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标题: 电源模块过孔很多很密对性能会不会有什么不好的影响？ [打印本页]
作者: yingjuan    时间: 2009-3-19 09:13
标题: 电源模块过孔很多很密对性能会不会有什么不好的影响？
请教：电源模块过孔很多很密对性能会不会有什么不好的影响？" A$ }. E8 n* ]- _7 j& h1 _
谢谢
作者: yxx19852001    时间: 2009-3-19 09:19
这个不一定，过孔多可以，但是最好还是不要太密，很容易对别的信号的回流产生影响，一定要保证参考平面的连续性，最好孔径大些，但是密度不要太高，满足载流要求就可以了，过犹不及！
作者: forevercgh    时间: 2009-3-19 11:12
这个不一定，过孔多可以，但是最好还是不要太密，很容易对别的信号的回流产生影响，一定要保证参考平面的连续性，最好孔径大些，但是密度不要太高，满足载流要求就可以了，过犹不及！
. \- Q4 W1 E5 K8 q3 [, ayxx19852001 发表于 2009-3-19 09:19
5 F. H8 M' m: |: g" p4 S7 U6 n0 i. e
1 _/ q% O" Z6 _
对于电源模块，分区域灌铜的话，充分的过孔连接应该是有好处的。当然前提是清楚信号流向。
作者: yingjuan    时间: 2009-3-19 11:49
谢谢两位的回答。
; [, p- P. k' R$ E8 F我记得原来看一篇文章说是过孔过多的话会有什么压降的问题，具体怎样不记得了。
作者: Vincent.M    时间: 2009-3-21 01:01
谢谢两位的回答。
$ D/ c3 Q) k+ ?+ L我记得原来看一篇文章说是过孔过多的话会有什么压降的问题，具体怎样不记得了。$ p7 l! C; F" h4 A( w
yingjuan 发表于 2009-3-19 11:49
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关于过孔对压降的影响不是很好估计，从总体模型上来看，过孔始终是LC电路，总会对PDN的整体阻抗稳定性产生影响，从而产生电压波动，就是你说的系统压降。所以过孔数量和位置都不能随意。要想定量预估，最好就是SIWAVE仿真了。



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