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标题: 散热将成为功率半导体决战方向 [打印本页]

作者: cool001 时间: 2015-4-1 14:46
标题: 散热将成为功率半导体决战方向
偶尔看到此文章，是否散热的春天又来了。

快捷半导体台湾区总经理暨业务应用工程资深总监李伟指出，功率半导体方案的发展方向并不是提升转换效率而已，散热表现也是功率半导体相当重要的因素。所以不管是在新一代的功率模组或是高压切换元件，都将提升散热的表现的设计加以导入。

　　首先是智慧功率模组，该款产品的目标应用是在工业逆变器、泵浦与三相规格的工业马达等就相当适合，众所皆知，马达是全球能源的消耗比重最高的应用领域，如同李伟所谈到的，除了能源效率外，散热也是一大课题，所以快捷采用DBC(Direct Bonding Copper;直接覆铜)封装技术，除了提升散热表现外，也一并缩小整体的PCB(印刷电路板)的面积。根据快捷指出，为了因应三相马达应用，该功率模组搭载六颗IGBT晶片与三颗驱动晶片。

　　然而，以SiC(碳化矽)为基础的功率开关元件，也开始在市场上逐渐崭露头角，对此，快捷接下来是否有打算采用SiC来开发功率模组?李伟进一步谈到，目前快捷已经有了SiC为主的BJT(bipolar junction transistor)产品，接下来也有意推出Didoe的产品线，至于开关元件方面，的确有在规划当中。从目前市场的需求来看，功率模组的设计采用IGBT的设计应以足够，还没有听到市场有SiC的需求。他也谈到，客户除了在意元件尺寸与转换效率外，对于价格也相当敏感，若推出以SiC为基础的功率模组，即便在系统整体表现上相当地惊人，但价格过高，客户一样不会买单。

　　同样的，英飞凌收购PCB制造商Schweizer Electronic股份，其目的之一也是为了散热表现。李伟本人不愿意发表太多看法，但他直言，很明显的，接下来功率半导体业者会将注意力放在“散热”表现上，这也将是功率半导体业者们的决战点之一。

作者: frank2 时间: 2015-4-1 16:02
现在IGBT的散热是一个挑战，功率很大，

作者: 南飘郎 时间: 2015-4-2 13:40
IGBT由于功耗比较大，很多已经采用水冷散热了。

作者: alice1990 时间: 2015-4-7 17:18
貌似都要加装散热片，

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