三星1TB QLC第九代V-NAND提升存储性能与可靠性

2024-9-13 11:22| 查看: 126| 评论: 0|来自: 美通社

摘要: 三星电子9月12日宣布其首款1太比特（Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND已正式开始量产。今年四月，三星启动了其首批三层单元（TLC）第九代V-NAND的量产，随后又实现了QLC第九代V-NAND的量产。三星计划扩大QLC第九代V- ...

三星电子9月12日宣布其首款1太比特（Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND已正式开始量产。今年四月，三星启动了其首批三层单元（TLC）第九代V-NAND的量产，随后又实现了QLC第九代V-NAND的量产。三星计划扩大QLC第九代V-NAND的应用范围，从品牌消费类产品扩展到移动通用闪存、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。三星的通道孔蚀刻技术基于双堆栈架构实现当前业内最高单元层数，并通过多项创新技术提升产品性能和可靠性。（美通社）

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