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标题: LDMOS器件参数测试详解 [打印本页]

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作者: A-Lin    时间: 2018-9-18 09:38
标题: LDMOS器件参数测试详解

LDMOS是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射射频信号，因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波射频信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。

一、LDMOS器件电学特性在线测试

1、阈值电压测试
- H/ u4 s( Q( f4 L$ W- X& T2、击穿电压测试
3、输出特性测试
1 m1 H( E, E; W" |% Q2 t4 v

二、LDMOS器件负载牵引阻抗参数测试

1、负载牵引测试系统的构成
2、TRL校准
3、LDMOS器件阻抗参数测试


0 F6 h7 J+ b: T$ v9 p1 K0 e0 S

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作者: huanhuaneda    时间: 2018-9-18 23:26
看看

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作者: 如意qq    时间: 2018-9-18 23:28
谢谢分享

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作者: songlei    时间: 2020-1-7 15:40
谢谢分享，学习一下

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