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标题: 晶振布局问题 [打印本页]

作者: wshna0221    时间: 2018-1-31 18:11
标题: 晶振布局问题
图一 两个匹配电容在TOP层,打孔到BOTTOM层接晶振。图二 TOP层先打孔到BOTTOM层,经过晶振再到匹配电容。请大虾分析一下哪种更好一些,还有没有更好的方法改进一下?多谢!7 {0 D/ c! {6 ?  P6 D# i9 @

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作者: wshna0221    时间: 2018-1-31 18:12
图一和图二的顺序说反了
作者: 這侽孓譙悴丶    时间: 2018-1-31 22:05
先过电容再进晶体!
作者: huang_ming    时间: 2018-2-1 08:39
过匹配电容再到晶振,图二相当于有stub
作者: guhanzuiying    时间: 2018-2-1 08:42
先过电容再进晶体
作者: 南林维京    时间: 2018-2-1 10:13
我通常都是晶振的匹配阻容,放在一层,先进阻容,再进晶振,
) O8 w  y+ F- O# q) l! T4 m+ \0 ~3 h3 ?9 D. d
不过好像,无源的和有源的,先进哪个有说法的,7 _% B4 _' w5 ^- d
有没有官方的,解释下?
作者: xueling2009    时间: 2018-2-1 10:18
3 s& _: R2 V7 V
先过电容再进晶体
作者: clovep    时间: 2018-2-1 10:44
这个最好是电容与晶体在一块比较好,对于无源的先后其实无所谓,理论来讲电容是起谐振作用的,本身输出为模拟信号;有源为数字信号,最好先经过电容再进晶体;
$ z6 q8 e- t/ d; p; B至于楼主问题,建议图二,电容与晶体同层为好;
作者: wshna0221    时间: 2018-2-1 11:00
根据大家的建议已经修改PCB了。多谢!
作者: wshna0221    时间: 2018-2-1 11:12
由于布局空间限制,芯片和晶振只能放在不同层,打孔穿层肯定对信号不好,不知道会不会有什么影响啊。只能做出来测试了。
作者: partime    时间: 2018-2-1 12:08
没什么区别~~~别瞎想,都是不重要的东西
作者: zyh610710    时间: 2018-2-2 11:01
一般都放同一面,先经过电容再振
作者: 岁月印记    时间: 2018-2-2 16:20
电容和晶振在同一面,先经过电容再到晶振
作者: 岁月印记    时间: 2018-2-2 16:20
电容和晶振在同一面,先经过电容再到晶振
作者: Yaphets    时间: 2018-2-2 17:42
在同一层,先经过电容再到晶振
作者: trocipek    时间: 2018-2-4 11:36
晶振,电容同层就好了。
作者: Simon_Luo    时间: 2018-2-5 08:20
建议图二,电容与晶体同层为好;
作者: 稀饭饭    时间: 2018-2-5 16:01
看图片

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晶体电路Layout注意事项.jpg

作者: robert_zheng    时间: 2018-2-6 16:30
影响应该不大,但是当然先过电容更好。
作者: wshna0221    时间: 2018-2-7 10:02
稀饭饭 发表于 2018-2-5 16:011 \# s5 s$ i4 S% S* \
看图片
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就是晶振的地跟全板PCB的地分开比较好?
  e' L& y. Q6 n) A
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作者: changjinling    时间: 2018-2-8 09:42
过匹配电容再到晶振
作者: wuqiongsu    时间: 2018-2-24 13:40
放同一层,先过电容再进晶体,包地,如果空间有的话,可以选择不穿线。
作者: 巴丹先森    时间: 2018-5-7 16:15
放同侧 过电容 进芯片




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