一、瓷介电容器（CC） 1.结构 用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG））；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 2.特点 1 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1 000 pF，常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高，容量大（最大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差。 3.用途 1类电容主要应用于高频电路中。2,3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。 二、涤纶电容器（CL） 1.结构涤纶电容器，是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大）的无极性电容。 2.优点耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。 3.用途一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。 三、聚苯乙烯电容器（CB） 1.结构有箔式和金属化式两种类型。 2.优点箔式绝缘电阻大，介质损耗小，容量稳定，精度高，但体积大，耐热性较差；金属化式防潮性和稳定性较箔式好，且击穿后能自愈，但绝缘电阻偏低，高频特性差。 3.用途一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80（高压型）、 CB40 （密封型金属化）等系列。 |
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