IBIS GND Clamp值测试方法

gadfly0317

最近在进行IBIS的建模，有问题想询问。
在建立I/O model时，需要测量Pullup，PullDown，GND Clamp和Power Clamp四张I/V图。
我的理解，测试GND Clamp是使用可变电压源，连接GND和output node，然后电压从-VCC到2VCC，然后得到电流值。
那么，PullDown的电流如何得到呢？怎么感觉测试的测试点是一样的呢？
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tanghao113

期待楼主更新

gadfly0317

后面我学习了IBIS Forum的Cookbook，其中有提到如何使用仿真的方法来从SPICE得到IBIS模型。
; y; \4 N  {/ F1.对应Pullup是让输出状态高，然后在输出和VCC之间加电压扫描，来得到对应的电流值。
2.对应Pulldown是让输出状态置低，然后再输出和GND之间加电压扫描，来得到对应的电流值。
3.对应PowerClamp是让输出高组态，然后在输出和VCC之间加电压扫描，来得到对应的电流值
4.对应GND Clamp是让输出高组态，然后在输出和GND之间加电压扫描，来得到对应的电流值。

然后我按照这样的理解，使用了PSpice来仿真。
% x* S) h' r* p$ q我在TI官网上下载了SN74LVC125A的IBIS和pspice模型。
+ Z. v: H1 |) u然后用PSPICE画回路图，但是我仿下来GNDClamp是uA级的，但是IBIS模型是mA级的。所以我也不知道现在错在哪里了。
" C- L% y: z+ ?' n- m7 }5 M还需要继续研究。

NIWO99

同问，会玩仿真的太少。