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标题:
DDR3布线 Break in 和Break out区域，怎么理解？？
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作者:
红孩儿
时间:
2015-3-10 13:41
标题:
DDR3布线 Break in 和Break out区域，怎么理解？？
DDR3内存布线的时候，DG中分了好几个区域，region A region B region C region D,文中反复提到Break in Break OUT,
4 s) O0 H) ~' g
: [5 ~5 {4 G. K6 F1 H7 p
不知道怎么去理解这两个意思，通常我们break指的是线散出，难道这里的IN和out只是表示方向么？还是有其他的意识？？
: K# p' b. f& z& L5 e x
作者:
shark4685
时间:
2015-3-10 15:18
这个问题还真是文化的问题，如下是我个人的理解：
6 P1 U5 r) Z3 x9 |' u% j
4 Q8 J) ?, C3 \- T( f+ j* ^7 y
我理解的的break一般是指BGA封装下面不能按正常线宽出线的地方，至于你说的break in/out,
5 H- B) G. |% L* J6 F( {+ G
3 ]1 q+ N g' Z, U5 d9 T
应该和你的设计领域有关，DDR3的数据线是双向的，如果从Controler--->>DRAM，如果都是BGA
g _! ] {7 u, W% k# [7 s" a/ K
% A' @) } w* i: q" o) c. F
的封装，在Controler下面应该是break out,再进入DRAM的BGA封装下面的时候，就应该是break in了，
( k( B- _% e) s( E: W
- t/ \7 K% Z" e7 ?
你会去看下你的design guide是不是这样理解。
* s2 R1 j8 w2 v! E: B$ s# c
! C. I4 J8 \# O- o
有时候国外很多做硬件的老外都是老印，老墨，华人，稍微理解下他们的文化，再理解起来会容易些。
作者:
cousins
时间:
2015-3-10 16:15
对于这种英文有歧义的地方，可以直接咨询FAE。因为有些术语是部分芯片公司的习惯用法。
作者:
红孩儿
时间:
2015-3-10 16:21
多谢2位版主。。
作者:
alienware
时间:
2015-3-16 15:18
谢谢，学习下
作者:
tdl
时间:
2016-3-15 16:59
这个问题一直模糊着我
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