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标题: 比较下2款稳压管做的过压保护电路 [打印本页]

作者: kepo013    时间: 2015-12-15 23:49
标题: 比较下2款稳压管做的过压保护电路
比较下优劣
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: b. t5 s9 A5 e+ Z& t& l+ J# _6 X, M# ]

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' v( Z5 B% j5 \5 D
- A+ B$ h0 W- V% f1 |$ r
作者: kepo013    时间: 2015-12-15 23:51
第一个图为小厂家,第二个图为大厂家。产品为竞争机型,均使用5V1A电源
作者: bbw2131489    时间: 2015-12-16 09:14
图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对
作者: myiccdream    时间: 2015-12-16 18:55
第一个图电阻值很小。流过稳压管的电流应该会很大。 第一个图的R5 是预留的? 实际不焊接的吧?
作者: 土豆水煮鱼    时间: 2015-12-17 15:29
帮顶
作者: 超人会1飞    时间: 2015-12-17 15:45
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:14
- p3 _2 E6 R1 S  s/ U* Y3 N7 A3 h图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对
# P1 U: {  G/ U$ J5 Y+ j- l
不对" `$ G0 i, s% x& @

作者: 超人会1飞    时间: 2015-12-17 15:53
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:14
( d, M3 M0 r! t2 p* p0 J. S: B图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对
4 x* g( K' O2 E- d# Q
因为MOS被击穿一般都是在G级悬空的情况下,由于寄生电容,可能管子会被击穿,但现在的管子一般内部做了保护电阻的,而且外部G级有一个到地电阻,这里的R5我觉得是三极管导通的时候给G级一个快速响应的确定态,从R5比R4多了20倍不止就可以看出来
  b) W7 {5 d- }1 u4 T' z( v
作者: 超人会1飞    时间: 2015-12-17 15:55
第一个图三极管的分压电阻值可以值乘以10,现在的值太小会增加损耗




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