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标题: 射频封装技术:层压基板和无源器件集成 [打印本页]
作者: 青山绿水 时间: 2018-9-10 11:09
标题: 射频封装技术:层压基板和无源器件集成
本帖最后由 青山绿水 于 2018-9-10 11:12 编辑 i. V/ { \% k) G
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射频封装技术:层压基板和无源器件集成
7 B% L% L% O+ q* L. f: v+ m6 i 射频和无线产品领域可以使用非常广泛的封装载体技术,它们包括引线框架、层压基板、低温共烧陶瓷(LTCC)和硅底板载体(Si Backplane)。由于不断增加的功能对集成度有了更高要求,市场对系统级封装方法(SiP)也提出了更多需求。
引线框架基板封装技术在过去的几年中得到了巨大的发展,包括刻蚀电感、引脚上无源器件、芯片堆叠技术等等。框架基板是成本最低的选择,但是更高的功能性要求更多的布线和更多的垂直空间利用,因而,框架封装很少用在RF集成解决方案中。
LTCC因其具有多层结构、高介电常数和高品质因子电感,已经被证明是一种能提供高集成度的高性能基板材料。LTCC方案中实现了无源器件的嵌入,如独立RCL或包含RCL的功能块,使SMT器件所需平面空间最小,同时提高电性能。集成度是LTCC的优点,然而翘曲、裂纹、基板的二级可靠性、以及整个供应链结构(基板在封装过程中的传送)等等对LTCC的局限,使之无法成为流行的载体基板选择。
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作者: Lo710806 时间: 2018-9-10 14:35
Thanks for sharing.
作者: mm58690 时间: 2018-9-10 17:40
谢谢分享,资料不错
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