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标题: 上电冲击电流的抑制 [打印本页]
作者: 光辉 时间: 2015-6-15 11:21
标题: 上电冲击电流的抑制
电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?
* H: a1 S! \- ?8 v; F0 \& c
谢谢!
) x7 T: U, K, |9 d' I
. F, x9 V+ x; n* g
-
上电冲击电流.png
(106.09 KB, 下载次数: 17)
作者: fallen 时间: 2015-6-15 11:34
串联电感
作者: 光辉 时间: 2015-6-15 14:46
0 z& a" X9 e7 J& N6 [# n
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
+ I) I- a9 E! t; ]; M
作者: cmg227 时间: 2015-6-15 16:31
为什么是N管呢,你确定能完全打开?
作者: 光辉 时间: 2015-6-15 17:20
) P) P3 H# ?9 N* Y- J* q" ~! }* YG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。0 s( J3 N9 x2 S1 K1 Z9 l
之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。
" ^! i: G3 `: w. c9 Q0 I+ N& E6 p) Z' \+ O# }- u
作者: cmg227 时间: 2015-6-15 17:22
光辉 发表于 2015-6-15 17:20
4 A9 p& T( ]( o @( SG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
# K) S) Q# a7 D# m) G2 m之所以选择NOMS,而不 ...
1 g% o7 L. ~, q5 K- r哦 又学了一点呢 谢谢
- Z- ^. A6 }0 [' W
作者: fallen 时间: 2015-6-16 09:55
. D9 f% B- r6 Q+ a/ I
串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。
+ |& N) v7 Y* V" A `你再找高手问问吧。( L2 L- N6 R' x O8 r
作者: seawolf1939 时间: 2015-6-16 17:48
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变
1 r. f0 i$ @+ W: n" P* Q) W
! @( H6 s/ M/ W; J% h不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻
6 n8 W1 q* L6 d/ ^. g) i; t4 K
作者: weihuaping118 时间: 2015-6-16 20:49
延迟打开试试
作者: mayafeng 时间: 2015-6-18 13:53
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置
作者: Head4psi 时间: 2015-6-18 17:02
#8 is good answer.
# C# F3 `0 ]% mSurge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.
- Y9 d; j! u4 v" y: uA resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.
作者: myl593799546 时间: 2015-6-19 20:59
: L) I( l! M* ~冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过6 j+ t a- P$ x, t
作者: myl593799546 时间: 2015-6-19 20:59
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适
作者: fallen 时间: 2015-6-20 12:52
% g9 `& g |* }
恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。6 ]2 a1 x! P* T" w! O( d, t
, {; g) Q3 @* H8 W# S& w
) @% l2 Y+ R5 Y1 m2 d, |: x0 o3 R. e2 t' @1 n/ H6 V
作者: fallen 时间: 2015-6-20 12:53
, ]4 [$ @, D. O' ^) r
不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
5 H' g0 b# T" P! ?7 E
作者: myl593799546 时间: 2015-6-20 18:06
) r& {( O& q% ^3 s3 O! h容性负载,这个冲击能消除?
作者: fallen 时间: 2015-6-23 00:29
' N a- l% R+ T, z
能否消除,不一定,至少可以减少一些。$ s0 \+ s; }. s6 L) W
比如软启动,PFC或者串电感都可以。 O% _! X# R7 e! u+ M0 L! ]1 o3 x
作者: 斯坦隆平 时间: 2015-6-23 08:34
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作者: 斯坦隆平 时间: 2015-6-23 08:34
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作者: 斯坦隆平 时间: 2015-6-23 08:37
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作者: 光辉 时间: 2015-6-23 09:56
9 E% h( g) _( _$ v" M/ e
电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。
& u x3 u2 s k2 r/ b# v5 k5 f9 z电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。" U7 K c0 A' s* l3 Z
这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。% |9 m! _8 a- p& Q9 F
后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。$ i. R6 e6 {" P, l( [/ U8 Z
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9 j5 O, e( |) @
作者: CStaller 时间: 2015-6-24 14:06
光辉 发表于 2015-6-23 09:56
( N! g+ G4 J' e/ y5 [ f电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。
( a0 G* u) `' H6 |7 d" h电路的后级通过连接器直 ...
6 f% ], j: V6 x5 ?; h估计你加电感太小了,要仔细看电感参数,不要饱和了
5 x# ?% [7 J* `6 a+ `
作者: 斯坦隆平 时间: 2015-6-26 08:41
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作者: 光辉 时间: 2015-6-26 11:22
! D- h% u: q" n2 J8 ?& {有影响,电路要求有电流检测和过流保护功能,上电时的冲击电流,会导致电路误保护和过流告警。/ F+ q. a2 _/ ^: x2 e7 j) |
作者: 光辉 时间: 2015-6-26 11:23
9 g7 H. D' V/ p" K0 ^* \# O
那应该怎么选择电感呢?一般需要选择多大的电感?
+ C. [# `9 T2 k# M受单板空间的限制,电感的体积不能太大。
t8 A& h2 i+ [4 N" F
作者: CStaller 时间: 2015-6-26 18:36
光辉 发表于 2015-6-26 11:23
! C( M" X5 i- h6 d5 Z& v那应该怎么选择电感呢?一般需要选择多大的电感?( ^) u4 a. r7 M# e0 }; |8 z# ~
受单板空间的限制,电感的体积不能太大。
: n% {9 V8 y" @0 c v2 O
我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。5 a( Q$ s2 B: U, z% |" r
具体参数可以仿真一下,或者试一下% Y9 }5 f: K+ I8 A' j
作者: 中臣 时间: 2015-6-30 15:38
串聯電感是最好的選擇,但是要試驗感值大小。 buck電路就是利用電感限流;
作者: 光辉 时间: 2015-7-1 11:15
) G* i5 {# N$ y1 P7 D
使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。
9 `) N# l! c) f: g0 x2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。) O" x0 \/ S! @( _* s, U" ^% D$ v% {
所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。
" M& E' e8 [8 e. `9 a3 a2 F9 G) R- u9 J; `) I: ~3 h9 B4 E
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作者: 高荣forever 时间: 2015-7-13 11:12
在管子两端并联一个电阻,较合适的电阻规格500ohm/5w;这样可以避免你说的问题;或者可以加个限流支路,限制无功充电电流。
作者: flywinder 时间: 2015-7-13 11:22
在NMOS前面串电感试试
作者: jiangzhb 时间: 2015-7-20 17:20
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作者: seawolf1939 时间: 2015-7-21 22:29
串电感呗
作者: zgq800712 时间: 2015-8-15 20:09
上次用稳压电源测的,一个220uF的电容上电冲击电流最大多到了40/50A,不过我用的是48V转15V电路,前面接了个50欧的2512电阻。 也有48V的并联电容不多他上电冲击抑制。
作者: wangshilei 时间: 2015-8-17 14:33
PTC 电阻来解决
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