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标题: 5V,24V电路选择求助 [打印本页]

作者: cewtf    时间: 2015-8-22 17:39
标题: 5V,24V电路选择求助
Hello,各位大神:
9 N$ D4 z+ o3 d8 d2 Z        小弟最近碰到一点比较怪异的问题,小弟想做一个5V和24V自动选择的电路设计,在设计的时候碰到了一些问题,原本设计中24V电路已经实现了。具体见图片1。但是在5V的选择上有一点小问题。在MOS管出来之后,电压会自动下降0.6-1V左右。不知道原因。用模拟仿真做出来结果更不理想。但是按照设计思路来说应该是没有问题。不知道原因。小弟另外又想了一种方案,但是无法实现,见图片2。也想咨询一下具体愿意。尤其是再三极管下端的电阻那边,按照我的理解,应该会跟上面的电阻进行分压,但是完全不知这样,小弟想到的原因可能是三极管进入了放大区,所以无法实现。2 i$ r3 K, Y9 U3 `+ y
        另外各位大神有没有好的方案可以借小弟参考参考。不甚感激。, E6 Y  j( D& \7 A( R

图2_5V.png (77.2 KB, 下载次数: 1)

5V输出OK

5V输出OK

图2_24V.png (90.37 KB, 下载次数: 1)

24V异常,不希望RL_5V那里有电压

24V异常,不希望RL_5V那里有电压

图片1_5V.png (83.89 KB, 下载次数: 2)

5V电压输出有下降

5V电压输出有下降

图片1_24V.png (75.49 KB, 下载次数: 1)

24V输出正常。RL_5V端无输出

24V输出正常。RL_5V端无输出

作者: kevin890505    时间: 2015-8-22 23:17
本帖最后由 kevin890505 于 2015-8-23 07:59 编辑 4 ~0 E$ g) @4 d/ f, ?3 b& ~

" |; T8 r% @- S9 H1,你原来电路是不行的,三极管永远不要忘了be压降,第一二图的Q1基极是是多少,那么如果三极管导通,发射机肯定是ub-0.7V,算都不用算,那么你Q1算下来就不能和你的1K,47K来依靠分压构成一个足以把PMOS关断的高电平。
- D0 ]* ~# m! c+ o& ]% Q0 K2,改后的方案还是不行是肯定的,NMOS不是你那么驱动的,Vgs 在你导通前,S是0V,还可以说,那逐渐导通,假设导通到5V,那么你Vg最大也是5V,如何来驱动NMOS?所以显然不是这么回事。 不然DCDC就不要自举电容,不要NMOS驱动了。
) ]9 o8 W- i+ M6 |' d# b4 j" |% [+ v
我也没用过这方面电路,如果你只是单纯这么切的话,最简单的你可以弄两组分压,一组1:10,一组10:1  然后配合一个NPN,一个PNP,这样用这两个不同的分压来驱动这两个三极管,然后进一步驱动MOS。但是逻辑中还有一个,就是大于5V后,你5V输出需要关断,所以再加个三极管,做个门就可以了。. W1 H6 B6 x9 y# H; {1 e; f5 y+ P: T+ Q
个人觉得这电路不一定靠谱,因为实际中存在各种来回切,高低压,连续快速切,门限,保护,如何保证其可靠性是个问题。  不了解你应用,说不准,不如找个现成的IC吧,这种马虎不得。
作者: fallen    时间: 2015-8-23 17:36
简单问题复杂化,用两个MOSFET即可。
* c0 K! A/ g" \: G, Q  E9 {最后一个图,Q1都不导通。
作者: zlpkcnm    时间: 2015-8-24 09:07
用两个PMOS应该就可以了吧~~~~这种电路的选择类似了笔记本里面的直流供电和电池供电选择方案~~~去下个那个原理图,看看就行了
作者: cewtf    时间: 2015-8-24 16:09
kevin890505 发表于 2015-8-22 23:17
0 N1 o. l: C2 v- D! `9 h) I1,你原来电路是不行的,三极管永远不要忘了be压降,第一二图的Q1基极是是多少,那么如果三极管导通,发射 ...
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多谢!我想明白了。我们模拟这样可以。整在焊接一块电路板出来尝试。
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图片3.png (25.45 KB, 下载次数: 1)

图片3.png

作者: yujingfa    时间: 2015-8-24 18:55
我说个只用两个器件的,用两个二极管构成或门如何
作者: kevin890505    时间: 2015-8-24 19:08
cewtf 发表于 2015-8-24 16:09' J2 y& G. R: P/ F3 N
多谢!我想明白了。我们模拟这样可以。整在焊接一块电路板出来尝试。
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逻辑是没问题,还看你们具体用途了,需要优化不,比如快速切换上电是否要家电容缓启动,比如电源条件,MOS是否需要Vgs保护TVS等,这些实际使用中可能导致问题的点。 类似MOS我们也有用,如果在某些恶略点的环境下,就这个电路,出问题概率还是有的。
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