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标题: WCDMA之ACLR劣化之因素 [打印本页]

作者: criterion    时间: 2015-3-8 16:55
标题: WCDMA之ACLR劣化之因素
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑 2 H. S& o) l( ]/ D, P" e
$ b3 P+ s8 R0 d$ w' L7 p& B) W
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
3 {. M1 R2 @! B+ \* S) w; Y5 y
4 B9 n# \* Y2 b4 R. S
7 C3 A8 k# e% C5 P2 f/ D! C
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
3 m& _# G- d; o

( d) O- |3 {; e" L5 a: G
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
2 d6 v8 a5 z# p2 _

( _4 G: j8 V. d! u, {4 }
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

3 n5 e4 j& k' w

0 ^! z( z) y8 [

  |& ]/ z5 c. Q! ~
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
' l+ w. w- E, E8 ?
5 j. ~3 r. W- [6 M* m4 z
7 d9 s# K0 E; R; f
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

+ ~% v7 T5 O1 q% e
# O! {* \7 w1 ^% H
, W+ Y2 p% B8 t6 ^: O8 a  ~

4 g. I7 {$ }: e
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流. y+ K; Y, Q3 ]3 p
3 _4 s% b. `) X$ l! P
( Y8 l! U7 v" F+ C* e9 o
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
, d2 M. l9 Y! ?( X0 }4 w1 h
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
1 E" l  t: x* F: q
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

, L' G+ j2 i/ Y6 K4 t
4 S4 y/ P1 ^1 T; t( c2 N6 A& N

- c9 M: C* |* b4 X
这是为什么呢? , Y# |8 L* |1 a- x  B4 y
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,+ k  U- J8 S& y: |
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
3 Y  I5 G6 T2 e" W
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

( o: y- O" L# |# a8 X$ C

9 N% C2 d! i1 I0 c. p8 S: ^
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
2 ^5 H$ e. J  t: j4 w+ d+ ~0 B

: }+ F& `& Z% O

/ q; F$ `. P0 u" }1 @
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
, e( m+ `! g( e$ u* t
% {0 x$ m' g, r0 _: Y3 K
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
1 u% x- a& [6 Q
- N4 E4 m( a' c2 ~" \3 S' [

! L3 X  A$ b3 \6 ^4 |$ j
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
: x" @. u/ T+ h( J+ w  V5 H

- V/ g+ X- ?% i# `: Y. \+ s; u$ \
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :
  |6 K$ ?% \8 ~7 `& x( v( v  q
3 A! W5 s0 j! |7 U& y
- W/ {, S- w) r# \8 R" s
而当电压极低时,其Cgd会变大。

% d4 G- B( R0 Z% q
                        

* X) T- d7 E  c5 F" X1 V
# x$ H, s/ O  m/ Y5 h4 A0 _
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差. O, {; Y5 ~, x
3 |  p" u" D' v
, z7 p* M& y: X( `2 Y, t+ g5 ~
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
- N2 t/ S5 \; U7 |4 [: U

) z  @2 z$ s+ F9 G$ f( N1 [
; ]' x  ^! v5 P# D
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)

: }9 N5 r7 p3 o0 W5 ^" v$ T7 L/ _
  q/ p0 U: C2 S* u  C# a' f
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下7 i% Y6 C1 F. {  Q) ]+ y$ Q
2 @( T# ]  K+ K. J: F: x

6 |# q/ `  F1 W( @! E
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
/ }  X, f5 b, M

9 d4 \6 A8 ]" k6 C4 O
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

) O$ ^1 c7 u( j
- a1 E- d, J- ^9 M9 w* h

' P5 y1 D8 n) e$ S2 j$ T8 D
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
: F4 I* q: m2 o5 f
" E0 P, I5 Y4 ]$ ^" r1 ?% _7 _5 A
我们作以下6个实验

) n! E3 a2 A9 L

; X( E+ O+ N0 t
7 S7 |; j9 r" x$ ~
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大
3 ]7 K4 b; i' u, c% Y9 @

: k, ~% T3 Z( D& j
) m0 j3 L6 e( V* ]# Q0 v

) ]) [: k4 n) D% o. c
# ^9 e& H7 ~6 v+ r; X- k+ A, Z0 r, P& a1 v# a

1 g/ M  f$ w9 ~" t, l
1 g9 W5 }  U6 a. l; [) E8 I
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用

7 K! O) Z2 Y/ W$ L" l% F+ c/ p
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化6 k. }+ M2 m1 C) V

( K% ~& c" M3 `: n$ e7 A5 g
: V* e8 c4 C3 m: T7 i, \
( ]+ S. v' h; R5 m2 c( j
8 B( B' e% I$ @% q' D8 B
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
% ~" H3 _/ X# W
0 P0 N& j( ?; d; u0 O. m
. e; K! _% {% O1 G7 s
. o+ D, B, n4 b  y

" s& \: [1 s) T3 C+ }) z" h( C: O
其他详细原理   可参照  
# ~! D! O& \3 p; n+ D+ C1 | EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... 0 d6 v" q0 ?/ D  q- v; E
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
! \: T$ _3 w8 S8 G% _EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...* @8 V% Y* Z8 u7 G/ {5 ~9 L. E
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析; J( E  r6 k: R

' }) s9 c! H4 {& ~  在此就不赘述

* _$ B) y& o( v+ o0 ~& C$ f4 H: B
# K. k$ Q' e9 y1 ?, E0 |5 w
作者: Xuxingfu    时间: 2015-3-9 10:51
很好的贴,赞一个~
作者: wanglele    时间: 2016-3-31 11:39
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!
作者: hicgq183    时间: 2017-3-23 17:09
好资料谢谢
作者: sunyan0917    时间: 2017-9-21 11:29
好资料,谢谢楼主分享
作者: jzb168168    时间: 2017-10-24 09:59
感谢分享9 }% A$ Y: @% t' }4 Q2 u7 `

作者: infox    时间: 2018-7-28 22:26
好资料,学习
作者: frvwh    时间: 2019-7-30 09:39
感谢分享
作者: fuyang_house    时间: 2019-9-27 11:58
学习一下一下下
作者: 上山砍柴    时间: 2019-9-28 09:35
学习学习,感谢楼主
作者: xiangtianxiao    时间: 2019-10-12 16:34
谢谢楼主分享1 e6 k! b3 C: e9 Y! b5 r( O

作者: lotus_    时间: 2019-10-14 09:07
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了
作者: 我知你好LQC    时间: 2020-5-5 17:07
学习
作者: 猴子爱宝宝    时间: 2021-8-14 11:07
学习..........4 j; A. \4 f; a+ {. a7 u

作者: huangshi666666    时间: 2022-7-23 15:13
好好学习
作者: w_th    时间: 2023-8-14 20:59
感谢楼主的贡献!6 {0 l* w5 H5 J7 I

作者: ideapivot    时间: 2025-5-22 17:27
电感nF是不是笔误?
2 J  J/ ^4 i8 S8 o8 n- Q




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