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标题: i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题 [打印本页]
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-18 15:38
标题: i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题
各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
7 P) [# c( d: d. i1 L
作者: Aubrey    时间: 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-19 13:11
天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-19 13:12
$ {' d7 V4 W2 O6 M* i! C
DDR Freq: 396 MHz + j# x* ~9 U9 {: Q4 L

6 X% r4 H- I1 rddr_mr1=0x00000000
1 {* L. l' m) e+ I, U% pStart write leveling calibration...1 y+ X2 {' t, o
running Write level HW calibration" O, k$ p* j& S6 l
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
! H* Z( S/ x0 G0 J% l    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
& P. w% d* s% g4 {    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008! k/ o. s0 J% C0 W
Write DQS delay result:
- C$ g/ e5 a* O8 C2 g# _8 j/ ~   Write DQS0 delay: 7/256 CK5 p) l9 g$ w, L6 [* y1 P
   Write DQS1 delay: 3/256 CK) C! k4 m5 O4 n+ a. N. W
2 F5 y8 |' A0 Z/ \4 |7 r
Starting DQS gating calibration
8 k5 \/ o/ W! N$ Q" s: O/ F5 H2 O. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x000000110 }8 u. x3 n* [% a7 G# [, h  M
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011+ _& L7 g2 }. n: j
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011: t" \- K! Z) V. r' l# e
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
- P" ?0 n" }' L; N8 s/ J4 Z, o. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
, E7 s) y' O# P9 F. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x000000118 _$ ~8 E6 y5 Q. g, V# d
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x000000118 @& \7 G4 i- d) k$ [& S
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
- x& I+ O- \! {5 w2 o. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011( O1 X1 L: c. N: a; ]- V% V
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
4 i% P4 g  f' b. W: _. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011# A+ B5 Z  m5 R$ j, X
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011+ X# S; y. Z# S; {$ ]2 s4 Z. V
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011; x- f7 I( w. m
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
$ h$ k1 q# s! t8 S+ R' ^# ~ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
+ [4 o: f) X. `6 @8 {% S$ x) H+ k  c" X: pdram test fails for all values. / Y2 @6 u; G6 b, m
9 L9 `3 x" _9 p5 @! o% U, Z: u
Error: failed during ddr calibration
: c0 p! h7 w+ I' ]- T+ Q! \  z9 @, V- |
作者: Aubrey    时间: 2017-8-21 09:58
4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下
作者: kele1983    时间: 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-21 13:10
kele1983 发表于 2017-8-21 10:412 n+ v4 ?/ C8 f1 N7 A; p5 ~& A
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

/ {% s+ ^+ U; u1 v试过，也不行
- w# f9 B2 B; E. w! L' l
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-21 13:10
Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01! E& ]: Z  r/ [# R  ]
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？
2 w. x9 Z3 L0 w8 `
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的, z* z# K1 {5 K7 E' I- v3 j
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-21 13:11
DDR Freq: 396 MHz # F0 ~; R/ B. u: i
3 o6 v/ V' o' q0 j' w
ddr_mr1=0x00000000
7 X. J% Z7 R2 w& @! EStart write leveling calibration...
  z3 P8 v8 p2 a8 L6 z0 J5 F* v2 r+ grunning Write level HW calibration+ x. |& @  C6 ~5 l: W2 f% I6 w
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
* c* f: f) [) g, C    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
- l  ]# g5 c. W- |4 @. ?    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
6 p4 l9 R0 j4 o7 `$ ?0 JWrite DQS delay result:
7 v( k& {, V5 u/ g5 M. o& l   Write DQS0 delay: 7/256 CK! Y' Z" ~$ \+ K: e( m7 @
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
2 ^% g- z2 [- S) p1 l0 q& P
3 P' G1 Y2 ]2 R9 d+ hStarting DQS gating calibration' e. P# [! l, W- \- r0 W
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011" _, {: C/ e: @8 O4 l
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011: J9 ~! r8 m3 N; x  `. B) i) r
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
% u9 _8 O; h* w. o/ ^* T' m* B* Y3 T. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x000000112 _8 O" p3 M2 X/ p; {
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011& m9 z8 X& F9 d: O
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
( o! |/ k$ N$ o* K+ x. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011: {; Y9 p; ]! a& r, X( I, q9 E
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x000000117 i# L) {/ G" @1 a
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
3 A2 T& M- C# a# ~. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011- W0 w+ K# t/ v7 c! Y- G/ w
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011* d& S% Z% ]7 u. n/ b* `
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
# `0 k& q" r" E  o, `- n2 s. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
4 |% p) Z- P' C5 b& A2 x. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
" o( [4 p" A; {2 ~ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!( w4 U" |" J' i+ W5 v% f
dram test fails for all values.
+ U6 d" P  m7 D! J  f6 S, ?" y- u& X/ `! ^; @0 N6 {0 C
Error: failed during ddr calibration
  _  v. o% v+ m. l  V
作者: kele1983    时间: 2017-8-21 13:37
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10; q) L) J+ p9 V: C6 E) v
试过，也不行

$ L! @& c# q' M: K8 s. j+ A我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
3 c' H" ]% J6 _+ Q* |) H还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
9 y& J$ _7 w4 C5 t: b我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
- V9 @$ r! o( |$ k2 z# {
4 R- \: w4 m9 c5 T) B
作者: 超級狗    时间: 2017-8-21 14:18
挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
% f% @9 o3 Y9 H1 @) v3 H+ @
9 z+ `' x9 p. |: |9 Chttps://community.nxp.com/thread/3651063 q" g: I, \% _5 K. s; T

  g5 _) i4 ]8 M" D6 d
& X* _9 w9 _, e1 h( R
2 t! |2 S2 {5 j+ U* V. d5 q; ]+ J5 A" \  \4 k/ O' y
作者: 超級狗    时间: 2017-8-21 14:28
本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑
5 ^2 p0 B# H0 B9 E! ]+ Z7 M) z1 [  ?
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:102 N; z# E0 M4 x
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...
" b6 A5 d9 q  q3 u7 S. B
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。+ {: V9 N' r$ |0 @; f, i* s3 y( Z

7 \, B$ R! b& s, |8 A7 h9 J如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。0 q: n/ q5 D: Q5 s$ ?

. r8 ?' A5 R% b. u& w* B% `2 H
- V, ^% e2 U# a6 j3 Y
作者: duzz    时间: 2017-8-21 16:40
狗版主，这么翻译飞卡要气死
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-21 16:54
已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了
作者: zxk    时间: 2017-8-22 07:16
路过，学习一下 mark
作者: x1215    时间: 2017-12-24 07:43
挨打沒死六 XD



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