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标题: 东芝发布16GB 3D闪存芯片 包含48层存储空间 [打印本页]
作者: 菩提老树    时间: 2015-3-27 08:59
标题: 东芝发布16GB 3D闪存芯片 包含48层存储空间
今早一起床看新闻，结果发现一个振奋的信息，这些个技术，你还不得不服小岛国。4 {% V$ j9 l/ e! l9 m6 P5 b8 q
       东芝公司今天宣布，该公司已经开始提供非易失性存储器芯片（BICS）的样品，其中含有48层，每个cell当中包含2 bits，每个芯片容量16GB。新闻稿当中没有详细说明BICS闪存制造工艺，但值得注意的是，东芝堆叠层数多于同行其他厂商。三星和IMFT，英特尔与美光合资闪存企业，都使用32层的设计。三星目前实现在每个芯片当中提供10.8GB的MLC配置，而IMFT跃跃欲试，将于今年晚些时候出现推出32GB存储容量的3D闪存芯片。9 K: ~$ g" F( }# M
        BICS闪存主要面向固态硬盘，东芝表示其中的3D结构可以提高写入可靠性/擦除次数，并提升读写速度。东芝预计年内不会开始批量出货这种3D闪存芯片，大规模出货要到2016上半年，该公司正在与SanDisk合作，建设一个新工厂专门生产3D闪存芯片。- T0 _7 D0 V3 L$ _6 D

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作者: qiuzhang    时间: 2015-3-27 09:38
这个3D是指的晶圆加工技术，不是封装吧
作者: qiuzhang    时间: 2015-3-27 09:44
3D晶圆堆叠技术的出现，是不是意味着TSV封装技术该末落了。- ]% Z, I  O3 F# @' i
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作者: qiuzhang    时间: 2015-3-27 09:56
跟intel的3D晶体管不懂有啥区别



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