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标题: 请教：时钟的驱动能力是指什么 [打印本页]
作者: ieracll    时间: 2008-9-1 21:48
标题: 请教：时钟的驱动能力是指什么
时钟的驱动能力是指什么，驱动能力大小与走线长度等有没有什么联系？
  H3 A9 [/ o1 q: r  Z: _' W     还请各位指教，Thank You.
作者: howsi    时间: 2008-9-1 22:05
对于时钟，可能驱动能力更多的是指fanout的能力，个人理解。
" t) B0 M1 x: U. v( x: r/ z当然跟走线长度有关系，路走远了，人也会累的
作者: killerljj    时间: 2008-9-2 11:30
驱动能力一般是指IC能够输出电流的大小吧。驱动能力越强，是指电流越大，带负载的能力自然也就越强。这样clock的上升时间和下降时间就越快。个人认为和走线长度没有关系。
作者: gyj1038    时间: 2008-9-3 00:01
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载引脚的寄生电容效应越大，从而导致上升时间和下降时间延长，这个效应不会因为芯片驱动能力强而减弱。个人理解，欢迎讨论。
作者: mengzhuhao    时间: 2008-9-3 19:33
这是不是芯片发热大的一个缘故之一0 j% {8 x: n( V) q
现在的芯片都是百万门
5 i& p- t4 f6 r' \. Q' n$ q每个触发器都挂上全局时钟，时钟够累的2 @! w! }/ ?9 u: T5 K; Q3 W
那这驱动能力的提高在那方面体现
作者: yangcanhui07    时间: 2008-9-4 13:26
简单说是驱动电流大小.实质上指的是驱动器的传输线的内阻,这将会影响到传输线的入射电压分配.$ C8 S2 ^" P" Z* t/ L3 D# S0 n2 F
比如,一个驱动的内阻是50欧,电源电压是3.3V,驱动一条50欧的传输线,显然驱动电流是3.3/(50+50)=33mA,入射电压是1.65V;如果要驱动两条传输线负载,驱动电流是3.3(50+25)=44mA,入射电压却只有1.1V了.
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0 p2 x* Z4 k3 q# r" k6 P如果换成内阻是12.5欧的芯片,驱动四路50欧的传输线是没问题的,
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, @0 C8 p+ v. Z" V5 Z1 T7 w但并不是驱动电流越大越好,当低内阻的源,驱动轻载的时候,入射电压会很高造成更大的反射和振荡
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[ 本帖最后由 yangcanhui07 于 2008-9-4 13:28 编辑 ]
作者: ieracll    时间: 2008-9-9 23:13
时钟的datasheet里有1X，2X的调节。
; n2 \) q5 A. s; t* H! f7 d6 l6 D* a1X的走线长度有没有最大限制？
作者: emanule    时间: 2008-9-12 12:12
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
7 X0 y; M2 W4 lkillerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载 ...
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严重同意  呵呵
作者: qsj687    时间: 2008-9-12 21:29
和工作频率应该也有关系  频率越高 对驱动能力的要求越高 不知道正确否
作者: yadog    时间: 2008-9-18 22:09
理解成扇出电流能力比较确切
作者: killerljj    时间: 2008-9-19 14:55
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表 7 F6 x' Z  O# }, x9 i7 _2 I" A& }
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载 ...

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那么当负载已经固定的情况下，难道上升时间与驱动能力没有关系吗？
! O4 I2 M: e% H6 C& Y当你的板子已经做出来，正在调试debug的时候不就是这种情况吗？
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[ 本帖最后由 killerljj 于 2008-9-19 14:57 编辑 ]
作者: gyj1038    时间: 2008-9-19 23:06
原帖由 killerljj 于 2008-9-19 14:55 发表 1 j' ]+ C  l; t% M
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/ h. r9 [& j( f: V* @( T那么当负载已经固定的情况下，难道上升时间与驱动能力没有关系吗？
3 Y; f+ e  R3 s6 ~+ R当你的板子已经做出来，正在调试debug的时候不就是这种情况吗？

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- V8 S. d  H5 z8 p# j5 e6 |不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么？可否举例说明一二。7 @, c3 b; B0 K, U3 @" r' S
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上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性，当芯片被生产制造出来的时候，这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说，它们之间没有关系。. G/ Z+ |# D& H0 t
我们可以说“芯片驱动的负载越多，寄生电容越大，实际的上升时间就越长”，但是这个芯片无论驱动了多少负载，它的“驱动能力”都是一个固定的值。就好比说某个人最大饭量是一顿饭吃十个包子，即便他今天只吃了五个包子，我们仍然说他的最大饭量是十个包子。
作者: tigerish    时间: 2008-9-21 23:01
主要是指带负载的能力！
作者: killerljj    时间: 2008-9-23 15:19
原帖由 gyj1038 于 2008-9-19 23:06 发表
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不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么？可否举例说明一二。
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上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性，当芯片被生产制造出来的时候，这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说，它们之间没 ...

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我是做主板的，根据我的经验：
4 B4 |: d' g" ]) D- p/ g首先，据我所知通常很多clock芯片的驱动能力是可以通过寄存器调节的，而不是固定不变的。' X, @. g! d- w7 S* K' @6 N: }

4 ~  W8 v) ]- N4 S) L2 u6 u! ?其次，板子做出来一般很难做到一版ok，多多少少会有些这样或那样的问题，例如rise time与spec不符，那么你要怎么办？当然是debug了，你总不能置之不理吧？当然，咱也不能否认有这样的强人存在，不过非常少……# x: s) f& T+ ~

# X/ ^& z  m, x' \3 C第三，板子做出来要经过很多严格的测试，EMI、 compatibility 等等，如果你在两信号质量时发现一个clock的rise time或者fall time 或者edge rate与Spec不符，那么最便宜、最方便、最简单的方法是什么？——通过调节clock芯片的寄存器来控制输出驱动能力。显然这是最灵活，最便宜的设计！



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