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标题: IBIS与SPICE模型对比及电磁干扰简介！（转贴） [打印本页]

作者: alooha 时间: 2008-2-29 22:03
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作者: lcc008008 时间: 2008-4-2 11:24
学习了

作者: long.yang 时间: 2008-4-3 09:43

原帖由 alooha 于 2008-2-29 22:03 发表
1 M u9 d( T2 K8 d% O0 N什么是IBIS模型. [2 {7 T: K# D, F
IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对I/O BUFFER快速准确建模的方法，是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准，它提供一种标准的文件格式来记录如驱 ...

文章里面有些地方讲的不合适。
IBIS的曲线包括VT和VI曲线,其中VI曲线描述 buffer的静态特性或者驱动能力特性，VT是描述动态能力或者翻转特性。VT曲线必须和VI曲线做correlation,通常是通过所谓的50欧姆工作点来保证VT和VI曲线一致。另外，还有一个很重要的参数是C-compensation,描述buffer的等效电容。
不同类型的buffer，IBIS有不同的VT和VI曲线个数。
比如对于Input buffer，仅仅只有VI曲线；
对于IO buffer,需要4条VI曲线和4条VT曲线；
还有其他类型的比如open sink, open source等等曲线有相对应的曲线个数。

作者: ellefen 时间: 2009-8-18 09:43
dingding!

作者: gavinzhou83 时间: 2009-9-14 14:03
Thank you

作者: kebon22 时间: 2009-10-30 19:36
谢谢楼主
学习了

作者: james_zhangwk 时间: 2009-12-29 12:50
Thanks very much

作者: FLP15 时间: 2010-8-23 16:38
学习~·

作者: zsdgyj 时间: 2010-12-18 11:30

作者: fangqwas 时间: 2010-12-22 15:49
学习了

作者: liweizhe1002 时间: 2011-2-24 10:18
学习了！

作者: tianjifeihong 时间: 2011-3-16 22:37
学习

作者: 风信子—yiyi 时间: 2011-3-21 14:02
弱弱的问下，过冲和下冲是由什么引起的

作者: cccccc32 时间: 2011-3-25 13:43
很详细，谢谢！

作者: xuelili 时间: 2011-10-12 23:59
学习了

作者: zgl846 时间: 2012-4-6 14:17
楼主辛苦了，顶顶哦，加油 bjbdf466zgl

作者: 278529735 时间: 2012-10-2 23:17
学习了，四楼很有见解。

作者: szhot 时间: 2012-10-20 23:57
shuodehen xiangm

作者: jing6wang 时间: 2012-11-23 09:46
学习了，这的确是个好的普及资料。感谢楼主！

作者: elone 时间: 2013-3-6 11:26
xuexi!!!

作者: szhot 时间: 2017-5-11 21:39

作者: sprite_sw 时间: 2018-3-28 19:53
学习了

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