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标题: 求磁珠选型方法,以及磁珠与EMC关系 [打印本页]

作者: xiaoyu    时间: 2015-3-13 14:08
标题: 求磁珠选型方法,以及磁珠与EMC关系
在电源线加磁珠可以降低EMC,那各位大侠,磁珠怎样选型呢?例如:电源电流为500mA,要滤掉高频,那是选定100MHz阻抗越大的抑制EMC越好?
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作者: fallen    时间: 2015-3-13 14:36
阻抗越大,EMC抑制越好,这是对的。
7 |& ^; R$ g; i关于选型,就说两点3 }9 M% B. j  D  a- K. z
1 电流尽量大点,因为开机的时候会对后面电容充电,电流过小容易烧坏,我一般用0603/2A的以上的
4 B5 i8 I+ ~2 B" j% v2 阻抗不要太大,容易造成压降,电源线我一般用60R/100MHz,当然还需要看具体的测试结果。
作者: xiaoyu    时间: 2015-3-13 14:40
谢谢大侠,我现在是用的30R@100MHz,1A的,但是EMC测试260MHz超标2dB。CPU主频260MHz,DDR频率133MHz。
作者: fallen    时间: 2015-3-13 15:52
xiaoyu 发表于 2015-3-13 14:40
- i7 ~/ s2 J6 v9 g1 C5 M5 X谢谢大侠,我现在是用的30R@100MHz,1A的,但是EMC测试260MHz超标2dB。CPU主频260MHz,DDR频率133MHz。
) W8 }3 ~. t' z, E" J6 V. I
电源主要看有没有低频的包络,比如200M一下的辐射。
* R* R7 T1 I- L8 m( s3 `你那个点是不是尖峰而不是包络?读点能不能读下去?你在CLK上串电阻或者磁珠看看。: u9 g6 N( o8 l- m! |( [9 Q

作者: xiaoyu    时间: 2015-3-13 16:18
电源上没有包络,260M那里是尖峰,CLK和数据线上都有22R的串阻。读点是什么意思?
作者: fallen    时间: 2015-3-13 16:44
xiaoyu 发表于 2015-3-13 16:18
! v# z0 `( u- S( N电源上没有包络,260M那里是尖峰,CLK和数据线上都有22R的串阻。读点是什么意思?

1 D. V' G4 e& o+ G. ~: t如果是尖峰的话,就重点查CLK,换成磁珠或者加点小电容之类的。读点就是扫描出来的波形是超过的,单独去扫那个频点,读取值看是否不超。不过你都说了超了2DB,可能就是读该点的值。1 c$ ~, \$ m  J# ]" k2 q, ~* J. z

作者: 北漂的木木    时间: 2015-3-16 13:27
本帖最后由 北漂的木木 于 2015-3-16 13:32 编辑 ) n+ E  k' u) x6 t! {% a: ]  z0 ]
fallen 发表于 2015-3-13 14:36
% D9 T( m3 P% g& `! U0 R- \阻抗越大,EMC抑制越好,这是对的。
9 M$ L8 d: U" j/ L, L+ G关于选型,就说两点. w( e6 [; b8 S& z+ ]
1 电流尽量大点,因为开机的时候会对后面电容充 ...
/ e* |$ P. c; B5 M6 I; T  Y* O/ \
磁珠有电阻(直流电阻)和阻抗(@100M的阻抗)。在电阻已定(小于50mR)的情况下,为嘛不选大阻抗呢?阻抗大,对应100M以外的频段,抑制会更好些。
2 J* X& o+ o6 |: M2 x$ z0 v! K7 H2 N3 A! l8 a

作者: fallen    时间: 2015-3-16 14:02
北漂的木木 发表于 2015-3-16 13:27- c0 e1 m( V# O- [6 z: z
磁珠有电阻(直流电阻)和阻抗(@100M的阻抗)。在电阻已定(小于50mR)的情况下,为嘛不选大阻抗呢?阻 ...
9 \7 f- o$ x( q
你可以看磁珠的规格书,DCR一项,在同一尺寸的条件下,标明的阻抗越大,DCR越大。不是你说的小于50mR4 n) V: ?: [. @* |

作者: 北漂的木木    时间: 2015-3-16 18:10
fallen 发表于 2015-3-16 14:02
. N! ^- D4 J, E4 ]- e/ B$ S9 u# n你可以看磁珠的规格书,DCR一项,在同一尺寸的条件下,标明的阻抗越大,DCR越大。不是你说的小于50mR

- m+ s, n3 v. M3 S$ o( h6 v; T50mR只是个举例,并不是说磁珠的DCR都小于这个值。. J/ @& g% U( P' N3 B1 O$ d

作者: criterion    时间: 2019-9-12 17:49
本帖最后由 criterion 于 2019-9-12 17:50 编辑
" z% k! S' y' C6 c5 u7 r8 A
" b$ U) d# E6 F  r! O2 F* t, m+ L
: q# u8 q7 X- w+ j7 L
/ X+ `& v4 X" N
  H7 ]' {. ^$ k
; f9 r" E1 Q0 J1 j
由于磁珠的阻抗,都会随频率变化,因此Datasheet,都会标注特定频率下的阻抗值,
一般都是以100MHz为特定频率。

