体处理掉表面的碳氢化合物和其他污染物，明显改善了 Au 的附着力。等离子体处理后的基体表面，会留下一层含氟化物的灰色物质，可用溶液去掉。同时清洗也有利于改善表面黏着性和润湿性。 # G( A% V" Q- a5 h! B
液态密封剂灌封/ I4 A+ C, f& N
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将已贴装好芯片并完成引线键合的框架带置于模具中，将塑封料的预成型块在预热炉中加热（预热温度在 90℃~95℃之间），然后放进转移成型机的转移罐中。在转移成型活塞的压力之下，塑封料被挤压到浇道中，并经过浇口注入模腔（在整个过程中，模具温度保持在 170℃~175℃左右）。塑封料在模具中快速固化，经过一段时间的保压，使得模块达到一定的硬度，然后用顶杆顶出模块，成型过程就完成了。对于大多数塑封料来说，在模具中保压几分钟后，模块的硬度足可以达到允许顶出的程度，但是聚合物的固化（聚合）并未全部完成。由于材料的聚合度（固化程度）强烈影响材料的玻璃化转变温度及热应力，所以促使材料全部固化以达到一个稳定的状态，对于提高器件可靠性是十分重要的，后固化就是为了提高塑封料的聚合度而必需的工艺步骤，一般后固化条件为 170℃~175℃，2h~4h。 3 K. _. K' B2 |. q. b/ M" p2 t
液态密封剂灌封, I. b, I1 J) L" t! f( h$ r
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在整个芯片键合表面按栅阵形状布置好焊料凸点后，芯片以倒扣方式安装在封装基板上，通过凸点与基板上的焊盘实现电气连接，取代了WB和TAB 在周边布置端子的连接方式。倒装键合完毕后，在芯片与基板间用环氧树脂进行填充，可以减少施加在凸点上的热应力和机械应力，比不进行填充的可靠性提高了1到2个数量级。' `; e1 m8 m1 S t
SiP——为应用而生3.1.主要应用领域 6 S+ `$ _$ l+ i, ]SiP的应用非常广泛，主要包括：无线通讯、汽车电子、医疗电子、计算机、军用电子等。 , c+ l4 d. _. B2 i1 t1 X3 R$ h 应用最为广泛的无线通讯领域。SiP在无线通信领域的应用最早，也是应用最为广泛的领域。在无线通讯领域，对于功能传输效率、噪声、体积、重量以及成本等多方面要求越来越高，迫使无线通讯向低成本、便携式、多功能和高性能等方向发展。SiP是理想的解决方案，综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势，降低成本，缩短上市时间，同时克服了SOC中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难度。手机中的射频功放，集成了频功放、功率控制及收发转换开关等功能，完整的在SiP中得到了解决。 s6 a9 b2 ?) {( p+ P" ~
3.2.SiP——为智能手机量身定制 & X6 ~' D. A! o/ ] 手机轻薄化带来SiP需求增长。手机是SiP封装最大的市场。随着智能手机越做越轻薄，对于SiP的需求自然水涨船高。从2011-2015，各个品牌的手机厚度都在不断缩减。轻薄化对组装部件的厚度自然有越来越高的要求。以iPhone 6s为例，已大幅缩减PCB的使用量，很多芯片元件都会做到SiP模块里，而到了iPhone8，有可能是苹果第一款全机采用SiP的手机。这意味着，iPhone8一方面可以做得更加轻薄，另一方面会有更多的空间容纳其他功能模块，比如说更强大的摄像头、扬声器，以及电池。 + q4 V8 i( ]6 A( @ Z* ~' i
触控芯片。在Iphone6中，触控芯片有两颗，分别由Broadcom和TI提供，而在6S中，将这两颗封在了同一个package内，实现了SiP的封装。而未来会进一步将TDDI整个都封装在一起。iPhone6s中展示了新一代的3D Touch技术。触控感应检测可以穿透绝缘材料外壳，通过检测人体手指带来的电压变化，判断出人体手指的触摸动作，从而实现不同的功能。而触控芯片就是要采集接触点的电压值，将这些电极电压信号经过处理转换成坐标信号，并根据坐标信号控制手机做出相应功能的反应，从而实现其控制功能。3D Touch的出现，对触控模组的处理能力和性能提出了更高的要求，其复杂结构要求触控芯片采用SiP组装，触觉反馈功能加强其操作友好性。 : ?( D# Q3 z0 P; v. W4 \6 G: r
指纹识别同样采用了SiP封装。将传感器和控制芯片封装在一起，从iPhone 5开始，就采取了相类似的技术。+ _: f' l6 o6 l9 c* j
快速增长的SiP市场4.1.市场规模&渗透率迅速提升! Z& b& C6 A' k R- W9 N) u6 ]2 B: n
2013-2016SiP市场CAGR=15%。2014年全球SiP产值约为48.43亿美元，较2013年成长12.4%左右；2015年在智慧型手机仍持续成长，以及Apple Watch等穿戴式产品问世下，全球SiP产值估计达到55.33亿美元，较2014年成长14.3%。 0 f7 ?- J: j* w4 O% B% r# l i" P1 S2016年，虽然智慧型手机可能逐步迈入成熟期阶段，难有大幅成长的表现，但SiP在应用越趋普及的趋势下，仍可呈现成长趋势，因此，预估2016年全球SiP产值仍将可较2015年成长17.4%，来到64.94亿美元。 . I+ m( L! M# c
