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标题: 【请教】大家帮忙看下这个3.3V怎么来的？ [打印本页]
作者: joy_show_wb    时间: 2015-1-31 11:03
标题: 【请教】大家帮忙看下这个3.3V怎么来的？

; H9 }( O* H, M, ?1 B' i/ o  我查资料不懂为什么经过俩个4001就直接3.3V了？大家帮帮忙
; e4 U1 @/ @# A+ J0 U/ y帮我分析下，谢谢4 }+ E/ ?8 `; a# l- D6 `
作者: myeda_365    时间: 2015-1-31 11:18
本帖最后由 myeda_365 于 2015-1-31 11:21 编辑
8 M, A( q" O2 c9 q$ Q$ B+ R% ~% S& E. x2 f" B
控制为高时PMOS导通，二极管压降？？两个1.7V？？就变3.3V了。我猜的。看1N4001参数吧
作者: myeda_365    时间: 2015-1-31 11:25
myeda_365 发表于 2015-1-31 11:18
# G9 L6 g' e# e# }5 e5 e控制为高时PMOS导通，二极管压降？？两个1.7V？？就变3.3V了。我猜的。看1N4001参数吧
- O2 \' N2 I6 R" E) v
正向压降1.1V，那就不应该了，不知道什么情况了。
  V3 v8 h6 ^* }& p' H+ F7 j
作者: joy_show_wb    时间: 2015-1-31 11:31
myeda_365 发表于 2015-1-31 11:25: D5 T6 ]( w9 f) H* z
正向压降1.1V，那就不应该了，不知道什么情况了。

% Q2 @+ ^; t8 P3 {7 S7 ^3 o我用万用表测了一下电压是3.9V！
0 z: h; a7 A3 c; G   正向压降是二极管吗？
: n3 M7 J% q3 ?# i2 `
作者: joy_show_wb    时间: 2015-1-31 11:47
myeda_365 发表于 2015-1-31 11:25: ~$ U6 [! ]7 x* `& F2 n
正向压降1.1V，那就不应该了，不知道什么情况了。
+ a6 Q$ e  m6 x: f- u1 N: ?
我知道了，俩个二极管压降是0.7V，加上误差就是3.9V！！
1 K) k6 S) J( S  p4 L% L) x   还是谢谢你的回复。7 C1 t% x- `, W- B. S( ]
作者: liaotingkang    时间: 2015-2-2 00:44
电路有问题了，
作者: joy_show_wb    时间: 2015-2-2 09:39
liaotingkang 发表于 2015-2-2 00:44# ?) d# ?' O7 a# Y- G! `% l' {- g
电路有问题了，
+ v2 C  o5 t8 V, e* s
怎么说呢？能分析下吗. D; c, r" R2 y. U
作者: 阿斯兰    时间: 2015-2-2 10:16
实物是这个现象吗，还是只是原理图这样画
作者: fallen    时间: 2015-2-2 10:31
joy_show_wb 发表于 2015-2-2 09:39
( I6 |5 A. C; K/ v4 e怎么说呢？能分析下吗

8 y4 r% V3 S: \0 k0 `+ v/ M/ J没啥问题，负载电流比较小的时候，二极管的压降很小，3.9V也算是正常。7 g! s9 b( z( {; B- z/ S$ {4 W
当负载电流变大的时候，二极管的压降增大，会接近3.4V。- U# |; A, a" R9 F, E
话说，现在LDO也很便宜了，才0.15RMB，至于这麽抠门么？" [5 h& I7 m  x
作者: liangkai520    时间: 2015-2-2 10:47
你最好是量一下是不是3.3V,按理算应是3.6V,放入电路中会比3.6小些
作者: joy_show_wb    时间: 2015-2-2 11:21
liangkai520 发表于 2015-2-2 10:47
3 p5 P: x' K/ J1 E0 \* X" w! e$ D你最好是量一下是不是3.3V,按理算应是3.6V,放入电路中会比3.6小些
/ t9 n' K2 s7 k2 |' ?; Z; p
测量出来是3.9V！) V+ B6 |* o: T$ F0 c3 _
作者: joy_show_wb    时间: 2015-2-2 11:23
fallen 发表于 2015-2-2 10:31
  Y# |: _8 v9 z: p; u: i* |没啥问题，负载电流比较小的时候，二极管的压降很小，3.9V也算是正常。
8 E0 A9 G  W& v3 c当负载电流变大的时候，二极管的 ...

2 \  Z: s  }1 c' M5 i: P' i. P哈哈！我目前是跟着学硬件！有很多不懂的，慢慢在学习。* i4 t9 \! V( A# E6 ?8 i& F/ _" A
      还有我等下去问下为什么这么抠门..........哈哈
4 r* g7 A/ b# c7 j! D( \0 t8 e
作者: 超人会1飞    时间: 2015-2-2 14:15
电路有问题的
作者: 624132806    时间: 2015-2-2 17:08
我认为是利用两个二极管的压降。硅管压降大概是0.6~0.7V，锗管大概是0.2~0.3V。
作者: liangkai520    时间: 2015-2-3 08:33
你带负载测，如果还是3.9的话那你还得想办法所他降到3.3V，现在看来这个3.3V原理图设计不合理，后面调试时要进行改进。
作者: myeda_365    时间: 2015-2-3 08:42
看图说话。这电路电压会很不稳定啊

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捕获.PNG
作者: yuan715happy    时间: 2015-2-3 14:06
感谢楼主分享，学习了
  T0 T, r9 X( ^" W  e. b) F4 F3 }
作者: dreamagain1986    时间: 2015-2-3 15:35
1N4001的管压降和电流有关，详见相关手册，当电流在800-900mA时大约压降是0.85V，2个正好1.7V输出3.3V
作者: zhaoyang0351    时间: 2015-2-3 16:38
这个是二极管的特性决定的，轻负载和大负载的时候，压降是不一样的。
作者: xhnumber1    时间: 2015-2-5 17:40
再打样一次
作者: 887799    时间: 2015-2-5 18:02
如果负载变化不大，就可以使用。
作者: xuechaojie    时间: 2015-2-9 16:01
我觉得这样是在给工程师自己找麻烦。
作者: 东山郡谢    时间: 2015-2-10 09:25
不明白为啥不用LDO才几毛钱而已，你这一个MOS管就2.3毛钱了，省不了成本，还一堆元件占位置
作者: liangjiatian    时间: 2015-3-6 17:03
你不会用这个在产品上面吧 会害死人的
作者: aspire132    时间: 2015-3-19 18:25
3.3V是供給什麼負載在用的?這樣的設計應該是在COST DOWN...
作者: gongchaobeyond    时间: 2015-3-20 10:16
真省，负载决定电压



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