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标题: 低温测试过不了 [打印本页]

作者: ann_wz    时间: 2015-2-7 20:03
标题: 低温测试过不了
低温对于pcb上面的那些东西有影响?看得到的芯片,导线,看不到的信号的速度什么的,高手出来谈谈,低温测试过了的,在设计板子的时候需要注意什么, m. f! u, }! x4 c1 J

作者: jacklee_47pn    时间: 2015-2-7 20:13
1.石英晶體有沒有溫度補償? 用TCXO來改善。
" P) R& k  h0 t2.電容器不要用Y5V等級,改用X5R或是X7R等級。
9 F2 E) |; \$ P4 B& s9 K3.檢查IC是不是能工作溫度於目標範圍內?
作者: fallen    时间: 2015-2-7 20:14
主要就是电容的容值,某些DC-DC低温启动不正常(修改COMP的,比如MP1482就出现过低温不启动而修改COMP),低温启动DC-DC纹波过大的。
作者: ann_wz    时间: 2015-2-8 18:53
jacklee_47pn 发表于 2015-2-7 20:138 s9 j& l# }$ b0 H" V1 z
1.石英晶體有沒有溫度補償? 用TCXO來改善。/ U1 v5 C2 N" q8 j, D
2.電容器不要用Y5V等級,改用X5R或是X7R等級。
) ~8 p5 A- M# W+ f% y3.檢查IC是不 ...
, E' [* a0 `) j2 l$ }2 T
版主,应该不会跟pcb的布线布局有关系把,比如时钟线的长度过长,然后一些等长线,比如lvds,dvi, ddr这些高速的信号,等长做的不严格,会不会低温会不会出问题呢?
; [8 a5 ?$ l' r: r/ t: K
作者: baoshiyan    时间: 2015-2-8 20:10
我想问下你,你这个低温测试的温度范围是多少到多少的?
作者: 东山郡谢    时间: 2015-2-9 16:59
1、系统IC,电源,晶振等元件是否工作在推进温度范围;
- u' a* a8 |1 K8 Z2、电源的带负载能力及纹波是否稳定;
2 `# @0 Y3 s+ B# U, x+ u3、试着把主控的内核电压提高一点点看看;9 [' r6 j& Q! o4 V& y5 T3 I! _

作者: 东山郡谢    时间: 2015-2-9 17:09
ann_wz 发表于 2015-2-8 18:53
/ r: I% l% q# I0 l- E) _2 Z' p9 O版主,应该不会跟pcb的布线布局有关系把,比如时钟线的长度过长,然后一些等长线,比如lvds,dvi, ddr这 ...

6 e# E- N3 ?! F3 i; t$ O有种情况,系统在低温下运行速度会变快(如DDR),这样的话就有可能跟你说的那些走线有关系了" I! {' A8 H/ g" G: q( C& Y9 m* k5 L

作者: zlpkcnm    时间: 2015-2-10 08:27
还是那句话,电源,时钟,复位为基础0 z$ ~" K7 W8 I; Z

作者: 北漂的木木    时间: 2015-2-10 09:43
楼上说的都差不多了。我来总结下。. V" g, s9 n$ \4 K) E5 ~
环境高低温测试,跟PCB走线关系很小,除非,你用的板材是最烂的,只要是正规板材,没问题的。
3 O) b( ^5 N5 C  V6 w9 I6 |其次是器件的选择,晶振负载电容,补偿电容,优先选用C0G/NOP,其他的电容,优先选用X7R,X8R属于高温电容,你应该用不到。电阻的话,用大品牌的,不要整那些基本上没听过的牌子。9 D& S; s, T( \; \3 x
然后就是芯片,至少要满足工业级要求。如果板子上用了商用的,铁定过不了。" u9 B" z; t9 d3 ^9 L. T
晶振如果满足温度要求,基本上是不会影响太大。
0 t6 {+ f" G& N& c1 _; h总的来说,低温过不了,基本上是用料的问题。% A7 m9 ~5 l1 d! f& _3 k2 P4 [. C
其实,最难保证的,是物料的采购。很多采购员,甚至是工程师亲自去买,也会买到次品。这是国情,没办法。% {" Q# ]" B- G7 F
  Z9 s% ]0 z  H: c3 {: c) [

作者: zhaoyang0351    时间: 2015-2-12 15:26
我一般-30度低温试验,在选用所有器件都符合低温要求的时候,低温对晶振的起振有很大影响,有过32.768晶振起振不正常现象。
作者: fresco_xy    时间: 2015-2-12 15:54
纯低温不过主要是器件问题,高温到低温突变不过是PCB防潮处理不好
作者: fresco_xy    时间: 2015-2-12 15:57
电源上的电解电容要选宽范围的或者钽电容,普通电解电容在-30度以下容量会大幅减少
作者: SFIRE    时间: 2015-2-15 10:18
看这个样子楼主做的低温试验应该是在-40了: `5 S  T/ k! ^5 m/ `0 R
有几个问题要确认一下:3 |' B+ T, \! d4 I  g! l+ Z- c
1、低温工作不过还是启动不了?6 J/ i3 d8 G! D$ G" M7 x4 q
2、设备使用的是锂电池还是外部电源?4 m6 c1 P- |* N5 o7 O! u/ [
3 f0 {; }# p3 z+ q3 k' B
对策:
( m- [, ]9 j0 H& Z$ u1、如果是低温不启动,那就要看你的锂电池是否在低温下输出正常范围i的电压?同时所有的电源芯片、电源控制芯片的输入门限是否在2.5以下?()如果是工作不了那就要看你的CPU或者控制芯片的工作温度范围了。。建议楼主把这些主要芯片查清楚1 r% F+ U, f( C! Z( h0 {
2、如果是使用外部电源,那问题应该在于你的MCU或者外围电路,不过一般外围的晶振、复位的温度都没问题。如果是锂电池,请参考第一点
作者: leeping2d    时间: 2015-2-15 10:22
低温?  是高低温测试过不了吗?   看看你的 时钟信号, 和PLL电路是否良好
作者: cedzbj    时间: 2015-2-16 10:46
关键看你是什么现象。
作者: toxotae    时间: 2015-2-16 23:48
楼主啥也没说,来吐槽的吧
作者: yiting7466    时间: 2015-2-26 16:58
ann_wz 发表于 2015-2-8 18:531 c' M5 s0 n, t* P' ^. ^: K. v
版主,应该不会跟pcb的布线布局有关系把,比如时钟线的长度过长,然后一些等长线,比如lvds,dvi, ddr这 ...
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曾经碰到过低温不过的时候,调整DDR的时序参数(tRAS,tCAS,tRC,tRP...)就过了,可能是常温时调试的参数较偏,在低温时这些参数已发生变化。
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作者: arrowlin    时间: 2015-2-27 23:39
学习了
作者: longsdan    时间: 2015-3-22 22:54
一般都是晶振和电容,电容要符合产品设计的低温电容,芯片等级,
作者: lwf19861111    时间: 2015-3-23 12:48
一般都是物料的问题,遇到过处理器在低温下某个模块工作不正常,但是内核正常的,而且是批次性的,所以选择物料的时候,就要考虑产品的工作温度范围。电容,特别是电解电容,低温下电解液会冻,容量减小。尽量选好的电容。




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