Cool-MOS 系统应用可能会出现的问题 1.EMI 可能超标。 由于SJ-MOS 拥有较小的寄生电容，造就了超级结MOSFET 具有极快的开关特性。因为这种快速开关特性伴有极高的dv/dt 和di/dt，会通过器件和印刷电路板中的寄生元件而影响开关性能。对于在现代高频开关电源来说，使用了超级结MOSFET，EMI 干扰肯定会变大，对于本身设计余量比较小的电源板，在SJ-MOS 在替换VDMOS 的过程中肯定会出现EMI 超标的情况。 2.栅极震荡。 功率MOSFET 的引线电感和寄生电容引起的栅极振铃，由于超级结MOSFET 具有较高的开关dv/dt。其震荡现象会更加突出。这种震荡在启动状态、过载状况和MOSFET 并联工作时，会发生严重问题，导致MOSFET 失效的可能。 3.抗浪涌及耐压能力差。 由于SJ-MOS 的结构原因，很多厂商的SJ-MOS 在实际应用推广替代VDMOS 的过程中，基本都出现过浪涌及耐压测试不合格的情况。这种情况在通信电源及雷击要求较高的电源产品上，表现的更为突出。这点必须引起我们的注意。 4.漏源极电压尖峰比较大。 尤其在反激的电路拓扑电源，由于本身电路的原因，变压器的漏感、散热器接地、以及电源地线的处理等问题，不可避免的要在MOSFET 上产生相应的电压尖峰。针对这样的问题，反激电源大多选用RCD SUNBER 电路进行吸收。由于SJ-MOS 拥有较快的开关速度，势必会造成更高的VDS 尖峰。如果反压设计余量太小及漏感过大，更换SJ-MOS 后，极有可能出现VD 尖峰失效问题。 5.纹波噪音差。 由于SJ-MOS 拥有较高的dv/dt 和di/dt，必然会将MOSFET 的尖峰通过变压器耦合到次级，直接造成输出的电压及电流的纹波增加。甚至造成电容的温升失效问题的产生。 |
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