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标题: 你一定要看的NI射频芯片测试方案 [打印本页]
作者: 青山绿水    时间: 2018-8-31 15:07
标题: 你一定要看的NI射频芯片测试方案
本帖最后由 青山绿水 于 2018-8-31 15:08 编辑 & c9 |! M& b: G0 q& D
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你一定要看的NI射频芯片测试方案
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       随着无线设备复杂性急剧增加，手机支持的频段数量也在不断增加。从最开始的2个GSM频段，到现在的4个GSM频段，3个CDMA频段，5个UMTS频段和10个LTE频段。未来，诸如5G New Radio等标准将继续增加无线设备的复杂性。今天，我们将为各位介绍6个使用NI PXIe、STS、VTS等NI的软硬件系统完成的测试方案。
       1、插入损耗Insertion Loss
       对于很多射频无源器件来说，插入损耗是其中一个关键的测试项目。在一个系统之中，由于某个器件的插入而发生的功率的损耗便是插入损耗，通常插入损耗由dB来表示。
一般来说，对于射频器件来说，如果在器件插入之前传输给负载的功率是 ，插入之后负载接收到的功率是，则以dB为单位的插入损耗由下式给出公式：
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作者: 如意qq    时间: 2018-8-31 18:24
看看
作者: Lo710806    时间: 2018-9-3 23:22
Thanks for sharing.
作者: Dc20230808265a    时间: 2023-8-8 17:36
学习一下



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