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标题: 求磁珠选型方法,以及磁珠与EMC关系 [打印本页]
作者: xiaoyu 时间: 2015-3-13 14:08
标题: 求磁珠选型方法,以及磁珠与EMC关系
在电源线加磁珠可以降低EMC,那各位大侠,磁珠怎样选型呢?例如:电源电流为500mA,要滤掉高频,那是选定100MHz阻抗越大的抑制EMC越好?
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作者: fallen 时间: 2015-3-13 14:36
阻抗越大,EMC抑制越好,这是对的。
7 |& ^; R$ g; i关于选型,就说两点3 }9 M% B. j D a- K. z
1 电流尽量大点,因为开机的时候会对后面电容充电,电流过小容易烧坏,我一般用0603/2A的以上的
4 B5 i8 I+ ~2 B" j% v2 阻抗不要太大,容易造成压降,电源线我一般用60R/100MHz,当然还需要看具体的测试结果。
作者: xiaoyu 时间: 2015-3-13 14:40
谢谢大侠,我现在是用的30R@100MHz,1A的,但是EMC测试260MHz超标2dB。CPU主频260MHz,DDR频率133MHz。
作者: fallen 时间: 2015-3-13 15:52
) W8 }3 ~. t' z, E" J6 V. I
电源主要看有没有低频的包络,比如200M一下的辐射。
* R* R7 T1 I- L8 m( s3 `你那个点是不是尖峰而不是包络?读点能不能读下去?你在CLK上串电阻或者磁珠看看。: u9 g6 N( o8 l- m! |( [9 Q
作者: xiaoyu 时间: 2015-3-13 16:18
电源上没有包络,260M那里是尖峰,CLK和数据线上都有22R的串阻。读点是什么意思?
作者: fallen 时间: 2015-3-13 16:44
1 D. V' G4 e& o+ G. ~: t如果是尖峰的话,就重点查CLK,换成磁珠或者加点小电容之类的。读点就是扫描出来的波形是超过的,单独去扫那个频点,读取值看是否不超。不过你都说了超了2DB,可能就是读该点的值。1 c$ ~, \$ m J# ]" k2 q, ~* J. z
作者: 北漂的木木 时间: 2015-3-16 13:27
本帖最后由 北漂的木木 于 2015-3-16 13:32 编辑 ) n+ E k' u) x6 t! {% a: ] z0 ]
fallen 发表于 2015-3-13 14:36
% D9 T( m3 P% g& `! U0 R- \阻抗越大,EMC抑制越好,这是对的。
9 M$ L8 d: U" j/ L, L+ G关于选型,就说两点. w( e6 [; b8 S& z+ ]
1 电流尽量大点,因为开机的时候会对后面电容充 ...
/ e* |$ P. c; B5 M6 I; T Y* O/ \
磁珠有电阻(直流电阻)和阻抗(@100M的阻抗)。在电阻已定(小于50mR)的情况下,为嘛不选大阻抗呢?阻抗大,对应100M以外的频段,抑制会更好些。
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作者: fallen 时间: 2015-3-16 14:02
9 \7 f- o$ x( q
你可以看磁珠的规格书,DCR一项,在同一尺寸的条件下,标明的阻抗越大,DCR越大。不是你说的小于50mR4 n) V: ?: [. @* |
作者: 北漂的木木 时间: 2015-3-16 18:10
- m+ s, n3 v. M3 S$ o( h6 v; T50mR只是个举例,并不是说磁珠的DCR都小于这个值。. J/ @& g% U( P' N3 B1 O$ d
作者: criterion 时间: 2019-9-12 17:49
本帖最后由 criterion 于 2019-9-12 17:50 编辑
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; f9 r" E1 Q0 J1 j由于磁珠的阻抗,都会随频率变化,因此Datasheet,都会标注特定频率下的阻抗值,
一般都是以100MHz为特定频率。
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) |# y! y" j# m& O虽然磁珠等效于电阻与电感串联,但磁珠对于高频噪声,才有抑制作用,
换言之,我们所要利用的,是磁珠在高频下的电阻特性,
因此在效能上,必须以电阻看待。
而由上图可知,在高频时,由于电感值小于电阻值,其磁珠的阻抗,由电阻所支配,故其Datasheet的阻抗值,其实几乎等同于电阻值,
所以一般说的600R,代表在100MHz下,该磁珠阻抗为600奥姆,电阻值也约600奥姆。
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4 f' _1 O( O1 `- ]4 h2 [+ Y% @' q S3 C
- ]; _( P5 C. F6 e7 L
% ^0 I1 w! U5 M6 d0 F也因为磁珠的阻抗,会随频率变化,因此在挑选时,需注意该磁珠于噪声频率下的阻抗值,如下图 :
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! u& }6 Q" m9 Y1 C" A* a- r噪声频率为10MHz,而Sample A在10MHz的阻抗,明显比Sample B高出许多,
而由波形可知,Sample A的上升与下降曲线,也比Sample B平缓许多,连带在频域上的噪声成分减少许多,
亦即Sample A抑制10MHz噪声的能力较佳,
而Sample B比较适用于100MHz ~ 200MHz的噪声频率。
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- j7 s7 g' g! u6 k; `; y9 r: L& s. I" u: B- N
虽然噪声频率下的阻抗值越大,其抑制噪声能力越好,
但若阻抗越大,其DCR也越大,亦即其信号的损耗,以及电源的IR Drop也越大,
故需做一个折衷考虑。
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; Q; Y( ^: A4 q; h1 J/ F Z$ H
# D2 U. R7 x A1 Q0 F8 O由上图可知,当流经电流加大时,其磁珠的有效阻抗与带宽,都会跟着下降,
虽然因为频偏关系,导致电容性频率范围的阻抗有所提升,
但毕竟我们所要利用的,是磁珠在高频下的电阻特性,而非电容特性,
因此其额定电流越大越好,至少需为流经电流之1.3倍。
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; _; k8 N+ f0 f8 p一般而言,额定电流越大,则尺寸也会越大,
但阻抗会越小,
因此虽然额定电流越大越安全,
但会加大占用空间,且降低抑制噪声能力,因此须做一个折衷考虑
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* w4 A: W) t0 ~% \4 N$ h+ H' K
. N! t! s5 N6 A
! s- S, s+ d- z
所以简单讲
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$ j, z# ]$ z# ^ B. a8 n- z: Q: l/ v/ ~9 _
1. 找一个额定电流大约600 mA的磁珠
2. 然后挑选在其噪声频率 有高阻抗的
3. 最后 确认其DCR 假设IR Drop你可以接受 那就定了
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4 k2 A. f4 `8 L% p3 j E
之后再依照你的量测结果作调整
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作者: kk602321 时间: 2023-5-6 11:57
好贴学习了
作者: 6940 时间: 2023-5-6 13:04
9 V/ O m+ C( T! M好贴学习了,最近正好在整改EMC
作者: 布鲁斯 时间: 2023-6-21 14:28
学习了学习了
作者: szkalwa 时间: 2023-6-30 09:27
) ?# n# u" M( b4 y' V) `$ o1 J学习了学习了

作者: zz2023 时间: 2023-11-17 17:25
. U% I: Q& s0 ^. _& x有可能是Lay板走线的问题,CLK串的电阻放的位置、走线长度,走哪层关系很大,它就是一根天线,最好用频谱直接耦合接上去看看有没有这个频率
+ {6 @ b, K9 \1 z0 ?
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