: E# p9 ?* G: S! i- C' r; Z8 ?- t* B0 d

) |# y! y" j# m& O
虽然磁珠等效于电阻与电感串联,但磁珠对于高频噪声,才有抑制作用,
换言之,我们所要利用的,是磁珠在高频下的电阻特性,
因此在效能上,必须以电阻看待。
而由上图可知,在高频时,由于电感值小于电阻值,其磁珠的阻抗,由电阻所支配,故其Datasheet的阻抗值,其实几乎等同于电阻值,
所以一般说的600R,代表在100MHz下,该磁珠阻抗为600奥姆,电阻值也约600奥姆。

7 a/ H% j) f+ X" K5 U/ |; a# l9 ~8 f, [6 z) t
% Q% z8 r" w6 `: ~5 h/ p

# E8 i+ }# T! q) }# @
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4 f' _1 O( O1 `- ]4 h
2 [+ Y% @' q  S3 C
- ]; _( P5 C. F6 e7 L

% ^0 I1 w! U5 M6 d0 F
也因为磁珠的阻抗,会随频率变化,因此在挑选时,需注意该磁珠于噪声频率下的阻抗值,如下图 :
2 G0 ^" B3 @- w, U

0 E9 ^* n' j- U7 I$ v

( W( r: n3 [: e# y* g
# L( [6 f: H) c  B" @, m3 N

$ b) g$ q' t6 r1 l

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  ^5 v& K0 |+ G; Z+ z. G4 D

! u& }6 Q" m9 Y1 C" A* a- r
噪声频率为10MHz,而Sample A在10MHz的阻抗,明显比Sample B高出许多,
而由波形可知,Sample A的上升与下降曲线,也比Sample B平缓许多,连带在频域上的噪声成分减少许多,
亦即Sample A抑制10MHz噪声的能力较佳,
而Sample B比较适用于100MHz ~ 200MHz的噪声频率。

/ L; m. I  m  \) z4 ?& G
- j7 s7 g' g! u6 k; `; y9 r: L& s. I" u: B- N
虽然噪声频率下的阻抗值越大,其抑制噪声能力越好,
但若阻抗越大,其DCR也越大,亦即其信号的损耗,以及电源的IR Drop也越大,
故需做一个折衷考虑。
* x$ D- T8 n8 p; L8 A% y

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: b( \9 X1 k. f9 i% e- P) X7 z
: `) H+ \' S# u$ y# s( M
; Q; Y( ^: A4 q; h1 J/ F  Z$ H

# D2 U. R7 x  A1 Q0 F8 O
由上图可知,当流经电流加大时,其磁珠的有效阻抗与带宽,都会跟着下降,
虽然因为频偏关系,导致电容性频率范围的阻抗有所提升,
但毕竟我们所要利用的,是磁珠在高频下的电阻特性,而非电容特性,
因此其额定电流越大越好,至少需为流经电流之1.3倍。
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0 M' K& f- M% w3 I: G4 h4 r( |9 g' e8 B
( D, N' x/ p5 y2 |. I" [3 ?; E+ F- R7 H: m

; _; k8 N+ f0 f8 p
一般而言,额定电流越大,则尺寸也会越大,
但阻抗会越小,
因此虽然额定电流越大越安全,
但会加大占用空间,且降低抑制噪声能力,因此须做一个折衷考虑

5 \! B6 E; \! Y9 ^
. W5 r- Y1 b4 v. G6 M3 r
& H. D4 U$ c! a5 K6 B3 _
* w4 A: W) t0 ~% \4 N$ h+ H' K
. N! t! s5 N6 A

! s- S, s+ d- z
所以简单讲
5 P% ]1 _; P7 e* o

$ j, z# ]$ z# ^  B. a8 n- z: Q: l/ v/ ~9 _
1.       找一个额定电流大约600 mA的磁珠
2.       然后挑选在其噪声频率    有高阻抗的
3.       最后    确认其DCR   假设IR Drop你可以接受    那就定了
/ y6 E# z; l- p
. P8 j) ?- P+ n0 y) z8 B
4 k2 A. f4 `8 L% p3 j  E
之后再依照你的量测结果作调整

. ^' I" M# R  E4 B* W8 S, N$ K+ Q3 R% h& J

6 E# \6 u( p% j1 B, v1 U+ J
作者: kk602321    时间: 2023-5-6 11:57
好贴学习了
作者: 6940    时间: 2023-5-6 13:04

9 V/ O  m+ C( T! M好贴学习了,最近正好在整改EMC
作者: 布鲁斯    时间: 2023-6-21 14:28
学习了学习了
作者: szkalwa    时间: 2023-6-30 09:27

) ?# n# u" M( b4 y' V) `$ o1 J学习了学习了
作者: zz2023    时间: 2023-11-17 17:25
fallen 发表于 2015-3-13 16:444 V4 y* z+ ~8 r. ?+ {
如果是尖峰的话,就重点查CLK,换成磁珠或者加点小电容之类的。读点就是扫描出来的波形是超过的,单独去 ...

. U% I: Q& s0 ^. _& x有可能是Lay板走线的问题,CLK串的电阻放的位置、走线长度,走哪层关系很大,它就是一根天线,最好用频谱直接耦合接上去看看有没有这个频率
+ {6 @  b, K9 \1 z0 ?




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